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Transistor(2349)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tipo di transistor	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
2SB727K-E	1.0000	Richiesta di offerta	3637	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo								scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito	EAR99	8541.21.0095	1
HFA3134IH96	-	Richiesta di offerta	2521	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	HFA3134		-	6-SOT	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	OBSOLETO	0000.00.0000	3.000		-											9V	26 mA	2 NPN (doppio)	48 a 10 mA, 2 V	8,5GHz	2,4 dB a 1 GHz
HAT2141H-EL-E	-	Richiesta di offerta	2062	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	HAT2141	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN		100 V	15A (Ta)	7 V, 10 V	27,5 mOhm a 7,5 A, 10 V	-	46 nC a 10 V	±20 V	3200 pF a 10 V	-	20 W (Tc)
RJK2009DPM-00#T0	-	Richiesta di offerta	1894	Renesas Electronics America Inc	-	Tubo	Attivo	-	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	RJK2009	MOSFET (ossido di metallo)		TO-3PFM	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		200 V	40A (Ta)	10 V	36 mOhm a 20 A, 10 V	-	72 nC a 10 V	±30 V	2900 pF a 25 V	-	60 W (Tc)
2SK3712-Z-E1-AZ	1.2400	Richiesta di offerta	22	Renesas Electronics America Inc	-	Massa	Attivo		Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (MP-3Z)	scaricamento				EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN		250 V	9A (Tc)		580 mOhm a 4,5 A, 10 V	4,5 V a 1 mA	14 nC a 10 V		450 pF a 10 V	-
RJK6006DPD-00#J2	-	Richiesta di offerta	5802	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	RJK6006	MOSFET (ossido di metallo)		MP-3A	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN		600 V	5A (Ta)	10 V	1,6 Ohm a 2,5 A, 10 V	-	19 nC a 10 V	±30 V	600 pF a 25 V	-	77,6 W(Tc)
HAT2279HWS-E	-	Richiesta di offerta	4488	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669		MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN		80 V	30A (Ta)	4,5 V, 10 V	12 mOhm a 15 A, 10 V	2,3 V a 1 mA	60 nC a 10 V	±20 V	3520 pF a 10 V	-	25 W (Tc)
BB504MDS-TL-E	0,2000	Richiesta di offerta	852	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Obsoleto								scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	3.000
HFA3096B	-	Richiesta di offerta	6471	Renesas Electronics America Inc	-	-	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	HFA3096		150 mW	16-SOIC	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	48		-											12V, 15V	65 mA	3NPN + 2PNP	40 a 10 mA, 2 V / 20 a 10 mA, 2 V	8GHz, 5,5GHz	3,5 dB a 1 GHz