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Transistor(5714)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
2N5876	41.7354	Richiesta di offerta	7243	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo					2N5876					-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1
2N3622	547.4100	Richiesta di offerta	7452	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-	Montaggio a perno	TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Perno				30 W	TO-61	-			REACH Inalterato	150-2N3622	EAR99	8541.29.0095	1																	40 V	5A		-	PNP	-	-	-
JANTXV2N3584	240.2418	Richiesta di offerta	1147	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/384	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-213AA, TO-66-2				2,5 W	TO-66 (TO-213AA)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																	250 V	5 mA		5mA	NPN	750 mV a 125 mA, 1 A	25 a 1 A, 10 V	-
2N912	30.5700	Richiesta di offerta	5710	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo				800 mW	TO-18 (TO-206AA)	-			REACH Inalterato	150-2N912	EAR99	8541.21.0095	1																	60 V			-	NPN	1 V a 5 mA, 50 mA	-	40 MHz
2N5611	43.0350	Richiesta di offerta	4237	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-	Foro passante	TO-213AA, TO-66-2				25 W	TO-66 (TO-213AA)	-			REACH Inalterato	150-2N5611	EAR99	8541.29.0095	1																	100 V	5A		-	PNP	-	-	-
APT6038BFLLG	10.5300	Richiesta di offerta	6337	Tecnologia del microchip	POWERMOS7®	Tubo	Attivo			Foro passante	TO-247-3	APT6038		MOSFET (ossido di metallo)		TO-247 [B]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN					600 V	17A(Tc)		380 mOhm a 8,5 A, 10 V	5 V a 1 mA	43 nC a 10 V		1850 pF a 25 V	-
JANSM2N2369AUB/TR	149.5210	Richiesta di offerta	9573	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/317	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 200°C	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo	2N2369A			360 mW	UB	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANSM2N2369AUB/TR	EAR99	8541.21.0095	1																	20 V			400nA	NPN	450mV a 10mA, 100mA	20 a 100 mA, 1 V	-
JANSR2N2904A	99.0906	Richiesta di offerta	3384	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/290	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo				600 mW	TO-39 (TO-205AD)	-			REACH Inalterato	150-JANSR2N2904A			1																	60 V	600 mA		1μA	PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
1011GN-2200VP	-	Richiesta di offerta	8858	Tecnologia del microchip	vicepresidente	Massa	Attivo	150 V			Modulo		1,03GHz~1,09GHz	HEMT		-	scaricamento			REACH Inalterato	150-1011GN-2200VP	EAR99	8541.29.0095	1		-	300 mA	2200 W	19,4dB											-			50 V
TN2640N3-G	1.9200	Richiesta di offerta	366	Tecnologia del microchip	-	Borsa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TN2640		MOSFET (ossido di metallo)		TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1.000	CanaleN					400 V	220mA(Tj)	4,5 V, 10 V	5 Ohm a 500 mA, 10 V	2 V a 2 mA		±20 V	225 pF a 25 V	-	740 mW (Ta)
MSC060SMA070B	9.6400	Richiesta di offerta	8354	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	MSC060		SiCFET (carburo di silicio)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	90	CanaleN					700 V	39A(Tc)	20 V	75 mOhm a 20 A, 20 V	2,4 V a 1 mA	56 nC a 20 V	+23 V, -10 V	1175 pF a 700 V	-	143 W(Tc)
JANTX2N5667	29.5792	Richiesta di offerta	1279	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/455	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo	2N5667			1,2 W	TO-5	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																	300 V	5A		200nA	NPN	1 V a 1 A, 5 A	25 a 1 A, 5 V	-
JAN2N5415S	9.8154	Richiesta di offerta	7015	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/485	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N5415			750 mW	TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1																	200 V	1A		1mA	PNP	2 V a 5 mA, 50 mA	30 a 50 mA, 10 V	-
JANSF2N2369AUBC	305.8602	Richiesta di offerta	8516	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/317	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo	2N2369A			360 mW	3-SMD	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1																	15 V	400 nA		400nA	NPN	450mV a 10mA, 100mA	20 a 100 mA, 1 V	-
APT41M80L	14.2700	Richiesta di offerta	9074	Tecnologia del microchip	POWERMOS8™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-264-3, TO-264AA	APT41M80		MOSFET (ossido di metallo)		TO-264 [L]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN					800 V	43A(Tc)	10 V	210 mOhm a 20 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	260 nC a 10 V	±30 V	8070 pF a 25 V	-	1040 W(Tc)
APT12057JFLL	69.8600	Richiesta di offerta	7223	Tecnologia del microchip	POWERMOS7®	Tubo	Attivo			Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC	APT12057		MOSFET (ossido di metallo)		ISOTOP®	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN					1200 V	19A(Tc)		570 mOhm a 9,5 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	185 nC a 10 V		5155 pF a 25 V	-
JANTXV2N1714S	-	Richiesta di offerta	4232	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		175°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo					TO-39 (TO-205AD)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato			0000.00.0000	1																	60 V	750 mA		-	NPN	-	-	-
JANTXV2N6678	177.2092	Richiesta di offerta	9132	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/538	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3				6 W	TO-3	-			REACH Inalterato	JANTXV2N6678MS	EAR99	8541.29.0095	1																	400 V	15A		1mA (ICBO)	NPN	1 V a 3 A, 15 A	15 a 1 A, 3 V	-
JANHCB2N3439	14.9359	Richiesta di offerta	2209	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/368	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo				800 mW	TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANHCB2N3439	EAR99	8541.21.0095	1																	350 V	1A		2μA	NPN	500 mV a 4 mA, 50 mA	40 a 20 mA, 10 V	-
JAN2N2945A	192.2900	Richiesta di offerta	8910	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/382	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AB, TO-46-3 Contenitore in metallo	2N2945			400 mW	TO-46	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1																	20 V	100 mA		10 µA (ICBO)	PNP	-	70 a 1 mA, 500 mV	-
JAN2N5745	36.8302	Richiesta di offerta	4491	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/433	Massa	Attivo		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3				5 W	TO-3	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																	80 V	100 µA		100μA	PNP	1 V a 1 A, 10 A	15 a 10 A, 2 V	-
APL602L-1	-	Richiesta di offerta	3025	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-264-3, TO-264AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-264 [L]	-			REACH Inalterato	150-APL602L-1	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN					600 V	49A(Tc)	12V	125 mOhm a 24,5 A, 12 V	4 V a 2,5 mA		±30 V	9000 pF a 25 V	-	730 W(Tc)
JANTXV2N5238S	22.8893	Richiesta di offerta	2543	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/394	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N5238			1 W	TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																	170 V	10A		10 µA	NPN	2,5 V a 1 A, 10 A	40 a 5 A, 5 V	-
NSC1162	-	Richiesta di offerta	5135	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo										-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-NSC1162			1
2N3501L	22.0381	Richiesta di offerta	9697	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo	2N3501			1 W	TO-5	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																	150 V	300 mA		10 µA (ICBO)	NPN	400mV a 15mA, 150mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JAN2N3501U4	-	Richiesta di offerta	2158	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/366	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				1 W	U4	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																	150 V	300 mA		50nA (ICBO)	NPN	400mV a 15mA, 150mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JANTX2N6989U/TR	78.7002	Richiesta di offerta	8718	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/559	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	20-CLCC	2N6989			1 W	20-CLCC	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTX2N6989U/TR	EAR99	8541.29.0095	1																	50 V	800 mA		10 µA (ICBO)	4 NPN (quadruplo)	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JANSF2N5154U3/TR	245.2712	Richiesta di offerta	8534	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/544	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				1 W	U3 (SMD-0.5)	-			REACH Inalterato	150-JANSF2N5154U3/TR	EAR99	8541.29.0095	1																	80 V	2A		50 µA	NPN	1,5 V a 500 mA, 5 A	70 a 2,5 A, 5 V	-
JANTX2N3421S	-	Richiesta di offerta	7533	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/393	Massa	Interrotto alla SIC		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N3421			1 W	TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																	80 V	3A		5μA	NPN	500 mV a 200 mA, 2 A	40 a 1 A, 2 V	-
MSC100SM70JCU2	58.4100	Richiesta di offerta	4207	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC	MSC100SM70JCU2		SiCFET (carburo di silicio)		SOT-227 (ISOTOP®)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-MSC100SM70JCU2	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN					700 V	124A(Tc)	20 V	19 mOhm a 40 A, 20 V	2,4 V a 4 mA	215 nC a 20 V	+25 V, -10 V	4500 pF a 700 V	-	365 W(Tc)