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Transistor(9)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Corrente nominale (Amp)	Corrente-Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Funzionalità FET	Figura di rumore	Tensione - Prova
TP44110HB	11.6700	Richiesta di offerta	5144	Tecnologia Tagore	-	Vassoio	Attivo		-	Montaggio superficiale	30-PotenzaWFQFN	TP44110		GaNFET (nitruro di gallio)	-	30-QFN (8x10)	scaricamento		1 (illimitato)					1	2 canali N (mezzo ponte)					650 V	-	-	-	-
TP44100SG	-	Richiesta di offerta	3	Tecnologia Tagore	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	650 V		Montaggio superficiale	22-PotenzaVFQFN	TP44100	-	GaN HEMT		22-QFN (5x7)	scaricamento		1 (illimitato)					1	Canale P	-		-	-						-
TA9410E	70.0000	Richiesta di offerta	105	Tecnologia Tagore	-	Vassoio	Attivo	50 V		Montaggio superficiale	Tampone esposto 8-VDFN		20 MHz~3 GHz	GaN HEMT		8-QFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8542.33.0001	1		30A		25 W	17dB						-
TP44220HB	7.8100	Richiesta di offerta	2606	Tecnologia Tagore	-	Vassoio	Attivo		-	Montaggio superficiale	30-PotenzaWFQFN	TP44220		GaNFET (nitruro di gallio)	-	30-QFN (8x10)	scaricamento		1 (illimitato)					1	2 canali N (mezzo ponte)					650 V	-	-	-	-
TA9210D	47.9800	Richiesta di offerta	101	Tecnologia Tagore	-	Vassoio	Attivo	120 V				TA9210	30 MHz~4 GHz	GaN HEMT			scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	-2715-TA9210D	5A991G	8542.33.0001	1		700mA	50 mA	12,5 W	18dB						-	32 V
TA9310E	49.9900	Richiesta di offerta	40	Tecnologia Tagore	-	Striscia	Attivo	120 V		Montaggio superficiale	Tampone esposto 8-VDFN	TA9310	30 MHz~4 GHz	GaN HEMT		8-QFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		DISCOTECA 3A001B3	8542.33.0001	1		-	100 mA	20 W	17,5dB						-	32 V
TP44200SG	-	Richiesta di offerta	3	Tecnologia Tagore	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	650 V		Montaggio superficiale	22-PotenzaVFQFN	TP44200	-	GaN HEMT		22-QFN (5x7)	scaricamento		1 (illimitato)					1	Canale P	-		-	-						-
TP44400SG	-	Richiesta di offerta	3	Tecnologia Tagore	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	650 V		Montaggio superficiale	22-PotenzaVFQFN	TP44400	-	GaN HEMT		22-QFN (5x7)	scaricamento		1 (illimitato)					1	Canale P	-		-	-						-
TP44440HB	6.0100	Richiesta di offerta	100	Tecnologia Tagore	-	Vassoio	Attivo		-	Montaggio superficiale	30-PotenzaWFQFN	TP44440		GaNFET (nitruro di gallio)	-	30-QFN (8x10)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)					1	2 canali N (mezzo ponte)					650 V	-	-	-	-