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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SSFN3907 | 0,5900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | MOSFET (ossido di metallo) | 8-PPAK (3x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canale P | 30 V | 30A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 18 mOhm a 8 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 17 nC a 4,5 V | ±20 V | 2500 pF a 15 V | - | 27 W (Tc) | |||||||||||
![]() | GSFP06120 | 1.0500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | MOSFET (ossido di metallo) | 8-PPAK (5,1x5,71) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | CanaleN | 65 V | 120A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 3,5 mOhm a 30 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 78 nC a 10 V | ±20 V | 3600 pF a 30 V | - | 125 W (Tc) | |||||||||||
![]() | GSFH9506 | 2.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 4786-GSFH9506 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 950 V | 5A(Tj) | 10 V | 1,2 Ohm a 2 A, 10 V | 3,9 V a 250 µA | 14,9 nC a 10 V | ±30 V | 878 pF a 50 V | - | 83 W(Tj) | ||||||||||
![]() | SSFN3903 | 0,6300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | MOSFET (ossido di metallo) | 8-PPAK (3x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canale P | 30 V | 50A | 4,5 V, 10 V | 8,5 mOhm a 10 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 35 nC a 4,5 V | ±20 V | 3300 pF a 15 V | - | 2,2 W (Ta), 59 W (Tc) | |||||||||||
![]() | SSF3714 | 0,4900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-23-6 | MOSFET (ossido di metallo) | 2W (Tc) | SOT-23-6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canali N e P | 30 V | 4A (Tc), 3A (Tc) | 30 mOhm a 4 A, 10 V, 65 mOhm a 3 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 8nC a 4,5 V | 500 pF a 25 V | Standard | |||||||||||||
![]() | SSF02N15 | 0,4800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -50°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-23-6 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | CanaleN | 150 V | 1,4 A(Tc) | 6 V, 10 V | 480 mOhm a 1 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 16 nC a 10 V | ±20 V | 700 pF a 25 V | - | 1,56 W(Tc) | |||||||||||
![]() | GSGT15140 | 2.9400 | ![]() | 800 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | MOSFET (ossido di metallo) | TO-263 (D2Pak) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 800 | CanaleN | 150 V | 140A (Tc) | 10 V | 7,2 mOhm a 70 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 74 nC a 10 V | ±20 V | 5500 pF a 75 V | - | 320 W(Tc) | |||||||||||
![]() | GSFB0205 | 0,4400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-WDFN Tampone esposto | MOSFET (ossido di metallo) | 1,25 W(Ta) | 6-PPAK (2x2) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 2 canali P | 20 V | 4A (Ta) | 49 mOhm a 1,5 A, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 9nC a 4,5 V | 810 pF a 10 V | Standard | |||||||||||||
![]() | GSFN2306 | 0,5000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | MOSFET (ossido di metallo) | 8-PPAK (3x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | CanaleN | 20 V | 65A (Tc) | 1,8 V, 4,5 V | 5,4 mOhm a 20 A, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 45 nC a 4,5 V | ±10 V | 2790 pF a 10 V | - | 44,6 W(Tc) | |||||||||||
![]() | GSFP10140 | 1.7600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | MOSFET (ossido di metallo) | 8-PPAK (5,1x5,71) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | CanaleN | 100 V | 140A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 3,6 mOhm a 20 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 100 nC a 10 V | ±20 V | 6000 pF a 50 V | - | 192 W(Tc) | |||||||||||
![]() | GSFK06002 | 0,3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (ossido di metallo) | 900 mW (Ta) | SOT-363 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 45.000 | 2 canali N | 50 V | 300mA (Ta) | 2 Ohm a 300 mA, 10 V | 1,4 V a 250 µA | 580nC a 4,5 V | 12 pF a 30 V | Standard | |||||||||||||
![]() | SSF6912 | 0,4300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -50°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-23-6 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | CanaleN | 60 V | 2,9A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 75 mOhm a 2 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 14 nC a 10 V | ±20 V | 725 pF a 15 V | - | 1 W (Ta) | |||||||||||
![]() | GSFP0876 | 0,9300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | MOSFET (ossido di metallo) | 8-PPAK (5,1x5,71) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | CanaleN | 80 V | 75A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 7 mOhm a 10 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 45 nC a 10 V | ±20 V | 2580 pF a 40 V | - | 98 W (Tc) | |||||||||||
![]() | SSF3611E | 0,5300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 4.000 | Canale P | 30 V | 12A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 13 mOhm a 10 A, 10 V | 2 V a 250 µA | 55 nC a 10 V | ±20 V | 3224 pF a 15 V | - | 2W (Tc) | |||||||||||
![]() | GSFK0300 | 0,3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (ossido di metallo) | 275 mW(Tc) | SC-88 (SC-70-6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 2 canali N | 30 V | 800 mA(Tc) | 450 mOhm a 300 mA, 4,5 V | 1,2 V a 250 µA | 5,2 nC a 4,5 V | 146 pF a 15 V | Standard | |||||||||||||
![]() | GSFQ6903 | 0,5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canale P | 60 V | 8,5 A(Tc) | 4,5 V, 10 V | 30 mOhm a 8 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 88 nC a 10 V | ±20 V | 3900 pF a 25 V | - | 4,1 W(Tc) | |||||||||||
![]() | SSFK9120 | 0,4700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (ossido di metallo) | 275 mW(Tc) | SC-88 (SC-70-6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canali N e P complementari | 20 V | 800 mA (Tc), 400 mA (Tc) | 300 mOhm a 500 mA, 4,5 V, 600 mOhm a 300 mA, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 2nC a 4,5 V | 75 pF a 10 V, 78 pF a 10 V | Standard | |||||||||||||
![]() | SSFB2309L | 0,5100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-WDFN Tampone esposto | MOSFET (ossido di metallo) | 6-DFN (2x2) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | Canale P | 20 V | 8,5 A(Tc) | 1,8 V, 4,5 V | 28 mOhm a 4 A, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 25 nC a 4,5 V | ±10 V | 2100 pF a 15 V | - | 3,3 W(Tc) | |||||||||||
![]() | GSBCP51-16 | 0,4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | 1,5 W | SOT-223 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 2.500 | 45 V | 1A | 100nA (ICBO) | PNP | 500mV a 50mA, 500mA | 63 a 150 mA, 2 V | 100 MHz | |||||||||||||||
![]() | MMBTA06 | 0,2100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 mW | SOT-223 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 80 V | 500 mA | 100 nA | NPN | 250mV a 10mA, 100mA | 100 a 100 mA, 1 V | 100 MHz | |||||||||||||||
![]() | GSF3404B | 0,3000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 5,8A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 31 mOhm a 5 A, 10 V | 2 V a 250 µA | 5,2 nC a 10 V | ±20 V | 255 pF a 15 V | - | 1,4 W(Ta) | |||||||||||
![]() | MMBT4401 | 0,1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300 mW | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 40 V | 600 mA | 100 nA | NPN | 1,2 V a 50 mA, 500 mA | 100 a 150 mA, 1 V | 250 MHz | |||||||||||||||
![]() | GSFL1004 | 0,4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -50°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-223 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | CanaleN | 100 V | 3A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 185 mOhm a 2 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 21 nC a 10 V | ±20 V | 1190 pF a 50 V | - | 1,78 W(Tc) | |||||||||||
![]() | GSFP0449 | 0,6200 | ![]() | 7862 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | MOSFET (ossido di metallo) | 8-PPAK (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 6.000 | Canale P | 40 V | 50A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 17 mOhm a 15 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 56 nC a 10 V | ±20 V | 3100 pF a 20 V | - | 82 W (Tc) | |||||||||||
![]() | SSFP6904 | 0,6600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerTDFN | MOSFET (ossido di metallo) | 8-PPAK (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | CanaleN | 60 V | 50A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 12 mOhm a 10 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 59 nC a 10 V | ±20 V | 3050 pF a 25 V | - | 96 W (Tc) | |||||||||||
![]() | SSF2318E | 0,3500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | CanaleN | 20 V | 6,5 A | 1,8 V, 4,5 V | 22 mOhm a 6,5 A, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 10 nC a 4,5 V | ±8 V | 1160 pF a 10 V | - | 1,4 W | |||||||||||
![]() | GSFC0306 | 0,3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 5,5 A (TC) | 4,5 V, 10 V | 25 mOhm a 4 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 7 nC a 4,5 V | ±20 V | 520 pF a 15 V | - | 1,56 W(Tc) | |||||||||||
![]() | BSS84AKW | 0,1600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canale P | 60 V | 300mA (Ta) | 4,5 V, 10 V | 4 Ohm a 300 mA, 10 V | 2 V a 250 µA | ±20 V | 41 pF a 25 V | - | 270 mW (Ta) | ||||||||||||
![]() | BC847B | 0,1000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 mW | SOT-23 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 15nA (ICBO) | NPN | 600mV a 5mA, 100mA | 110 a 2 mA, 5 V | 300 MHz | |||||||||||||||
![]() | PZT2907A | 0,4000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Semiconduttore dell'Arca Buona | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | 1 W | SOT-223 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0080 | 2.500 | 60 V | 600 mA | 10nA (ICBO) | PNP | 1,6 V a 50 mA, 500 mA | 100 a 150 mA, 10 V | 200 MHz |

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