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Transistor(5714)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Resistenza - RDS(On)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
JANTXV2N2920U/TR	58.0678	Richiesta di offerta	7045	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/355	Nastro e bobina (TR)	Attivo		200°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-SMD, senza piombo	2N2920				350 mW		6-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTXV2N2920U/TR	EAR99	8541.21.0095	1																				60 V	30mA										10 µA (ICBO)				2 NPN (doppio)	300 mV a 100 µA, 1 mA	300 a 1 mA, 5 V	-
ARF476FL	158.3900	Richiesta di offerta	10	Tecnologia del microchip	-	Vassoio	Attivo	500 V			-	ARF476		128 MHz	MOSFET			-	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Sorgente comune a 2 canali N (doppia).		10A		15 mA	900W	16dB											-									150 V
2N4393	18.2875	Richiesta di offerta	5710	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 125°C (TJ)	Foro passante	-	2N4393				1,8 W		TO-18	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	2N4393MS	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN													14 pF a 20 V													40 V	5 mA a 20 V	500 mV a 1 nA				100 ohm
JANS2N3440U4	-	Richiesta di offerta	4854	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo			-	-	2N3440						-	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1
TP0606N3-G	1.1100	Richiesta di offerta	2	Tecnologia del microchip	-	Borsa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TP0606			MOSFET (ossido di metallo)			TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		Canale P						60 V	320mA(Tj)	5 V, 10 V	3,5 Ohm a 750 mA, 10 V	2,4 V a 1 mA		±20 V	150 pF a 25 V	-	1W (Tc)
JANSP2N2369AUBC/TR	252.7000	Richiesta di offerta	9006	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo					360 mW		UBC	-			REACH Inalterato	150-JANSP2N2369AUBC/TR			50																				15 V											400nA				NPN	450mV a 10mA, 100mA	20 a 100 mA, 1 V	-
2N6500	30.5250	Richiesta di offerta	3411	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-213AA, TO-66-2					35 W		TO-66 (TO-213AA)	-			REACH Inalterato	150-2N6500	EAR99	8541.29.0095	1																				90 V	4A										-				PNP	1,5 V a 300 µA, 3 mA	-	-
JANTX2N4150S	9.9883	Richiesta di offerta	7540	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/394	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N4150				1 W		TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																				70 V	10A										10 µA				NPN	2,5 V a 1 A, 10 A	40 a 5 A, 5 V	-
APT10086BVFRG	20.4800	Richiesta di offerta	5331	Tecnologia del microchip	POWER MOS V®	Tubo	Attivo			Foro passante	TO-247-3	APT10086			MOSFET (ossido di metallo)			TO-247 [B]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN						1000 V	13A(Tc)		860 mOhm a 500 mA, 10 V	4 V a 1 mA	275 nC a 10 V		4440 pF a 25 V	-
JANS2N2904	94.6406	Richiesta di offerta	3930	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/290	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo					800 mW		TO-39 (TO-205AD)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1																				60 V	1μA										1μA				PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
JAN2N3725	-	Richiesta di offerta	4751	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo							TO-39 (TO-205AD)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato			0000.00.0000	1																				50 V	500 mA										-				NPN	-	-	-
2N5344	34.3500	Richiesta di offerta	5295	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo												-			REACH Inalterato	150-2N5344			1
JANSF2N2369AUB	149.3402	Richiesta di offerta	1340	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/317	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo	2N2369A				360 mW		UB	-			REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1																				15 V	400 nA										400nA				NPN	450mV a 10mA, 100mA	20 a 100 mA, 1 V	-
APTGL700U120D4G	303.3100	Richiesta di offerta	4905	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	D4	APTGL700				3000 W	Standard	D4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Separare																		Sosta sul campo di trincea	1200 V	910A		2,2 V a 15 V, 600 A								4 mA	NO	37,2 nF a 25 V
JANS2N3741	978.4320	Richiesta di offerta	2549	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/441	Massa	Attivo		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-213AA, TO-66-2					25 W		TO-66 (TO-213AA)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																				80 V	10 µA										10 µA				PNP	600 mV a 1,25 mA, 1 A	30 a 250 mA, 1 V	-
APTC60TAM24TPG	351.5525	Richiesta di offerta	9432	Tecnologia del microchip	CoolMOS™	Vassoio	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTC60			MOSFET (ossido di metallo)	462 W		SP6-P	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	6 canali N (ponte trifase)							600 V	95A		24 mOhm a 47,5 A, 10 V	3,9 V a 5 mA	300 nC a 10 V		14400 pF a 25 V	Super giunzione
APT36GA60BD15	6.8800	Richiesta di offerta	3408	Tecnologia del microchip	POWERMOS8™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT36GA60	Standard			290 W		TO-247 [B]	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1				400 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V															P.T	600 V	65A	109A	2,5 V a 15 V, 20 A	307μJ (acceso), 254μJ (spento)	18 nC	16ns/122ns
JANS2N3763U4	-	Richiesta di offerta	5719	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/396	Massa	Attivo		-55°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo					1 W		U4	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																				60 V	1,5 A										10 µA (ICBO)				PNP	900 mV a 100 mA, 1 A	20 a 1 A, 1,5 V	-
APT33N90JCU3	-	Richiesta di offerta	2723	Tecnologia del microchip	-	Vassoio	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC				MOSFET (ossido di metallo)			SOT-227	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	100		CanaleN						900 V	33A(Tc)	10 V	120 mOhm a 26 A, 10 V	3,5 V a 3 mA	270 nC a 10 V	±20 V	6800 pF a 100 V	-	290 W(Tc)
APT22F80B	9.6400	Richiesta di offerta	162	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT22F80			MOSFET (ossido di metallo)			TO-247 [B]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN						800 V	23A (Tc)	10 V	500 mOhm a 12 A, 10 V	5 V a 1 mA	150 nC a 10 V	±30 V	4595 pF a 25 V	-	625 W(Tc)
VN3205N3-G	1.6700	Richiesta di offerta	381	Tecnologia del microchip	-	Borsa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	VN3205			MOSFET (ossido di metallo)			TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						50 V	1,2 A(Tj)	4,5 V, 10 V	300 mOhm a 3 A, 10 V	2,4 V a 10 mA		±20 V	300 pF a 25 V	-	1W (Tc)
2N5663	23.8800	Richiesta di offerta	7573	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo					1 W		TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-2N5663	EAR99	8541.29.0095	1																				300 V	2A										200nA				NPN	800 mV a 400 mA, 2 A	25 a 500 mA, 5 V	-
APT20M38BVRG	13.3000	Richiesta di offerta	2588	Tecnologia del microchip	POWER MOS V®	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT20M38			MOSFET (ossido di metallo)			TO-247 [B]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN						200 V	67A(Tc)	10 V	38 mOhm a 500 mA, 10 V	4 V a 1 mA	225 nC a 10 V	±30 V	6120 pF a 25 V	-	370 W(Tc)
APT50GF120JRD	48.8200	Richiesta di offerta	4610	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC	APT50				460 W	Standard	SOT-227 (ISOTOP®)	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-APT50GF120JRD	EAR99	8541.29.0095	1	Separare																		-	1200 V	75A		3,4 V a 15 V, 50 A								750 µA	NO	3,45 nF a 25 V
2N910	30.5700	Richiesta di offerta	1472	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo												-			REACH Inalterato	150-2N910			1
2N5874	41.7354	Richiesta di offerta	4707	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo					2N5874							-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1
2N2657	14.9100	Richiesta di offerta	5217	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo					7 W		TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-2N2657	EAR99	8541.29.0095	1																				60 V	5A										-				NPN	500 mV a 100 µA, 1 mA	-	-
LND150N3-G-P014	0,6800	Richiesta di offerta	6783	Tecnologia del microchip	-	Nastro tagliato (CT)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	LND150			MOSFET (ossido di metallo)			TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.000		CanaleN						500 V	30mA(Tj)	0 V	1000 Ohm a 500 µA, 0 V	-		±20 V	10 pF a 25 V	Modalità di esaurimento	740 mW (Ta)
JANSL2N2907A	99.0906	Richiesta di offerta	5767	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/291	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo					500 mW		TO-18 (TO-206AA)	-			REACH Inalterato	150-JANSL2N2907A			1																				60 V	600 mA										50nA				PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
2N3498UB/TR	28.1250	Richiesta di offerta	2148	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo					1 W		UB	-			REACH Inalterato	150-2N3498UB/TR	EAR99	8541.29.0095	100																				100 V	500 mA										10 µA (ICBO)				NPN	600mV a 30mA, 300mA	40 a 150 mA, 10 V	-