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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
BCX41TA Diodes Incorporated BCX41TA 0,4000
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ECAD 2 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX41 330 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 125 V 800 mA 100 nA NPN 900 mV a 30 mA, 300 mA 25 a 100 µA, 1 V 100 MHz
DMN2400UFD-7 Diodes Incorporated DMN2400UFD-7 0,4000
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ECAD 9 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 3-UDFN DMN2400 MOSFET (ossido di metallo) X1-DFN1212-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 20 V 900mA (Ta) 1,5 V, 4,5 V 600 mOhm a 200 mA, 4,5 V 1 V a 250 µA 500 nC a 4,5 V ±12V 37 pF a 16 V - 400 mW (Ta)
ZDT694TC Diodes Incorporated ZDT694TC -
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ECAD 2743 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-223-8 ZDT694 2,75 W SM8 scaricamento 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0075 4.000 120 V 500mA 100nA (ICBO) 2 NPN (doppio) 500mV a 5mA, 400mA 400 a 200 mA, 2 V 130 MHz
DMN65D8LW-7 Diodes Incorporated DMN65D8LW-7 0,4800
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ECAD 44 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 DMN65 MOSFET (ossido di metallo) SOT-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 60 V 300mA (Ta) 5 V, 10 V 3 Ohm a 115 mA, 10 V 2 V a 250 µA 0,87 nC a 10 V ±20 V 22 pF a 25 V - 300 mW (Ta)
DMP2016UFDF-7 Diodes Incorporated DMP2016UFDF-7 0,1815
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ECAD 9079 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Piazzola esposta 6-UDFN DMP2016 MOSFET (ossido di metallo) U-DFN2020-6 (Tipo F) scaricamento REACH Inalterato 31-DMP2016UFDF-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 20 V 9,5A(Ta) 1,5 V, 4,5 V 15 mOhm a 7 A, 4,5 V 1,1 V a 250 µA 30 nC a 8 V ±8 V 1710 pF a 10 V - 900 mW (Ta)
FZT600BQTA Diodes Incorporated FZT600BQTA 0,3627
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ECAD 7746 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA 1,2 W SOT-223 scaricamento REACH Inalterato 31-FZT600BQTATR EAR99 8541.29.0075 1.000 140 V 2A 10 µA NPN-Darlington 1,2 V a 10 mA, 1 A 10000 a 500 mA, 10 V 250 MHz
BSS138Q-7-F Diodes Incorporated BSS138Q-7-F 0,2900
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ECAD 21 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 50 V 200mA (Ta) 10 V 3,5 Ohm a 220 mA, 10 V 1,5 V a 250 µA ±20 V 50 pF a 10 V - 300 mW (Ta)
FZT705QTA Diodes Incorporated FZT705QTA 0,3600
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ECAD 3580 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FZT705 200 mW SST3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato 31-FZT705QTATR EAR99 8541.21.0075 1.000 120 V 50 mA 500nA (ICBO) PNP 500 mV a 1 mA, 10 mA 180 a 2 mA, 6 V 140 MHz
DDTA113ZCA-7-F Diodes Incorporated DDTA113ZCA-7-F 0,0386
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ECAD 2785 0.00000000 Diodi incorporati DDTA (SERIE R1≠R2) CA Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA113 200 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 33 a 10 mA, 5 V 250 MHz 1 kOhm 10 kOhm
DMNH45M7SCT Diodes Incorporated DMNH45M7SCT 1.5352
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ECAD 8287 0.00000000 Diodi incorporati - Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 DMNH45 MOSFET (ossido di metallo) TO-220-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 40 V 220A (Tc) 10 V 6 mOhm a 20 A, 10 V 3 V a 250 µA 64,7 nC a 10 V ±20 V 4043 pF a 20 V - 240 W(Tc)
BCV46QTA Diodes Incorporated BCV46QTA 0,0981
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ECAD 9822 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCV46 310 mW SOT-23-3 scaricamento REACH Inalterato 31-BCV46QTATR EAR99 8541.21.0075 3.000 60 V 500 mA 100nA (ICBO) PNP-Darlington 1 V a 100 µA, 100 mA 10000 a 100 mA, 5 V 200 MHz
MMDT4146-7-F Diodes Incorporated MMDT4146-7-F -
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ECAD 3300 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT4146 200 mW SOT-363 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 25 V 200mA 50nA (ICBO) PNP, PNP 300 mV a 5 mA, 50 mA / 400 mV a 5 mA, 50 mA 120 a 2 mA, 1 V 300 MHz, 250 MHz
DMC2025UFDB-7 Diodes Incorporated DMC2025UFDB-7 0,4400
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ECAD 2 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale Piazzola esposta 6-UDFN DMC2025 MOSFET (ossido di metallo) 700mW (Ta) U-DFN2020-6 (Tipo B) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 Canali N e P complementari 20 V 6A(Ta), 3,5A(Ta) 25 mOhm a 4 A, 4,5 V, 75 mOhm a 2,9 A, 4,5 V 1 V a 250 µA, 1,4 V a 250 µA 12,3 nC a 10 V, 15 nC a 8 V 486pF a 10 V, 642pF a 10 V -
FMMT614QTC Diodes Incorporated FMMT614QTC 0,2087
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ECAD 7876 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 500 mW SOT-23-3 scaricamento REACH Inalterato 31-FMMT614QTCTR EAR99 8541.21.0095 10.000 100 V 500 mA 10 µA NPN-Darlington 1 V a 5 mA, 500 mA 15000 a 100 mA, 5 V -
DZT851-13 Diodes Incorporated DZT851-13 -
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ECAD 6294 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA DZT851 1 W SOT-223-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 2.500 60 V 6A 50nA (ICBO) NPN 375 mV a 300 mA, 6 A 100 a 2 A, 1 V 130 MHz
DMN5L06VK-13 Diodes Incorporated DMN5L06VK-13 -
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ECAD 7829 0.00000000 Diodi incorporati - Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 DMN5L06 MOSFET (ossido di metallo) 250 mW SOT-563 scaricamento 31-DMN5L06VK-13 EAR99 8541.21.0095 1 2 canali N (doppio) 50 V 280mA (Ta) 2 Ohm a 50 mA, 5 V 1,2 V a 250 µA - 50 pF a 25 V -
DDTD114EC-7-F Diodes Incorporated DDTD114EC-7-F 0,3000
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ECAD 48 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTD114 200 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 500 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 2,5 mA, 50 mA 56 a 50 mA, 5 V 200 MHz 10 kOhm 10 kOhm
DI9945T Diodes Incorporated DI9945T -
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ECAD 6612 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro tagliato (CT) Obsoleto Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DI9945 MOSFET (ossido di metallo) 2 W 8-SOP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canali N (doppio) 60 V 3,5 A 100 mOhm a 3,5 A, 10 V - 30nC a 10V 435 pF a 25 V -
ZTX857QSTZ Diodes Incorporated ZTX857QSTZ 0,5862
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ECAD 7082 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e scatola (TB) Attivo -55°C ~ 200°C (TJ) Foro passante E-Line-3, formati lead 1,2 W E-Line (compatibile con TO-92) scaricamento REACH Inalterato 31-ZTX857QSTZTB EAR99 8541.29.0075 4.000 300 V 3A 50nA NPN 250 mV a 600 mA, 3 A 100 a 500 mA, 10 V 80 MHz
DZT956-13 Diodes Incorporated DZT956-13 -
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ECAD 2119 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 31-DZT956-13TR OBSOLETO 3.000
DDTC113ZKA-7-F Diodes Incorporated DDTC113ZKA-7-F -
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ECAD 3355 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC113 200 mW SC-59-3 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA NPN - Prepolarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 33 a 5 mA, 5 V 250 MHz 1 kOhm 10 kOhm
DDTA144VE-7 Diodes Incorporated DDTA144VE-7 0,3500
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ECAD 5 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-523 DDTA144 150 mW SOT-523 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 33 a 10 mA, 5 V 250 MHz 47 kOhm 10 kOhm
2N5551 Diodes Incorporated 2N5551 -
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ECAD 9847 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead 2N5551 625 mW TO-92 - RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.000 160 V 200 mA - NPN 200 mV a 5 mA, 50 mA 80 a 10 mA, 5 V 300 MHz
DMN2310UT-7 Diodes Incorporated DMN2310UT-7 0,0732
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ECAD 3016 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-523 DMN2310 MOSFET (ossido di metallo) SOT-523 scaricamento REACH Inalterato 31-DMN2310UT-7TR EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 20 V 1,2A(Ta) 1,8 V, 4,5 V 240 mOhm a 300 mA, 4,5 V 950 mV a 250 µA 0,7 nC a 4,5 V ±8 V 38 pF a 10 V - 290 mW (Ta)
MMSTA64-7 Diodes Incorporated MMSTA64-7 0,4600
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ECAD 5 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 200 mW SOT-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 500 mA 100nA (ICBO) PNP-Darlington 1,5 V a 100 µA, 100 mA 20000 a 100 mA, 5 V 125 MHz
DDTA143ZCA-7 Diodes Incorporated DDTA143ZCA-7 0,3900
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ECAD 3 0.00000000 Diodi incorporati * Nastro e bobina (TR) Attivo DDTA143 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000
BCX5310TA Diodes Incorporated BCX5310TA 0,4000
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ECAD 6 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA BCX5310 1 W SOT-89-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1.000 80 V 1A 100nA (ICBO) PNP 500mV a 50mA, 500mA 63 a 150 mA, 2 V 150 MHz
FMMT455TC Diodes Incorporated FMMT455TC -
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ECAD 4115 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT455 500 mW SOT-23-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 10.000 140 V 1A 100nA (ICBO) NPN 700mV a 15mA, 150mA 100 a 150 mA, 10 V 100 MHz
DMP3056LDMQ-7 Diodes Incorporated DMP3056LDMQ-7 0,1634
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ECAD 3 0.00000000 Diodi incorporati Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 DMP3056 MOSFET (ossido di metallo) SOT-26 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 31-DMP3056LDMQ-7TR EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 30 V 4,3A(Ta) 4,5 V, 10 V 45 mOhm a 5 A, 10 V 2,1 V a 250 µA 21,1 nC a 10 V ±20 V 948 pF a 25 V - 1,25 W(Ta)
2N7002VC-7 Diodes Incorporated 2N7002VC-7 0,4000
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ECAD 33 0.00000000 Diodi incorporati - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 2N7002 MOSFET (ossido di metallo) 150 mW SOT-563 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 2 canali N (doppio) 60 V 280 mA 7,5 Ohm a 50 mA, 5 V 2,5 V a 250 µA - 50 pF a 25 V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock