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Transistor(5714)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Resistenza - RDS(On)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
MX2N4092	69.2531	Richiesta di offerta	6441	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/431	Massa	Attivo	-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo			360 mW		TO-18 (TO-206AA)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1		CanaleN	40 V							16 pF a 20 V							40 V	15 mA a 20 V				50 Ohm
JANTXV2N5154L	-	Richiesta di offerta	7437	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/544	Massa	Interrotto alla SIC	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo			1 W		TO-5	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														80 V	2A				50 µA				NPN	1,5 V a 500 mA, 5 A	70 a 2,5 A, 5 V	-
2N3739	39.5010	Richiesta di offerta	2340	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-213AA, TO-66-2			20 W		TO-66 (TO-213AA)	-			REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														300 V	1A				100μA (ICBO)				NPN	2,5 V a 25 mA, 250 mA	25 a 250 mA, 10 V	-
JANTXV2N2812	-	Richiesta di offerta	8663	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	200°C (TJ)	Montaggio a perno	TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Perno					TO-61	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato			0000.00.0000	1														60 V	10A				-				NPN	-	-	-
JANTX2N3499	7.2352	Richiesta di offerta	6007	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/366	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N3499		1 W		TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														100 V	500 mA				10 µA (ICBO)				NPN	600mV a 30mA, 300mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JAN2N5660	-	Richiesta di offerta	7619	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/454	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-213AA, TO-66-2	2N5660		2 W		TO-66 (TO-213AA)	-			REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														200 V	2A				200nA				NPN	800 mV a 400 mA, 2 A	40 a 500 mA, 5 V	-
2N5346	287.8650	Richiesta di offerta	7094	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-	Montaggio a perno	TO-210AA, TO-59-4, Prigioniero			60 W		TO-59	-			REACH Inalterato	150-2N5346	EAR99	8541.29.0095	1														80 V	7A				-				PNP	-	-	-
2N6192	15.5610	Richiesta di offerta	9403	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo				2N6192					-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1
JANSM2N3439	270.2400	Richiesta di offerta	7663	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/368	Massa	Attivo	-55°C~200°C	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			800 mW		TO-39 (TO-205AD)	-			REACH Inalterato	150-JANSM2N3439			1														350 V	1A				2μA				NPN	500 mV a 4 mA, 50 mA	40 a 20 mA, 10 V	-
JAN2N4405	193.6480	Richiesta di offerta	9865	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo					TO-39 (TO-205AD)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato			0000.00.0000	1														80 V	500 mA				-				PNP	-	-	-
2N4902	50.9250	Richiesta di offerta	1284	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-204AA, TO-3			87,5 W		TO-204AD (TO-3)	-			REACH Inalterato	150-2N4902	EAR99	8541.29.0095	1														60 V	5A				-				PNP	-	-	-
2N759A	30.5700	Richiesta di offerta	5001	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo			500 mW		TO-18 (TO-206AA)	-			REACH Inalterato	150-2N759A	EAR99	8541.21.0095	1														60 V	100 mA				-				NPN	-	-	-
TN0620N3-G	1.6300	Richiesta di offerta	7299	Tecnologia del microchip	-	Borsa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TN0620	MOSFET (ossido di metallo)			TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN	200 V	250mA(Tj)	5 V, 10 V	6 Ohm a 500 mA, 10 V	1,6 V a 1 mA		±20 V	150 pF a 25 V	-	1W (Tc)
TN0604N3-G-P013	1.1400	Richiesta di offerta	5103	Tecnologia del microchip	-	Nastro e scatola (TB)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TN0604	MOSFET (ossido di metallo)			TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.000		CanaleN	40 V	700mA(Tj)	5 V, 10 V	750 mOhm a 1,5 A, 10 V	1,6 V a 1 mA		±20 V	190 pF a 20 V	-	740 mW (Ta)
TP2510N8-G	1.5400	Richiesta di offerta	15	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	TP2510	MOSFET (ossido di metallo)			TO-243AA (SOT-89)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000		Canale P	100 V	480mA(Tj)	10 V	3,5 Ohm a 750 mA, 10 V	2,4 V a 1 mA		±20 V	125 pF a 25 V	-	1,6 W(Ta)
2N5084	287.8650	Richiesta di offerta	6625	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio a perno	TO-210AA, TO-59-4, Prigioniero			20 W		TO-59	-			REACH Inalterato	150-2N5084	EAR99	8541.29.0095	1														60 V	10A				-				PNP	-	-	-
JAN2N5794A	105.1208	Richiesta di offerta	7946	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/495	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-78-6 Lattina di metallo	2N5794		600 mW		TO-78-6	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1														40 V	600mA				10 µA (ICBO)				2 NPN (doppio)	900 mV a 30 mA, 300 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
2N5660	33.1702	Richiesta di offerta	6879	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-213AA, TO-66-2	2N5660		2 W		TO-66 (TO-213AA)	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														200 V	2A				200nA				NPN	800 mV a 400 mA, 2 A	40 a 500 mA, 5 V	-
APTGLQ150A120TG	151.5300	Richiesta di offerta	1489	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	APTGLQ150		750 W	Standard	SP4	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte												Sosta sul campo di trincea	1200 V	250 A	2,4 V a 15 V, 150 A			100 µA	SÌ	8,8 nF a 25 V
APT24M80S	11.7000	Richiesta di offerta	4924	Tecnologia del microchip	POWERMOS8™	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	APT24M80	MOSFET (ossido di metallo)			D3Pak	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN	800 V	25A (Tc)	10 V	390 mOhm a 12 A, 10 V	5 V a 1 mA	150 nC a 10 V	±30 V	4595 pF a 25 V	-	625 W(Tc)
JANTXV2N2222AP	15.7738	Richiesta di offerta	9255	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo			500 mW		TO-18 (TO-206AA)	-			REACH Inalterato	150-JANTXV2N2222AP			1														50 V	800 mA				50nA				NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
2N6542	56.0700	Richiesta di offerta	9853	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-204AA, TO-3			100 W		TO-204AD (TO-3)	-			REACH Inalterato	150-2N6542	EAR99	8541.29.0095	1														300 V	5A				-				PNP	-	-	-
2N5794AU	71.0700	Richiesta di offerta	9803	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-SMD, senza piombo	2N5794		600 mW		U	-			REACH Inalterato	150-2N5794AU	EAR99	8541.21.0095	1														40 V	600mA				10 µA (ICBO)				2 NPN (doppio)	900 mV a 30 mA, 300 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
TC8220K6-G	2.5800	Richiesta di offerta	7479	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	12-VFDFN Tampone esposto	TC8220	MOSFET (ossido di metallo)	-		12-DFN (4x4)	scaricamento	Conformità ROHS3	2 (1 anno)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.300	2 canali N e 2 canali P		200 V	-		6 Ohm a 1 A, 10 V	2,4 V a 1 mA	-		56 pF a 25 V	-
JANTXV2N3634	13.6990	Richiesta di offerta	3603	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/357	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N3634		1 W		TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														140 V	1A				10 µA				PNP	600 mV a 5 mA, 50 mA	50 a 50 mA, 10 V	-
JAN2N1717S	-	Richiesta di offerta	2960	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	175°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo					TO-39 (TO-205AD)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato			0000.00.0000	1														100 V	750 mA				-				NPN	-	-	-
JANSM2N3634UB	-	Richiesta di offerta	5723	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/357	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo			1 W		UB	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50														140 V	10 µA				10 µA				PNP	600 mV a 5 mA, 50 mA	50 a 50 mA, 10 V	-
2N2992	27.6600	Richiesta di offerta	3883	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo			5 W		TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-2N2992	EAR99	8541.29.0095	1														100 V	1A				-				PNP	-	-	-
2N1613L	19.3382	Richiesta di offerta	7456	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N1613		800 mW		TO-39	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1														30 V	500 mA				10 µA (ICBO)				NPN	1,5 V a 15 mA, 150 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
JANTXV2N3501U4/TR	-	Richiesta di offerta	1806	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo			1 W		U4	-			REACH Inalterato	150-JANTXV2N3501U4/TR			50														150 V	300 mA				50nA (ICBO)				NPN	400mV a 15mA, 150mA	100 a 150 mA, 10 V	-