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Transistor(225)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
GSFL1004	0,4500	Richiesta di offerta	6	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-50°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0080	3.000		CanaleN	100 V	3A (Tc)	4,5 V, 10 V	185 mOhm a 2 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	21 nC a 10 V	±20 V	1190 pF a 50 V	-	1,78 W(Tc)
GSFU6522	2.5300	Richiesta di offerta	1	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	4786-GSFU6522	EAR99	8541.21.0080	50		CanaleN	650 V	20A (Tc)	10 V	190 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 250 µA	70 nC a 10 V	±30 V	2100 pF a 100 V	-	45 W (Tc)
GSBCX53-16	0,4200	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA		500 mW	SOT-89-3L	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0080	1.000													80 V	1A	100nA (ICBO)	PNP	500mV a 50mA, 500mA	63 a 150 mA, 2 V	50 MHz
GSFD0982	0,8500	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252 (DPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0080	2.500		CanaleN	100 V	50A (Tc)	4,5 V, 10 V	10,8 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	39 nC a 10 V	±20 V	2145 pF a 50 V	-	78 W (Tc)
GSFC0304	0,3900	Richiesta di offerta	6	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0080	3.000		CanaleN	30 V	5,3A(Ta)	2,5 V, 4,5 V	36 mOhm a 4 A, 4,5 V	900 mV a 250 µA	12 nC a 4,5 V	±12V	1000 pF a 10 V	-	1,56 W(Ta)
GSBC857CW	0,1700	Richiesta di offerta	6	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323		150 mW	SOT-323	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0080	3.000													45 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	420 a 2 mA, 5 V	100 MHz
GSFH9506	2.8300	Richiesta di offerta	1	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	4786-GSFH9506	EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN	950 V	5A(Tj)	10 V	1,2 Ohm a 2 A, 10 V	3,9 V a 250 µA	14,9 nC a 10 V	±30 V	878 pF a 50 V	-	83 W(Tj)
GSGT15140	2.9400	Richiesta di offerta	800	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	MOSFET (ossido di metallo)		TO-263 (D2Pak)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0080	800		CanaleN	150 V	140A (Tc)	10 V	7,2 mOhm a 70 A, 10 V	4 V a 250 µA	74 nC a 10 V	±20 V	5500 pF a 75 V	-	320 W(Tc)
SSF02N15	0,4800	Richiesta di offerta	6	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-50°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0080	3.000		CanaleN	150 V	1,4 A(Tc)	6 V, 10 V	480 mOhm a 1 A, 10 V	4 V a 250 µA	16 nC a 10 V	±20 V	700 pF a 25 V	-	1,56 W(Tc)
GSFP10140	1.7600	Richiesta di offerta	3	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	MOSFET (ossido di metallo)		8-PPAK (5,1x5,71)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0080	3.000		CanaleN	100 V	140A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,6 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	100 nC a 10 V	±20 V	6000 pF a 50 V	-	192 W(Tc)
GSFN2306	0,5000	Richiesta di offerta	6	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	MOSFET (ossido di metallo)		8-PPAK (3x3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0080	3.000		CanaleN	20 V	65A (Tc)	1,8 V, 4,5 V	5,4 mOhm a 20 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	45 nC a 4,5 V	±10 V	2790 pF a 10 V	-	44,6 W(Tc)
GSFB0205	0,4400	Richiesta di offerta	6	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-WDFN Tampone esposto	MOSFET (ossido di metallo)	1,25 W(Ta)	6-PPAK (2x2)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0080	3.000	2 canali P		20 V	4A (Ta)		49 mOhm a 1,5 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	9nC a 4,5 V		810 pF a 10 V	Standard
GSBC817-40	0,1300	Richiesta di offerta	6	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		250 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0080	3.000													45 V	500 mA	100nA (ICBO)	NPN	700mV a 50mA, 500mA	250 a 100 mA, 1 V	100 MHz
SSFP4960	0,9100	Richiesta di offerta	1662	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	MOSFET (ossido di metallo)		8-PPAK (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	6.000		CanaleN	40 V	100A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,8 mOhm a 25 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	80 nC a 4,5 V	±20 V	7800 pF a 25 V	-	135 W(Tc)
SSFB3910L	0,4500	Richiesta di offerta	6	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	MOSFET (ossido di metallo)		6-DFN (2x2)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0080	3.000		CanaleN	30 V	10A	4,5 V, 10 V	13 mOhm a 6 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	7,4 nC a 4,5 V	±20 V	620 pF a 25 V	-	2,01 W(TC)
GSFP3944	0,4800	Richiesta di offerta	6	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	MOSFET (ossido di metallo)		8-PPAK (3,1x3,05)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0080	3.000		CanaleN	30 V	45A (Tc)	4,5 V, 10 V	7,9 mOhm a 15 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	23 nC a 10 V	±20 V	1350 pF a 15 V	-	30 W (Tc)
GSFP3984	0,8500	Richiesta di offerta	3	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-50°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	MOSFET (ossido di metallo)		8-PPAK (5,1x5,71)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0080	3.000		CanaleN	30 V	150A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,4 mOhm a 30 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V	7600 pF a 15 V	-	122 W(Tc)
SSFN3903	0,6300	Richiesta di offerta	6	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	MOSFET (ossido di metallo)		8-PPAK (3x3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0080	3.000		Canale P	30 V	50A	4,5 V, 10 V	8,5 mOhm a 10 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	35 nC a 4,5 V	±20 V	3300 pF a 15 V	-	2,2 W (Ta), 59 W (Tc)
SSF3714	0,4900	Richiesta di offerta	6	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	MOSFET (ossido di metallo)	2W (Tc)	SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0080	3.000	Canali N e P		30 V	4A (Tc), 3A (Tc)		30 mOhm a 4 A, 10 V, 65 mOhm a 3 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	8nC a 4,5 V		500 pF a 25 V	Standard
SSFN3907	0,5900	Richiesta di offerta	6	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	MOSFET (ossido di metallo)		8-PPAK (3x3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0080	3.000		Canale P	30 V	30A (Tc)	4,5 V, 10 V	18 mOhm a 8 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	17 nC a 4,5 V	±20 V	2500 pF a 15 V	-	27 W (Tc)
GSFP06120	1.0500	Richiesta di offerta	3	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	MOSFET (ossido di metallo)		8-PPAK (5,1x5,71)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0080	3.000		CanaleN	65 V	120A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,5 mOhm a 30 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	78 nC a 10 V	±20 V	3600 pF a 30 V	-	125 W (Tc)
GSFN0982	0,8900	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-50°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerWDFN	MOSFET (ossido di metallo)		8-PPAK (3x3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0080	3.000		CanaleN	100 V	48A(Tc)	4,5 V, 10 V	13,6 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	55 nC a 10 V	±20 V	3280 pF a 50 V	-	61 W (Tc)
MMBTA06	0,2100	Richiesta di offerta	8	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		350 mW	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0080	3.000													80 V	500 mA	100 nA	NPN	250mV a 10mA, 100mA	100 a 100 mA, 1 V	100 MHz
GSF3404B	0,3000	Richiesta di offerta	5	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0080	3.000		CanaleN	30 V	5,8A(Ta)	4,5 V, 10 V	31 mOhm a 5 A, 10 V	2 V a 250 µA	5,2 nC a 10 V	±20 V	255 pF a 15 V	-	1,4 W(Ta)
MMBT4401	0,1300	Richiesta di offerta	5	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		300 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0080	3.000													40 V	600 mA	100 nA	NPN	1,2 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 1 V	250 MHz
SSF7320	0,3400	Richiesta di offerta	16	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	SOT-723	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-723	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0080	8.000		CanaleN	20 V	800mA (Ta)	1,5 V, 4,5 V	300 mOhm a 500 mA, 4,5 V	1,2 V a 250 µA	1 nC a 4,5 V	±12V	75 pF a 10 V	-	450 mW
GSFH0980	2.1600	Richiesta di offerta	989	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Tubo	Attivo	-50°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	4786-GSFH0980	EAR99	8541.21.0080	50		CanaleN	100 V	150A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,7 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	165 nC a 10 V	+20 V, -12 V	13.300 pF a 25 V	-	275 W(Tc)
MMBTA42	0,2000	Richiesta di offerta	3	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		350 mW	SOT-23	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0080	3.000													300 V	300 mA	250nA (ICBO)	NPN	200 mV a 2 mA, 20 mA	100 a 10 mA, 10 V	50 MHz
SSFQ3905	0,5800	Richiesta di offerta	6	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0080	3.000		Canale P	30 V	10A	4,5 V, 10 V	15,5 mOhm a 8 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	14,6 nC a 4,5 V	±20 V	1730 pF a 15 V	-	2,5 W
GSFH06100	1.3600	Richiesta di offerta	1	Semiconduttore dell'Arca Buona	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	4786-GSFH06100	EAR99	8541.21.0080	50		CanaleN	60 V	100A (Tc)	10 V	6,5 mOhm a 40 A, 10 V	4 V a 250 µA	85 nC a 10 V	±20 V	4800 pF a 30 V	-	170 W(Tc)