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Transistor(5714)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id	Corrente - Interruzione collettore (max)	Resistenza - RDS(On)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
2N2905AP	24.0750	Richiesta di offerta	4931	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			600 mW	TO-39 (TO-205AD)	-			REACH Inalterato	150-2N2905AP	EAR99	8541.21.0095	1													60 V	600 mA				1μA		PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
2N4858UB	87.6204	Richiesta di offerta	1842	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo	2N4858		360 mW	3-UB (3,09x2,45)	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1		CanaleN	40 V							18 pF a 10 V (VGS)					40 V	8 mA a 15 V	4 V a 500 pA		60 Ohm
2N6060	613.4700	Richiesta di offerta	4519	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-	Montaggio a perno	TO-211MB, TO-63-4, Perno			262 W	TO-63	-			REACH Inalterato	150-2N6060	EAR99	8541.29.0095	1													100 V	50A				-		PNP	-	-	-
APTM50AM35FTG	186.1014	Richiesta di offerta	7642	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4	APTM50	MOSFET (ossido di metallo)	781W	SP4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (mezzo ponte)		500 V	99A		39 mOhm a 49,5 A, 10 V	5 V a 5 mA	280nC a 10V		14.000 pF a 25 V	-
2N3629	509.6550	Richiesta di offerta	6682	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-	Montaggio a perno	TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Perno			30 W	TO-61	-			REACH Inalterato	150-2N3629	EAR99	8541.29.0095	1													40 V	5A				-		PNP	-	-	-
JANKCAP2N3634	-	Richiesta di offerta	7703	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/357	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			1 W	TO-39 (TO-205AD)	-			REACH Inalterato	150-JANKCAP2N3634			100													140 V	1A				10μA		PNP	600 mV a 5 mA, 50 mA	50 a 50 mA, 10 V	-
2N6546T1	349.2000	Richiesta di offerta	4788	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			175 W	TO-204AD (TO-3)	-			REACH Inalterato	150-2N6546T1	EAR99	8541.29.0095	1													300 V	15A				-		NPN	5 V a 3 A, 15 A	12 a 5 A, 2 V	-
JANKCBD2N2222A	-	Richiesta di offerta	2676	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo			500 mW	TO-18 (TO-206AA)	-			REACH Inalterato	150-JANKCBD2N2222A			100													50 V	800 mA				50nA		NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
APT43M60L	12.5600	Richiesta di offerta	20	Tecnologia del microchip	POWERMOS8™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-264-3, TO-264AA	APT43M60	MOSFET (ossido di metallo)		TO-264 [L]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN	600 V	45A (Tc)	10 V	150 mOhm a 21 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	215 nC a 10 V	±30 V	8590 pF a 25 V	-	780 W(Tc)
MSR2N3810U	-	Richiesta di offerta	4251	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-SMD, senza piombo	2N3810		350 mW	U	-			REACH Inalterato	150-MSR2N3810U			100													60 V	50mA				10 µA (ICBO)		2 PNP (doppio)	250 mV a 100 µA, 1 mA	150 a 1 mA, 5 V	-
2N3585	27.0788	Richiesta di offerta	7665	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-213AA, TO-66-2	2N3585		2,5 W	TO-66 (TO-213AA)	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	2N3585MS	EAR99	8541.29.0095	1													300 V	2A				5mA		NPN	750 mV a 125 mA, 1 A	40 a 100 mA, 10 V	-
JANSD2N3634L	-	Richiesta di offerta	8520	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/357	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo			1 W	TO-5	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50													140 V	10 µA				10μA		PNP	600 mV a 5 mA, 50 mA	50 a 50 mA, 10 V	-
JANSR2N2907AUB/TR	59.7504	Richiesta di offerta	8029	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/291	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo	2N2907		500 mW	UB	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANSR2N2907AUB/TR	EAR99	8541.21.0095	1													60 V	600 mA				50nA		PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 1 mA, 10 V	-
APT50M65JLL	44.1500	Richiesta di offerta	5375	Tecnologia del microchip	POWERMOS7®	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC	APT50M65	MOSFET (ossido di metallo)		ISOTOP®	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN	500 V	58A (Tc)	10 V	65 mOhm a 29 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	141 nC a 10 V	±30 V	7010 pF a 25 V	-	520 W(Tc)
JANSP2N5151U3	229.9812	Richiesta di offerta	2005	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo			1,16 W	U3	-			REACH Inalterato	150-JANSP2N5151U3			1													80 V	2A				50μA		PNP	1,5 V a 500 mA, 5 A	30 a 2,5 A, 5 V	-
2C5667	22.3050	Richiesta di offerta	6816	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo								-			REACH Inalterato	150-2C5667			1
2N5237	23.9134	Richiesta di offerta	5425	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo	2N5237		1 W	TO-5AA	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1													120 V	10A				10μA		NPN	2,5 V a 1 A, 10 A	50 a 1 A, 5 V	-
JANSD2N2369AUA/TR	166.8512	Richiesta di offerta	2498	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/317	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo	2N2369A		360 mW	UA	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANSD2N2369AUA/TR	EAR99	8541.21.0095	1													15 V					400nA		NPN	450mV a 10mA, 100mA	20 a 100 mA, 1 V	-
APT5017BVRG	12.3300	Richiesta di offerta	50	Tecnologia del microchip	POWER MOS V®	Tubo	Attivo		Foro passante	TO-247-3	APT5017	MOSFET (ossido di metallo)		TO-247 [B]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN	500 V	30A (Tc)		170 mOhm a 500 mA, 10 V	4 V a 1 mA	300 nC a 10 V		5280 pF a 25 V	-
JANTX2N5303	164.2949	Richiesta di offerta	4240	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/456	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-204AA, TO-3	2N5303		5 W	TO-3 (TO-204AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1													80 V	20A				10μA		NPN	2 V a 4 A, 20 A	15 a 10 A, 2 V	-
JANKCBM2N3700	-	Richiesta di offerta	1716	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/391	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo			500 mW	TO-18 (TO-206AA)	-			REACH Inalterato	150-JANKCBM2N3700			100													80 V	1A				10nA		NPN	500mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 10 V	-
2N1715S	20.3850	Richiesta di offerta	4044	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo				TO-39 (TO-205AD)	-			REACH Inalterato	150-2N1715S	EAR99	8541.29.0095	1													100 V	750 mA				-		NPN	-	-	-
JANTX2N5672	182.1967	Richiesta di offerta	2126	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/488	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3	2N5672		6 W	TO-3	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1													120 V	30A				10mA		NPN	5 V a 6 A, 30 A	20 a 20 A, 5 V	-
MSCSM120TAM11CTPAG	1.0000	Richiesta di offerta	3	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	MSCSM120	Carburo di silicio (SiC)	1.042 kW(Tc)	SP6-P	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-MSCSM120TAM11CTPAG	EAR99	8541.29.0095	1	6 canali N (ponte trifase)		1200 V (1,2 kV)	251A(Tc)		10,4 mOhm a 120 A, 20 V	2,8 V a 3 mA	696nC @ 20V		9060 pF a 1000 V	-
2C5337-MSCL	9.6300	Richiesta di offerta	2410	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo								-			REACH Inalterato	150-2C5337-MSCL			1
2N5794UC/TR	83.0850	Richiesta di offerta	2827	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-SMD, senza piombo	2N5794		600 mW	UC	-			REACH Inalterato	150-2N5794UC/TR	EAR99	8541.21.0095	100													40 V	600mA				10 µA (ICBO)		2 NPN (doppio)	900 mV a 30 mA, 300 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
2N3725L	15.6541	Richiesta di offerta	7059	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo		-	-	2N3725			-	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1
MSR2N3501UB/TR	103.9200	Richiesta di offerta	3008	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo								-							100
2C2484	6.1978	Richiesta di offerta	4324	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo								-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-2C2484			1
2N3767	27.2783	Richiesta di offerta	1841	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-213AA, TO-66-2			25 W	TO-66 (TO-213AA)	-			REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1													80 V	500 µA				500 µA		NPN	2,5 V a 100 mA, 1 A	40 a 500 mA, 5 V	-