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Transistor(3592)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
SCT4045DW7TL	12.2500	Richiesta di offerta	996	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA			SiCFET (carburo di silicio)		TO-263-7L	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		750 V	31A(Tj)	18 V	59 mOhm a 17 A, 18 V	4,8 V a 8,89 mA	63 nC a 18 V	+21V, -4V	1460 pF a 500 V	-	93 W
RGW40TS65DGC11	5.4500	Richiesta di offerta	445	Semiconduttore Rohm	-	Tubo	Design non per nuovi	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3		Standard		136 W	TO-247N	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30			400 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V												Sosta sul campo di trincea	650 V	40A	80A	1,9 V a 15 V, 20 A	330μJ (acceso), 300μJ (spento)	59 nC	33ns/76ns
RGWS80TS65GC13	5.6000	Richiesta di offerta	9493	Semiconduttore Rohm	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	RGWS80	Standard		202 W	TO-247G	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	846-RGWS80TS65GC13	EAR99	8541.29.0095	30			400 V, 40 A, 10 Ohm, 15 V												Sosta sul campo di trincea	650 V	71A	120A	2 V a 15 V, 40 A	700μJ (acceso), 660μJ (spento)	83 nC	40ns/114ns
RS1G201ATTB1	2.8600	Richiesta di offerta	4	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	RS1G		MOSFET (ossido di metallo)		8-HSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P		40 V	20A (Ta), 78A (Tc)		5,2 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	130 nC a 10 V	±20 V	6890 pF a 20 V	-	3 W (Ta), 40 W (Tc)
RCX330N25	3,5500	Richiesta di offerta	474	Semiconduttore Rohm	-	Massa	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	RCX330		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FM	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN		250 V	33A (Ta)	10 V	-	-		±30 V		-	2,23 W (Ta), 40 W (Tc)
DTC114EU3T106	0,2000	Richiesta di offerta	28	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	DTC114			200 mW	UMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																	100 mA						-	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 5 mA, 5 V	250 MHz	10 kOhm	10 kOhm
BC857BU3T106	0,3500	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC857			200 mW	UMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																45 V	100 mA						15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	210 a 2 mA, 5 V	250 MHz
2SD1918TLQ	1.0200	Richiesta di offerta	7	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	2SD1918			10 W	CPT3	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	2.500																160 V	1,5 A						1μA (ICBO)	NPN	2 V a 100 mA, 1 A	120 a 100 mA, 5 V	80 MHz
HS8MA2TCR1	1.0600	Richiesta di offerta	750	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerWDFN	HS8MA2		MOSFET (ossido di metallo)	2 W (Ta)	DFN3333-9DC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	Canali N e P			30 V	5A (Ta), 7A (Ta)		80 mOhm a 5,5 A, 10 V, 35 mOhm a 7 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	7,8 nC a 10 V, 8,4 nC a 10 V		320 pF a 10 V, 365 pF a 10 V	-
RGW80TS65EHRC11	8.0200	Richiesta di offerta	8016	Semiconduttore Rohm	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	RGW80	Standard		214 W	TO-247N	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	846-RGW80TS65EHRC11	EAR99	8541.29.0095	450			400 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V											86 ns	Sosta sul campo di trincea	650 V	80A	160A	1,9 V a 15 V, 40 A		110 nC	43ns/148ns
UMF21NTR	0,1172	Richiesta di offerta	4972	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMF21			150 mW	UMT6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																50 V, 12 V	100 mA, 500 mA						500nA	1 NPN prepolarizzato, 1 PNP	300 mV a 500 µA, 10 mA / 250 mV a 10 mA, 200 mA	30 a 5 mA, 5 V / 270 a 10 mA, 2 V	250 MHz, 260 MHz	10kOhm	10kOhm
2SD2144STPW	-	Richiesta di offerta	4535	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	SC-72 Formati lead	2SD2144			300 mW	SPT	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	2.000																20 V	500 mA						500nA (ICBO)	NPN	400mV a 20mA, 500mA	1200 a 10 mA, 3 V	350 MHz
RGPR20NS43HRTL	1.8900	Richiesta di offerta	84	Semiconduttore Rohm	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	RGPR20	Standard		107 W	LPDS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			300 V, 8 A, 100 Ohm, 5 V												-	460 V	20A		2,0 V a 5 V, 10 A	-	14 nC	500ns/4μs
RAQ045P01MGTCR	0,1693	Richiesta di offerta	7544	Semiconduttore Rohm	*	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi				RAQ045					-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000
DTA144VCAT116	0,3500	Richiesta di offerta	950	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DTA144			200 mW	SST3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																50 V	100 mA						500nA	PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	33 a 5 mA, 5 V	250 MHz	47 kOhm	10 kOhm
RRS100P03TB1	-	Richiesta di offerta	7588	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P		30 V	10A (Ta)		-	-				-	-
UMX1NTN	0,4100	Richiesta di offerta	22	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMX1			150 mW	UMT6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																50 V	150mA						100nA (ICBO)	2 NPN (doppio)	400 mV a 5 mA, 50 mA	120 a 1 mA, 6 V	180 MHz
RQ3E150MNTB1	0,5924	Richiesta di offerta	9123	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	RQ3E150		MOSFET (ossido di metallo)		8-HSMT (3,2x3)	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN		30 V	15A (Ta)	4,5 V, 10 V	6,7 mOhm a 15 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	20 nC a 10 V	±20 V	1.100 pF a 15 V	-	2 W (Ta)
RRR030P03HZGTL	0,6300	Richiesta di offerta	15	Semiconduttore Rohm	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-96	RRR030		MOSFET (ossido di metallo)		TSMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canale P		30 V	3A (Ta)	4 V, 10 V	75 mOhm a 3 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	5,2 nC a 5 V	±20 V	480 pF a 10 V	-	700mW (Ta)
R6507KNJTL	3.1400	Richiesta di offerta	80	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	R6507		MOSFET (ossido di metallo)		LPTS	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		650 V	7A(Tc)	10 V	665 mOhm a 2,4 A, 10 V	5 V a 200 µA	14,5 nC a 10 V	±20 V	470 pF a 25 V	-	78 W (Tc)
DTC024EMT2L	0,2400	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-723	DTC024			150 mW	VMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	8.000																50 V	30 mA						-	NPN - Prepolarizzato	150 mV a 500 µA, 5 mA	60 a 5 mA, 10 V	250 MHz	22 kOhm	22 kOhm
2SK2740	-	Richiesta di offerta	7821	Semiconduttore Rohm	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	2SK27		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FN	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN		600 V	7A (Ta)	10 V	1,2 Ohm a 4 A, 10 V	4 V a 1 mA		±30 V	1050 pF a 10 V	-	30 W (Tc)
2SD1898T100R	0,5100	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	2SD1898			2 W	MPT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000																80 V	1A						1μA (ICBO)	NPN	400mV a 20mA, 500mA	180 a 500 mA, 3 V	100 MHz
2SD1766T100Q	0,2559	Richiesta di offerta	4016	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	2SD1766			2 W	MPT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000																32 V	2A						1μA (ICBO)	NPN	800 mV a 200 mA, 2 A	120 a 500 mA, 3 V	100 MHz
RS6G120BGTB1	3.5000	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	RS6G		MOSFET (ossido di metallo)		8-HSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	846-RS6G120BGTB1DKR	EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN		40 V	120A (Ta)	4,5 V, 10 V	1,34 mOhm a 90 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	67 nC a 10 V	±20 V	4240 pF a 20 V	-	104 W (Ta)
SP8M9FU6TB	-	Richiesta di offerta	7434	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	SP8M9		MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	Canali N e P			30 V	9A, 5A		18 mOhm a 9 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	21nC a 5 V		1190 pF a 10 V	Porta a livello logico
R6524KNXC7G	5.5800	Richiesta di offerta	990	Semiconduttore Rohm	-	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	R6524		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FM	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	846-R6524KNXC7G	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN		650 V	24A (Ta)	10 V	185 mOhm a 11,3 A, 10 V	5 V a 750 µA	45 nC a 10 V	±20 V	1850 pF a 25 V	-	74 W (Tc)
DTC144TKAT146	-	Richiesta di offerta	8887	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DTC144			200 mW	SMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																50 V	100 mA						500nA (ICBO)	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 500 µA, 5 mA	100 a 1 mA, 5 V	250 MHz	47 kOhm
RGW60TS65HRC11	6.3700	Richiesta di offerta	4916	Semiconduttore Rohm	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	RGW60	Standard		178 W	TO-247N	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	846-RGW60TS65HRC11	EAR99	8541.29.0095	450			400 V, 15 A, 10 Ohm, 15 V												Sosta sul campo di trincea	650 V	64A	120A	1,9 V a 15 V, 30 A		84 nC	36ns/107ns
DTC143ZKAT146	0,2600	Richiesta di offerta	106	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DTC143			200 mW	SMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																50 V	100 mA						500nA	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	250 MHz	4,7 kOhm	47 kOhm