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Transistor(5714)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
APT8015JVFR	85.1500	Richiesta di offerta	8642	Tecnologia del microchip	POWER MOS V®	Tubo	Attivo		Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC	APT8015		MOSFET (ossido di metallo)			ISOTOP®	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		800 V	44A(Tc)		150 mOhm a 500 mA, 10 V	4 V a 5 mA	285 nC a 10 V		17650 pF a 25 V	-
DN3525N8-G	0,8800	Richiesta di offerta	5888	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	DN3525		MOSFET (ossido di metallo)			TO-243AA (SOT-89)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN		250 V	360mA(Tj)	0 V	6 Ohm a 200 mA, 0 V	-		±20 V	350 pF a 25 V	Modalità di esaurimento	1,6 W(Ta)
2N5969	613.4700	Richiesta di offerta	5628	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio a perno	TO-211MB, TO-63-4, Perno				220 W		TO-63	-			REACH Inalterato	150-2N5969	EAR99	8541.29.0095	1															100 V	40A						-			PNP	-	-	-
APT12031JFLL	122.8900	Richiesta di offerta	7286	Tecnologia del microchip	POWERMOS7®	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC	APT12031		MOSFET (ossido di metallo)			ISOTOP®	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		1200 V	30A (Tc)	10 V	330 mOhm a 15 A, 10 V	5 V a 5 mA	365 nC a 10 V	±30 V	9480 pF a 25 V	-	690AW(Tc)
2N3467	10.5868	Richiesta di offerta	6176	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N3467			1 W		TO-39	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2N3467MS	EAR99	8541.21.0075	1															40 V	1A						100 nA			PNP	1,2 V a 100 mA, 1 A	40 a 1 A, 5 V	500 MHz
APTGF150H120G	-	Richiesta di offerta	4696	Tecnologia del microchip	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP6				961 W	Standard	SP6	scaricamento		1 (illimitato)		APTGF150H120GMP-ND	EAR99	8541.29.0095	1	Invertitore a ponte intero													TNP	1200 V	200A		3,7 V a 15 V, 150 A				350 µA	NO	10,2 nF a 25 V
JANS2N2906AUB/TR	73.1250	Richiesta di offerta	3944	Tecnologia del microchip	MIL-PRF-19500/291	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				500 mW		UB	-				150-JANS2N2906AUB/TR			50															60 V	600 mA						50nA			PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	40 a 500 mA, 10 V	-
2N5085	287.8650	Richiesta di offerta	6161	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio a perno	TO-210AA, TO-59-4, Prigioniero				20 W		TO-59	-			REACH Inalterato	150-2N5085	EAR99	8541.29.0095	1															80 V	10A						-			PNP	-	-	-
JANTX2N4930U4	-	Richiesta di offerta	7688	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/397	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				1 W		U4	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1															200 V	200mA									PNP	1,2 V a 3 mA, 30 mA	50 a 30 mA, 10 V	-
JANTXV2N5582	-	Richiesta di offerta	6409	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/423	Massa	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AB, TO-46-3 Contenitore in metallo				500 mW		TO-46-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1															50 V	800 mA						10 µA (ICBO)			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JANSD2N2218AL	98.4404	Richiesta di offerta	3372	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/251	Massa	Attivo	-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo				800 mW		TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-JANSD2N2218AL			1															50 V	800 mA						10nA			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
MSCC60AM23C4AG	250.2300	Richiesta di offerta	8292	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo	-	Montaggio su telaio	Modulo	MSCC60		MOSFET (ossido di metallo)	-		SP4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-MSCC60AM23C4AG	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N			600 V	81A(Tc)		-	-	-		-	-
JANSR2N2218	114.6304	Richiesta di offerta	9165	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/251	Massa	Attivo	-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N2218			800 mW		TO-39 (TO-205AD)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1															50 V	800 mA						10nA			NPN	1,6 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
2N3762	27.5443	Richiesta di offerta	5466	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo				1 W		TO-39 (TO-205AD)	-			REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1															40 V	1,5 A						10 µA (ICBO)			PNP	900 mV a 100 mA, 1 A	30 a 1 A, 1,5 V	-
APT37F50S	7.8800	Richiesta di offerta	1630	Tecnologia del microchip	POWERMOS8™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA	APT37F50		MOSFET (ossido di metallo)			D3Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		500 V	37A(Tc)	10 V	150 mOhm a 18 A, 10 V	5 V a 1 mA	145 nC a 10 V	±30 V	5710 pF a 25 V	-	520 W(Tc)
2N2946AUB/TR	25.2567	Richiesta di offerta	2664	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				400 mW		UB	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-2N2946AUB/TR	EAR99	8541.21.0095	1															35 V	100 mA						10 µA (ICBO)			PNP	-	50 a 1 mA, 500 mV	-
JANTXV2N6385	69.1068	Richiesta di offerta	1126	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/523	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3	2N6385			6 W		TO-204AA (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1															80 V	10A						1mA			NPN-Darlington	3 V a 100 mA, 10 A	1000 a 5 A, 3 V	-
2N5067	72.4800	Richiesta di offerta	2394	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-204AA, TO-3				87,5 W		TO-204AD (TO-3)	-			REACH Inalterato	150-2N5067	EAR99	8541.29.0095	1															40 V	5A						-			PNP	-	-	-
LND150K1-G	0,5000	Richiesta di offerta	42	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	LND150		MOSFET (ossido di metallo)			SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN		500 V	13mA(Tj)	0 V	1000 Ohm a 500 µA, 0 V	-		±20 V	10 pF a 25 V	Modalità di esaurimento	360 mW(Ta)
2N3507L	12.2626	Richiesta di offerta	6969	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo	2N3507			1 W		TO-5AA	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1															50 V	3A						1μA			NPN	1,5 V a 250 mA, 2,5 A	35 a 500 mA, 1 V	-
JAN2N5661U3	-	Richiesta di offerta	6304	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/454	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo	2N5661			2 W		U3	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1															300 V	2A						200nA			NPN	800 mV a 400 mA, 2 A	25 a 500 mA, 5 V	-
JANS2N2907AUB/TR	18.8200	Richiesta di offerta	1206	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/291	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo	2N2907			500 mW		UB	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANS2N2907AUB/TR	EAR99	8541.21.0095	1															60 V	600 mA						50nA			PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
APT54GA60B	6.3900	Richiesta di offerta	7303	Tecnologia del microchip	POWERMOS8™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT54GA60	Standard		416 W		TO-247 [B]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1			400 V, 32 A, 4,7 Ohm, 15 V											P.T	600 V	96A	161A	2,5 V a 15 V, 32 A	534μJ (acceso), 466μJ (spento)	158 nC	17ns/112ns
APT40GLQ120JCU2	39.4404	Richiesta di offerta	2546	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Telaio, montaggio con perno	SOT-227-4, miniBLOC	APT40GLQ120			312 W	Standard	SOT-227	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Separare													Sosta sul campo di trincea	1200 V	80A		2,4 V a 15 V, 40 A				25 µA	NO	2,3 nF a 25 V
MSR2N2222A	-	Richiesta di offerta	9465	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo				500 mW		TO-18 (TO-206AA)	-			REACH Inalterato	150-MSR2N2222A			100															50 V	800 mA						50nA			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JANTX2N2604UB	-	Richiesta di offerta	7622	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/354	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo	2N2604			400 mW		UB	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1															60 V	30 mA						10nA			PNP	300 mV a 500 µA, 10 mA	60 a 500 µA, 5 V	-
MV2N4092UB	92.3419	Richiesta di offerta	9168	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo										-	RoHS non conforme		REACH Inalterato			0000.00.0000	1		CanaleN
MSR2N2369AU/TR	136.1521	Richiesta di offerta	7142	Tecnologia del microchip	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo				2N2369						-			REACH Inalterato	150-MSR2N2369AU/TR			100
APT12060LVFRG	33.9300	Richiesta di offerta	1779	Tecnologia del microchip	POWER MOS V®	Tubo	Attivo		Foro passante	TO-264-3, TO-264AA	APT12060		MOSFET (ossido di metallo)			TO-264 [L]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	Q7684702	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		1200 V	20A (Tc)		600 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 1 mA	650 nC a 10 V		9500 pF a 25 V	-
JANSH2N2369AUB	357.7420	Richiesta di offerta	3307	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/317	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				400 mW		UB	-			REACH Inalterato	150-JANSH2N2369AUB			1															20 V							400nA			NPN	450mV a 10mA, 100mA	40 a 10 mA, 1 V	-