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Transistor(2349)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tipo di transistor	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
2SJ210-T1B-A	-	Richiesta di offerta	1642	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0095	881
UPA1764G(0)-E2-AT	-	Richiesta di offerta	9926	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				UPA1764		-			scaricamento	Conformità ROHS3	Venditore non definito			EAR99	8541.29.0095	3.000													-
RJH1CV6DPK-00#T0	5.7700	Richiesta di offerta	18	Renesas Electronics America Inc	-	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo		Standard		290 W	TO-3P	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	RJH1CV6DPK00T0	EAR99	8541.29.0095	1			600 V, 30 A, 5 Ohm, 15 V												180 n	Trincea	1200 V	60A	2,6 V a 15 V, 30 A	2,3 mJ (acceso), 1,7 mJ (spento)	105 nC	46ns/125ns
H5N2522LSTL-E	-	Richiesta di offerta	1517	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-83	H5N2522		MOSFET (ossido di metallo)		LDPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN			250 V	20A (Ta)	10 V	180 mOhm a 10 A, 10 V	-	47 nC a 10 V	±30 V	1300 pF a 25 V	-	75 W (Tc)
3SK317ZR-TL-E	0,2200	Richiesta di offerta	457	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000
RJK0389DPA-WS#J53	2.6200	Richiesta di offerta	2	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1
2SK3483(0)-Z-E1-AZ	-	Richiesta di offerta	3151	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto									scaricamento	Conformità ROHS3	Venditore non definito			EAR99	8541.29.0095	3.000						28A(Tj)
RJK4013DPE-00#J3	-	Richiesta di offerta	7213	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-83	RJK4013		MOSFET (ossido di metallo)		LDPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN			400 V	17A (Ta)	10 V	300 mOhm a 8,5 A, 10 V	-	38 nC a 10 V	±30 V	1450 pF a 25 V	-	100 W (Tc)
NP110N04PUK-E1-AY	4.8100	Richiesta di offerta	758	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	NP110N04		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN			40 V	110A (Tc)	10 V	1,4 mOhm a 55 A, 10 V	4 V a 250 µA	297 nC a 10 V	±20 V	15750 pF a 25 V	-	1,8 W (Ta), 348 W (Tc)
UPA1476H-AZ	2.1300	Richiesta di offerta	2	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1
TBB1012MMTL-E	0,3100	Richiesta di offerta	54	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000
2SC4957-T1-A	0,3300	Richiesta di offerta	165	Renesas Electronics America Inc	-	Massa	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-253-4, TO-253AA				180 mW	SOT-143	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8541.21.0075	3.000				11dB													6V	30mA					NPN	75 a 10 mA, 3 V	12GHz	1,5 dB a 2 GHz
RJK0216DPA-WS#J53	0,9700	Richiesta di offerta	2	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1
NP50P04SLG-E1-AY	2.1100	Richiesta di offerta	2	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (MP-3ZK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P			40 V	50A (Ta)	4,5 V, 10 V	9,6 mOhm a 25 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	150 nC a 10 V	±20 V	5700 pF a 10 V	-	1,2 W (Ta), 84 W (Tc)
NP34N055SLE-E1-AY	-	Richiesta di offerta	5548	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (MP-3ZK)	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN			55 V	34A (Ta)	4,5 V, 10 V	18 mOhm a 17 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	72 nC a 5 V	±20 V	3000 pF a 25 V	-	1,2 W (Ta), 88 W (Tc)
NP90N055VUK-E1-AY	1.7500	Richiesta di offerta	2	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	NP90N055		MOSFET (ossido di metallo)		TO-252-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN			55 V	90A (Tc)	10 V	3,85 mOhm a 45 A, 5 V	4 V a 250 µA	102 nC a 10 V	±20 V	6000 pF a 25 V	-	1,2 W (Ta), 147 W (Tc)
2SK2364(1)-AZ	4.0500	Richiesta di offerta	253	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1
NP89N04PUK-E1-AY	2.3100	Richiesta di offerta	3	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	NP89N04		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN			40 V	90A (Tc)	10 V	2,95 mOhm a 45 A, 5 V	4 V a 250 µA	102 nC a 10 V	±20 V	5850 pF a 25 V	-	1,8 W (Ta), 147 W (Tc)
RJK0358DPA-00#J0	0,8900	Richiesta di offerta	2	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	2.500
NP82N04PUG(1)-E1B-AY	-	Richiesta di offerta	5380	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto									-	Conformità ROHS3	Venditore non definito			OBSOLETO	0000.00.0000	3.000						82A(Tc)
UPA2380T1P-E4-A	-	Richiesta di offerta	7543	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C	Montaggio superficiale	4-XFLGA	UPA2380		MOSFET (ossido di metallo)	1,15 W(Ta)	4-EFLIP-LGA (1.11x1.11)	-		1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	5.000	Scarico comune a 2 canali N (doppio).				12V	4A (Ta)		32,5 mOhm a 2 A, 4,5 V	1,5 V a 1 mA	6,3 nC a 4 V		615 pF a 10 V	Porta a livello logico, azionamento da 2,5 V
2SJ185-T1B-A	1.0000	Richiesta di offerta	2022	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000
UPA672CT-T1-AT	-	Richiesta di offerta	6660	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UPA672		MOSFET (ossido di metallo)	200mW (Ta)	SC-88	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.21.0095	3.000	2 canali N (doppio), Schottky				60 V	100mA (Ta)		2,7 Ohm a 100 mA, 10 V	2,5 V a 250 µA	2nC a 10V		20 pF a 10 V	Porta a livello logico, azionamento da 4,5 V
RJK5018DPK-00#T0	-	Richiesta di offerta	8076	Renesas Electronics America Inc	-	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	RJK5018		MOSFET (ossido di metallo)		TO-3P	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			500 V	35A (Ta)	10 V	155 mOhm a 17,5 A, 10 V	-	104 nC a 10 V	±30 V	4100 pF a 25 V	-	200 W (Tc)
HFA3128RZ	-	Richiesta di offerta	7874	Renesas Electronics America Inc	-	Tubo	Obsoleto	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	16-VFQFN Tampone esposto	HFA3128			150 mW	16-QFN (3x3)	scaricamento	Conformità ROHS3	2 (1 anno)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	100				-													15 V	65 mA					5PNP	20 a 10 mA, 2 V	5,5GHz	3,5 dB a 1 GHz
RJP60D0DPP-M0#T2	2.7700	Richiesta di offerta	8	Renesas Electronics America Inc	-	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	RJP60D0	Standard		35 W	TO-220FL	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	RJP60D0DPPM0T2	EAR99	8541.29.0095	1			300 V, 22 A, 5 Ohm, 15 V													-	600 V	45A	2,2 V a 15 V, 22 A	-	45 nC	35ns/90ns
2SC2853E-E	0,2400	Richiesta di offerta	35	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Obsoleto									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0075	1
H5N2513PL-E	16.0300	Richiesta di offerta	1	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1
RJK0393DPA-00#J53	1.1900	Richiesta di offerta	29	Renesas Electronics America Inc	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio superficiale	8-PowerWDFN			MOSFET (ossido di metallo)		8-WPAK	-	Non applicabile				EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN			30 V	40A (Ta)		4,3 mOhm a 20 A, 10 V	-	21 nC a 4,5 V		3270 pF a 10 V	-	40 W (Tc)
H7N0608LS90TL	3.6800	Richiesta di offerta	11	Renesas Electronics America Inc	*	Massa	Attivo									-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1.000