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Transistor(1)

Immagine	Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	ECAD	Quantità disponibile	Peso(Kg)	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET
	PJT7808_R2_00001	-	Richiesta di offerta		8701	0.00000000	EMO Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PJT7808	MOSFET (ossido di metallo)	350 mW(Ta)	SOT-363	scaricamento	REACH Inalterato	3757-PJT7808_R2_00001TR	EAR99	8541.21.0095	1	2 canali N (doppio)	20 V	500mA (Ta)	400 mOhm a 500 mA, 4,5 V	900 mV a 250 µA	1,4 nC a 4,5 V	67 pF a 10 V	-