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Transistor(5714)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
2N5606	43.0350	Richiesta di offerta	8184	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-213AA, TO-66-2			25 W		TO-66 (TO-213AA)	-			REACH Inalterato	150-2N5606	EAR99	8541.29.0095	1														60 V	5A		-			NPN	1,5 V a 500 µA, 2,5 mA	-	-
APTGT100H120G	247.6700	Richiesta di offerta	2258	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTGT100		480 W	Standard	SP6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Invertitore a ponte intero												Sosta sul campo di trincea	1200 V	140A	2,1 V a 15 V, 100 A	250 µA	NO	7,2 nF a 25 V
JANSL2N2907AUB/TR	101.4500	Richiesta di offerta	5703	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/291	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo	2N2907		500 mW		UB	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANSL2N2907AUB/TR	EAR99	8541.21.0095	1														60 V	600 mA		50nA			PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
2C6189	24.3450	Richiesta di offerta	6117	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo									-			REACH Inalterato	150-2C6189			1
CMLRGLQ80V601AMXG-AS	-	Richiesta di offerta	8426	Tecnologia del microchip	*	Vassoio	Obsoleto									-				150-CMLRGLQ80V601AMXG-AS	OBSOLETO		1
90025-05TXV	-	Richiesta di offerta	6121	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-213AA, TO-66-2					TO-66 (TO-213AA)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato			0000.00.0000	1																	-			-	-	-	-
DN2535N5-G	1.6900	Richiesta di offerta	162	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	DN2535	MOSFET (ossido di metallo)			TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	350 V	500mA(Tj)	0 V	25 Ohm a 120 mA, 0 V	-		±20 V	300 pF a 25 V	Modalità di esaurimento	15 W (Tc)
JANTX2N5152	13.6192	Richiesta di offerta	7621	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/544	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N5152		1 W		TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														80 V	2A		50 µA			NPN	1,5 V a 500 mA, 5 A	30 a 2,5 A, 5 V	-
2N5315	519.0900	Richiesta di offerta	9426	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio a perno	TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Perno			87 W		TO-61	-			REACH Inalterato	150-2N5315	EAR99	8541.29.0095	1														100 V	20A		-			NPN	1,5 V a 1 mA, 10 mA	-	-
APTC90SKM60CT1G	-	Richiesta di offerta	8839	Tecnologia del microchip	CoolMOS™	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1		MOSFET (ossido di metallo)			SP1	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	100		CanaleN	900 V	59A(Tc)	10 V	60 mOhm a 52 A, 10 V	3,5 V a 6 mA	540 nC a 10 V	±20 V	13600 pF a 100 V	-	462 W(Tc)
APTGT150TDU60PG	243.8000	Richiesta di offerta	3785	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTGT150		480 W	Standard	SP6-P	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Tripla, doppia - Sorgente comune												Sosta sul campo di trincea	600 V	225A	1,9 V a 15 V, 150 A	250 µA	NO	9,2 nF a 25 V
JAN2N3999	127.8130	Richiesta di offerta	2950	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/374	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Telaio, montaggio con perno	TO-210AA, TO-59-4, Prigioniero	2N3999		2 W		TO-59	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														80 V	10A		10 µA			NPN	2 V a 500 mA, 5 A	80 a 1 A, 2 V	-
APTGT50TDU60PG	150.8300	Richiesta di offerta	4625	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTGT50		176 W	Standard	SP6-P	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Tripla, doppia - Sorgente comune												Sosta sul campo di trincea	600 V	80A	1,9 V a 15 V, 50 A	250 µA	NO	3,15 nF a 25 V
2N1480	25.4429	Richiesta di offerta	1213	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo			1 W		TO-5	-			REACH Inalterato	2N1480MS	EAR99	8541.29.0095	1														55 V	1,5 A		5μA (ICBO)			NPN	750mV a 20mA, 200mA	20 a 200 mA, 4 V	-
JANS2N3019S	100.1602	Richiesta di offerta	5739	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/391	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N3019		800 mW		TO-39 (TO-205AD)	-			REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1														80 V	1A		10μA (ICBO)			NPN	500mV a 50mA, 500mA	50 a 500 mA, 10 V	-
2N5786	20.8411	Richiesta di offerta	8143	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo				2N5786					-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1
APT5010JVR	38,7000	Richiesta di offerta	5220	Tecnologia del microchip	POWER MOS V®	Tubo	Attivo		Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC	APT5010	MOSFET (ossido di metallo)			ISOTOP®	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN	500 V	44A(Tc)		100 mOhm a 500 mA, 10 V	4 V a 2,5 mA	470 nC a 10 V		8900 pF a 25 V	-
APT1001RBVRG	14.0900	Richiesta di offerta	6639	Tecnologia del microchip	POWER MOS V®	Tubo	Attivo		Foro passante	TO-247-3	APT1001	MOSFET (ossido di metallo)			TO-247 [B]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN	1000 V	11A(Tc)		1 Ohm a 500 mA, 10 V	4 V a 1 mA	225 nC a 10 V		3660 pF a 25 V	-
JANTX2N5667S	-	Richiesta di offerta	6369	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/455	Massa	Interrotto alla SIC	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N5667		1,2 W		TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														300 V	5A		200nA			NPN	1 V a 1 A, 5 A	25 a 1 A, 5 V	-
2N6423	27.0655	Richiesta di offerta	8562	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-213AA, TO-66-2			35 W		TO-66 (TO-213AA)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														300 V	2A		-			PNP	-	-	-
JANS2N6193	95.9904	Richiesta di offerta	3439	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/561	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N6193		1 W		TO-39 (TO-205AD)	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														100 V	5A		100μA			PNP	1,2 V a 500 mA, 5 A	60 a 2A, 2V	-
APT5024SLLG/TR	8.9376	Richiesta di offerta	7924	Tecnologia del microchip	POWERMOS7®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA	APT5024	MOSFET (ossido di metallo)			D3PAK	scaricamento			REACH Inalterato	150-APT5024SLLG/TR	EAR99	8541.29.0095	400		CanaleN	500 V	22A(Tc)	10 V	240 mOhm a 11 A, 10 V	5 V a 1 mA	43 nC a 10 V	±30 V	1900 pF a 25 V	-	265 W(Tc)
JAN2N4449UA	29.6058	Richiesta di offerta	5955	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/317	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo			500 mW		UA	-			REACH Inalterato	150-JAN2N4449UA	EAR99	8541.21.0095	1														15 V			400nA			NPN	450mV a 10mA, 100mA	40 a 10 mA, 1 V	-
JANS2N2221	61.8704	Richiesta di offerta	7939	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/469	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo					TO-18 (TO-206AA)	-			REACH Inalterato	150-JANS2N2221			1														30 V			-			NPN	-	100 a 150 mA, 10 V	250 MHz
90025-04TX	-	Richiesta di offerta	1850	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-213AA, TO-66-2					TO-66 (TO-213AA)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato			0000.00.0000	1																	-			-	-	-	-
JANS2N5796A	403.6818	Richiesta di offerta	1865	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/496	Massa	Attivo	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-78-6 Lattina di metallo	2N5796		600 mW		TO-78-6	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1														60 V	600mA		10μA (ICBO)			2 PNP (doppio)	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
MSC180SMA120SA	7.3200	Richiesta di offerta	8313	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-8, DPak (7 derivazioni + linguatta)	MSC180	SiCFET (carburo di silicio)			D2PAK-7	-			REACH Inalterato	150-MSC180SMA120SA	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	1200 V	21A(Tc)	20 V	225 mOhm a 8 A, 20 V	3,26 V a 500 µA	34 nC a 20 V	+23 V, -10 V	510 pF a 1000 V	-	125 W (Tc)
JANTXV2N3634UB	17.8752	Richiesta di offerta	7666	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/357	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo			1 W		UB	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														140 V	10 µA		10 µA			PNP	600 mV a 5 mA, 50 mA	50 a 50 mA, 10 V	-
APT34F100L	23,5000	Richiesta di offerta	5607	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-264-3, TO-264AA	APT34F100	MOSFET (ossido di metallo)			TO-264 [L]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN	1000 V	35A (Tc)	10 V	400 mOhm a 18 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	305 nC a 10 V	±30 V	9835 pF a 25 V	-	1.135 W(Tc)
JAN2N3767	26.9724	Richiesta di offerta	9987	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/518	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-213AA, TO-66-2	2N3767		25 W		TO-66 (TO-213AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														80 V	4A		500 µA			NPN	2,5 V a 100 mA, 1 A	40 a 500 mA, 5 V	-