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Transistor(5714)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
2N5742	77.3850	Richiesta di offerta	6448	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3				113 W		TO-204AD (TO-3)	-			REACH Inalterato	150-2N5742	EAR99	8541.29.0095	1																			100 V	20A			-			PNP	1,5 V a 1 mA, 10 mA	-	-
JANTX2N3418	19.6707	Richiesta di offerta	1300	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/393	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo	2N3418			1 W		TO-5	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																			60 V	3A			5μA			NPN	500 mV a 200 mA, 2 A	20 a 1 A, 2 V	-
JANKCDF2N5152	-	Richiesta di offerta	6906	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/544	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo				1 W		TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANKCDF2N5152	EAR99	8541.29.0095	1																			80 V	2A			50 µA			NPN	1,5 V a 500 mA, 5 A	30 a 2,5 A, 5 V	-
MSR2N3810	-	Richiesta di offerta	4609	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-78-6 Lattina di metallo	2N3810			350 mW		TO-78-6	-			REACH Inalterato	150-MSR2N3810			100																			60 V	50mA			10μA (ICBO)			2 PNP (doppio)	250 mV a 100 µA, 1 mA	150 a 1 mA, 5 V	-
APT18M100B	9.5200	Richiesta di offerta	53	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT18M100		MOSFET (ossido di metallo)			TO-247 [B]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN					1000 V	18A (Tc)	10 V	700 mOhm a 9 A, 10 V	5 V a 1 mA	150 nC a 10 V	±30 V	4845 pF a 25 V	-	625 W(Tc)
MSCSM120AM50CT1AG	89.7600	Richiesta di offerta	1	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	MSCSM120		Carburo di silicio (SiC)	245 W(Tc)		SP1F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-MSCSM120AM50CT1AG	EAR99	8541.29.0095	1	Canale 2 N (fase)						1200 V (1,2 kV)	55A (Tc)		50 mOhm a 40 A, 20 V	2,7 V a 1 mA	137nC a 20 V		1990 pF a 1000 V	-
JANTXV2N2906AUB/TR	11.8237	Richiesta di offerta	2880	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/291	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo	2N2906			500 mW		UB	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTXV2N2906AUB/TR	EAR99	8541.21.0095	1																			60 V	600 mA			50nA			PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
2N5149	19.4400	Richiesta di offerta	9750	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo				7 W		TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-2N5149	EAR99	8541.29.0095	1																			80 V	2A			-			PNP	-	-	-
JAN2N2222AP	13.9650	Richiesta di offerta	4297	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo				500 mW		TO-18 (TO-206AA)	-			REACH Inalterato	150-JAN2N2222AP	EAR99	8541.21.0095	1																			50 V	800 mA			50nA			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
APTGT300DA170G	269.2320	Richiesta di offerta	5664	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTGT300			1660 W	Standard	SP6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Separare																	Sosta sul campo di trincea	1700 V	400 A	2,4 V a 15 V, 300 A		750 µA	NO	26,5 nF a 25 V
JANTXV2N2219AP	16.7447	Richiesta di offerta	7074	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/251	Massa	Attivo		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo				800 mW		TO-39 (TO-205AD)	-			REACH Inalterato	150-JANTXV2N2219AP			1																			50 V	800 mA			10nA			NPN	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JAN2N3867	-	Richiesta di offerta	4325	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/350	Massa	Interrotto alla SIC		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo				1 W		TO-5	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																			40 V	3 mA			100μA (ICBO)			PNP	1,5 V a 250 mA, 2,5 A	40 a 1,5 A, 2 V	-
ARF460BG	56.6600	Richiesta di offerta	8272	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo	500 V			TO-247-3	ARF460	40,68 MHz	MOSFET			TO-247CS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	30	CanaleN		14A	50 mA	-	15dB											-					125 V
BLX48	30.3107	Richiesta di offerta	7481	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo											-			REACH Inalterato	150-BLX48			1
2N7377	324.9000	Richiesta di offerta	3815	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA				58 W		TO-254AA	-			REACH Inalterato	150-2N7377	EAR99	8541.29.0095	1																			300 V	5A			-			PNP	-	-	-
2N5634	74.1300	Richiesta di offerta	6465	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-	Foro passante	TO-204AA, TO-3				150 W		TO-204AD (TO-3)	-			REACH Inalterato	150-2N5634	EAR99	8541.29.0095	1																			140 V	10A			-			PNP	-	-	-
2N2907	3.8700	Richiesta di offerta	8207	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo				500 mW		TO-18 (TO-206AA)	-			REACH Inalterato	150-2N2907	EAR99	8541.21.0095	1																			60 V	600 mA			50nA			PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
2C3421-MSCL	5.4750	Richiesta di offerta	2556	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo											-			REACH Inalterato	150-2C3421-MSCL			1
2N3725	14.7098	Richiesta di offerta	2962	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo					2N3725						-	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2N3725MS	EAR99	8541.29.0095	1
JANSL2N2218AL	114.6304	Richiesta di offerta	3042	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/251	Massa	Attivo		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo				800 mW		TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-JANSL2N2218AL			1																			50 V	800 mA			10nA			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
MSCSM120HM50CT3AG	181.3700	Richiesta di offerta	4076	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	MSCSM120		Carburo di silicio (SiC)	245 W(Tc)		SP3F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-MSCSM120HM50CT3AG	EAR99	8541.29.0095	1	4 canali N						1200 V (1,2 kV)	55A (Tc)		50 mOhm a 40 A, 20 V	2,7 V a 1 mA	137nC a 20 V		1990 pF a 1000 V	-
JAN2N3421P	24.0065	Richiesta di offerta	2249	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/393	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo				1 W		TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-JAN2N3421P	EAR99	8541.29.0095	1																			80 V	3A			5μA			NPN	500 mV a 200 mA, 2 A	40 a 1 A, 2 V	-
JANKCCR2N3499	-	Richiesta di offerta	3622	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/366	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo				1 W		TO-39 (TO-205AD)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANKCCR2N3499	EAR99	8541.29.0095	1																			100 V	500 mA			10μA (ICBO)			NPN	600mV a 30mA, 300mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JANKCCM2N3501	-	Richiesta di offerta	4240	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/366	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo				1 W		TO-39 (TO-205AD)	-			REACH Inalterato	150-JANKCCM2N3501			100																			150 V	300 mA			10μA (ICBO)			NPN	400mV a 15mA, 150mA	100 a 150 mA, 10 V	-
2N6987U/TR	59.5308	Richiesta di offerta	6016	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/558	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	20-CLCC	2N6987					20-CLCC	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-2N6987U/TR	EAR99	8541.21.0095	1																							10μA (ICBO)			4 PNP (quadruplo)	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
MSCSM120HRM163AG	282.3100	Richiesta di offerta	3105	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo			Carburo di silicio (SiC)			-	-				150-MSCSM120HRM163AG			1	4 canali N (inverter a tre livelli)														Carburo di silicio (SiC)
JANKCCD2N3499	-	Richiesta di offerta	6995	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/366	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo				1 W		TO-39 (TO-205AD)	-			REACH Inalterato	150-JANKCCD2N3499			100																			100 V	500 mA			10μA (ICBO)			NPN	600mV a 30mA, 300mA	100 a 150 mA, 10 V	-
APTGT75TA120PG	244.2520	Richiesta di offerta	4563	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTGT75			350 W	Standard	SP6-P	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Tre fasi																	Sosta sul campo di trincea	1200 V	100A	2,1 V a 15 V, 75 A		250 µA	NO	5,34 nF a 25 V
JAN2N5005	416.0520	Richiesta di offerta	8867	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/535	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Telaio, montaggio con perno	TO-210AA, TO-59-4, Prigioniero	2N5005			2 W		TO-59	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																			80 V	5A			50 µA			PNP	1,5 V a 500 mA, 5 A	70 a 2,5 A, 5 V	-
JANSP2N2906AUBC/TR	306.0614	Richiesta di offerta	5006	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/291	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				500 mW		UBC	-			REACH Inalterato	150-JANSP2N2906AUBC/TR			50																			60 V	600 mA			50nA			PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-