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Transistor(5714)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente-Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Resistenza - RDS(On)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
JANTX2N3763	-	Richiesta di offerta	5109	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/396	Massa	Attivo		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N3763				1 W		TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																				60 V	1,5 A									10 µA (ICBO)				PNP	900 mV a 100 mA, 1 A	20 a 1 A, 1,5 V	-
JANTX2N3765U4	-	Richiesta di offerta	1014	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/396	Massa	Attivo		-55°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo					500 mW		U4	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1																				60 V	1,5 A									100μA (ICBO)				PNP	900 mV a 100 mA, 1 A	40 a 500 mA, 1 V	-
JANTX2N3725	-	Richiesta di offerta	4069	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo							TO-39 (TO-205AD)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato			0000.00.0000	1																				50 V	500 mA									-				NPN	-	-	-
2N3778	-	Richiesta di offerta	4900	Tecnologia del microchip	-	Massa	Interrotto alla SIC		-	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo							TO-5	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																														-				-	-	-	-
JANS2N2484UA	64.5004	Richiesta di offerta	4968	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/376	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo	2N2484				360 mW		UA	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1																				60 V	50 mA									2nA				NPN	300 mV a 100 µA, 1 mA	250 a 1 mA, 5 V	-
JANTX2N5796A	120.3406	Richiesta di offerta	9483	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/496	Massa	Attivo		-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-78-6 Lattina di metallo	2N5796				600 mW		TO-78-6	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1																				60 V	600mA									10 µA (ICBO)				2 PNP (doppio)	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JANS2N5667	-	Richiesta di offerta	3805	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/455	Massa	Interrotto alla SIC		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo	2N5667				1,2 W		TO-5	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																				300 V	5A									200nA				NPN	1 V a 1 A, 5 A	25 a 1 A, 5 V	-
JANTXV2N335	-	Richiesta di offerta	1020	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		175°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo							TO-5	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato			0000.00.0000	1																				45 V										-				NPN	-	-	-
2CGA301A-MSCL	56.1600	Richiesta di offerta	6981	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo												-			REACH Inalterato	150-2CGA301A-MSCL			1
APTGT300DU60G	217.6800	Richiesta di offerta	5498	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTGT300				1150 W	Standard	SP6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	APTGT300DU60GMP-ND	EAR99	8541.29.0095	1	Doppia fonte comune																		Sosta sul campo di trincea	600 V	430 A		1,8 V a 15 V, 300 A							350 µA	NO	24 nF a 25 V
APT20M45SVRG	11.8200	Richiesta di offerta	6982	Tecnologia del microchip	POWER MOS V®	Tubo	Attivo			Montaggio superficiale	TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA	APT20M45			MOSFET (ossido di metallo)			D3 [S]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN						200 V	56A(Tc)		45 mOhm a 500 mA, 10 V	4 V a 1 mA	195 nC a 10 V		4860 pF a 25 V	-
JAN2N5153	-	Richiesta di offerta	9812	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/545	Massa	Interrotto alla SIC		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo					1 W		TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																				80 V	2A									50 µA				PNP	1,5 V a 500 mA, 5 A	70 a 2,5 A, 5 V	-
MQ2N4091	63.2947	Richiesta di offerta	6085	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo					360 mW		TO-18 (TO-206AA)	-			REACH Inalterato	150-MQ2N4091			1		CanaleN						40 V							16 pF a 20 V													40 V	30 mA a 20 V				30 Ohm
JAN2N336	-	Richiesta di offerta	3367	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		175°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo							TO-5	-			REACH Inalterato			0000.00.0000	1																				45 V	10 mA									-				NPN	-	-	-
JANS2N3737UB	157.2104	Richiesta di offerta	8701	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/395	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo					500 mW		UB	-			REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1																				40 V	1,5 A									10 µA (ICBO)				NPN	900 mV a 100 mA, 1 A	20 a 1 A, 1,5 V	-
ARF463AP1G	45.0300	Richiesta di offerta	103	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	500 V			TO-247-3	ARF463		81,36 MHz	MOSFET			TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		9A			100 W	15dB											-									125 V
JANS2N7372	-	Richiesta di offerta	2330	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/612	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori)					4 W		TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																				80 V	5A									50 µA				PNP	1,5 V a 500 mA, 5 A	70 a 2,5 A, 5 V	-
JAN2N3762	-	Richiesta di offerta	5632	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/396	Massa	Attivo		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N3762				1 W		TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																				40 V	1,5 A									10 µA (ICBO)				PNP	900 mV a 100 mA, 1 A	30 a 1 A, 1,5 V	-
JANTXV2N3439U4	-	Richiesta di offerta	7328	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo					2N3439							-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1
TN0104N3-G	1.1600	Richiesta di offerta	7069	Tecnologia del microchip	-	Borsa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TN0104			MOSFET (ossido di metallo)			TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						40 V	450mA(Ta)	3 V, 10 V	1,8 Ohm a 1 A, 10 V	1,6 V a 500 µA		±20 V	70 pF a 20 V	-	1W (Tc)
JANS2N2222AUBC	187.2500	Richiesta di offerta	3879	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/255	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo	2N2222				500 mW		3-SMD	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1																				50 V	800 mA									50nA				NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JANTXV2N918UB	29.3265	Richiesta di offerta	5341	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/301	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo	2N918				200 mW		UB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1																				15 V	50 mA									1μA (ICBO)				NPN	400 mV a 1 mA, 10 mA	20 a 3 mA, 1 V	-
JANS2N3506AU4	-	Richiesta di offerta	8023	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/349	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo					1 W		U4	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																				40 V	1μA									1μA				NPN	1,5 V a 250 mA, 2,5 A	50 a 500 mA, 1 V	-
GEN2N2219AL	8.9376	Richiesta di offerta	9110	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/251	Massa	Attivo		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo	2N2219				800 mW		TO-5	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1																				50 V	800 mA									10nA				NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
APT45GP120BG	17.9200	Richiesta di offerta	25	Tecnologia del microchip	POWERMOS7®	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT45GP120	Standard			625 W		TO-247 [B]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1				600 V, 45 A, 5 Ohm, 15 V															P.T	1200 V	100A	170A	3,9 V a 15 V, 45 A	900μJ (acceso), 904μJ (spento)	185 nC	18ns/102ns
JANTX2N3838	-	Richiesta di offerta	2100	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/421	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	Confezione da 6 piatti	2N3838				350 mW		Confezione da 6 piatti	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1																				40 V	600mA									10 µA (ICBO)				PNP, PNP	400mV a 15mA, 150mA	100 a 150 mA, 10 V	-
1214GN-50EP	-	Richiesta di offerta	4855	Tecnologia del microchip	E	Massa	Attivo	150 V			Modulo			1,2GHz~1,4GHz	-			-	scaricamento			REACH Inalterato	150-1214GN-50EP	EAR99	8541.29.0095	1	-		-		20 mA	58W	15,9dB											-									50 V
VP2206N3-G-P003	2.6700	Richiesta di offerta	511	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	VP2206			MOSFET (ossido di metallo)			TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.000		Canale P						60 V	640mA(Tj)	5 V, 10 V	900 mOhm a 3,5 A, 10 V	3,5 V a 10 mA		±20 V	450 pF a 25 V	-	740 mW(Tc)
MSCSM170AM029T6LIAG	-	Richiesta di offerta	1769	Tecnologia del microchip	-	Scatola	Attivo												scaricamento				150-MSCSM170AM029T6LIAG			1
2N1483	44.3555	Richiesta di offerta	6800	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-233AA, TO-8-3 Contenitore in metallo	2N1483				1,75 W		TO-8	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																				40 V	3A									15μA				NPN	1,20 V a 75 mA, 750 A	20 a 750 mA, 4 V	-