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Transistor(17799)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Voltaggio: nominale Temperatura operativa Applicazioni Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Potenza: max Ingresso Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Corrente nominale (Amp) Condizione di prova Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tempo di recupero inverso (trr) Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Tensione - Rottura (V(BR)GSS) Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0) Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id Corrente - Interruzione collettore (max) Termistore NTC Resistenza - RDS(On) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Assorbimento di corrente (Id) -Max
FDD8880-SN00319 onsemi FDD8880-SN00319 0,4100
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 ECAD 89 0.00000000 onsemi * Massa Attivo scaricamento Venditore non definito REACH Inalterato 2156-FDD8880-SN00319-488 1
NTMFD1D4N02P1E onsemi NTMFD1D4N02P1E 2.5300
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 ECAD 2 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerWDFN NTMFD1 MOSFET (ossido di metallo) 960 mW (Ta), 1 W (Ta) 8-PQFN (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canali N (doppio) asimmetrico 25 V 13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc) 3,3 mOhm a 20 A, 10 V, 1,1 mOhm a 37 A, 10 V 2 V a 250 µA, 2 V a 800 µA 7,2 nC a 4,5 V, 21,5 nC a 4,5 V 1180pF a 13V, 3603pF a 13V -
EMC3DXV5T1G onsemi EMC3DXV5T1G 0,4400
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 ECAD 7 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo 50 V - Montaggio superficiale SOT-553 EMC3DXV5 SOT-553 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 4.000 100mA 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)
FGA40T65UQDF onsemi FGA40T65UQDF -
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 ECAD 6336 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-3P-3, SC-65-3 FGA40T65 Standard 231 W TO-3PN scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 450 400 V, 40 A, 6 Ohm, 15 V 89 ns TNP 650 V 80A 120A 1,67 V a 15 V, 40 A 989μJ (acceso), 310μJ (spento) 306 nC 32ns/271ns
NVMFS4C310NT1G onsemi NVMFS4C310NT1G 1.3600
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 ECAD 1179 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN, 5 conduttori NVMFS4 MOSFET (ossido di metallo) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.500 CanaleN 30 V 17A (Ta), 51A (Tc) 4,5 V, 10 V 6 mOhm a 30 A, 10 V 2,2 V a 250 µA 18,6 nC a 10 V ±20 V 1000 pF a 15 V - 3,5 W (Ta), 32 W (Tc)
NVMTS1D1N04CTXG onsemi NVMTS1D1N04CTXG 3.9686
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 ECAD 7187 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN MOSFET (ossido di metallo) 8-DFNW (8,3x8,4) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 488-NVMTS1D1N04CTXGTR EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 40 V 48,8 A (Ta), 277 A (Tc) 10 V 1,1 mOhm a 50 A, 10 V 4 V a 210 µA 86 nC a 10 V ±20 V 5410 pF a 25 V - 4,7 W (Ta), 153 W (Tc)
FQA65N06 onsemi FQA65N06 -
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 ECAD 6386 0.00000000 onsemi QFET® Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-3P-3, SC-65-3 FQA6 MOSFET (ossido di metallo) TO-3P scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 60 V 72A(Tc) 10 V 16 mOhm a 36 A, 10 V 4 V a 250 µA 65 nC a 10 V ±25 V 2410 pF a 25 V - 183 W(Tc)
HUF75345S3 onsemi HUF75345S3 -
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 ECAD 7505 0.00000000 onsemi UltraFET™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB HUF75 MOSFET (ossido di metallo) D²PAK (TO-263) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 400 CanaleN 55 V 75A (Tc) 10 V 7 mOhm a 75 A, 10 V 4 V a 250 µA 275 nC a 20 V ±20 V 4000 pF a 25 V - 325 W(Tc)
SPS9544QRLRP onsemi SPS9544QRLRP 1.0000
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 ECAD 8067 0.00000000 onsemi * Massa Attivo - RoHS non conforme 3 (168 ore) RAGGIUNGERE Interessato 2.000
MTB3N60E onsemi MTB3N60E -
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 ECAD 3065 0.00000000 onsemi * Massa Attivo scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 550
PN4091_D26Z onsemi PN4091_D26Z -
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 ECAD 9760 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead PN409 625 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.000 CanaleN 16 pF a 20 V 40 V 30 mA a 20 V 5 V a 1 nA 30 Ohm
MTA2N60E onsemi MTA2N60E 0,8800
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 ECAD 18 0.00000000 onsemi * Massa Attivo scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8542.39.0001 1
2SC4487T onsemi 2SC4487T 0,1900
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 ECAD 4746 0.00000000 onsemi * Massa Attivo scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 15
NVMFD6H846NLT1G onsemi NVMFD6H846NLT1G 2.0600
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 ECAD 1828 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerTDFN NVMFD6 MOSFET (ossido di metallo) 3,2 W (Ta), 34 W (Tc) Doppia bandiera 8-DFN (5x6) (SO8FL-doppia) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 488-NVMFD6H846NLT1GTR EAR99 8541.29.0095 1.500 2 canali N (doppio) 80 V 9,4 A (Ta), 31 A (Tc) 15 mOhm a 5 A, 10 V 2 V a 21 µA 17nC a 10V 900 pF a 40 V -
HGT1N30N60A4D onsemi HGT1N30N60A4D -
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 ECAD 9948 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio SOT-227-4, miniBLOC HGT1N30 255 W Standard SOT-227B scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 60 Separare - 600 V 96A 2,7 V a 15 V, 30 A 250 µA NO
CPH5821-TL-E onsemi CPH5821-TL-E 0,2000
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 ECAD 291 0.00000000 onsemi * Massa Attivo - Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.21.0095 3.000
ISL9V2540S3ST onsemi ISL9V2540S3ST -
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 ECAD 9628 0.00000000 onsemi EcoSPARK® Nastro e bobina (TR) Acquisto per l'ultima volta -40°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB ISL9V2540 Logica 166,7 W D²PAK (TO-263) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 800 300 V, 1 kOhm, 5 V - 430 V 15,5 A 1,8 V a 4 V, 6 A - 15,1 nC -/3,64 µs
2SC4485S-AN onsemi 2SC4485S-AN 0,1500
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 ECAD 20 0.00000000 onsemi * Massa Attivo - Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.21.0075 1
NVHL160N120SC1 onsemi NVHL160N120SC1 13.6600
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 ECAD 3682 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 NVHL160 SiCFET (carburo di silicio) TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato 488-NVHL160N120SC1 EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 1200 V 17A(Tc) 20 V 224 mOhm a 12 A, 20 V 4,3 V a 2,5 mA 34 nC a 20 V +25 V, -15 V 665 pF a 800 V - 119 W(Tc)
NVMJS2D5N06CLTWG onsemi NVMJS2D5N06CLTWG 2.7500
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 ECAD 8333 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-1205, 8-LFPAK56 NVMJS2 MOSFET (ossido di metallo) 8-LFPAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 60 V 31A (Ta), 164A (Tc) 4,5 V, 10 V 2,4 mOhm a 50 A, 10 V 2 V a 135 µA 52 nC a 10 V ±20 V 3600 pF a 25 V - 3,9 W (Ta), 113 W (Tc)
P1086 onsemi P1086 -
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 ECAD 4662 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) P1086 350 mW TO-92-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.000 Canale P 45 pF a 15 V 30 V 10 mA a 20 V 10 V a 1 µA 75 Ohm
NSVJ6904DSB6T1G onsemi NSVJ6904DSB6T1G 1.5400
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 ECAD 858 0.00000000 onsemi Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6 NSVJ6904 700 mW 6-CPH scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 2 canali N (doppio) 25 V 6 pF a 5 V 25 V 20 mA a 5 V 600 mV a 100 µA 25 Ohm 50 mA
MTV16N50E onsemi MTV16N50E 2.3200
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi * Massa Attivo scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.29.0095 1
HGTD1N120BNS9A onsemi HGTD1N120BNS9A 1.6500
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 ECAD 6 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 HGTD1N120 Standard 60 W TO-252AA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 960 V, 1 A, 82 Ohm, 15 V TNP 1200 V 5,3 A 6A 2,9 V a 15 V, 1 A 70μJ (acceso), 90μJ (spento) 14 nC 15ns/67ns
SFT1202-TL-E onsemi SFT1202-TL-E 0,9200
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 ECAD 795 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 SFT1202 1 W TP-FA - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 700 150 V 2A 1μA (ICBO) NPN 165 mV a 100 mA, 1 A 200 a 100 mA, 5 V 140 MHz
FDW2506P onsemi FDW2506P -
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 ECAD 6293 0.00000000 onsemi PowerTrench® Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) FDW25 MOSFET (ossido di metallo) 600 mW 8-TSSOP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 2.500 2 canali P (doppio) 20 V 5.3A 22 mOhm a 5,3 A, 4,5 V 1,5 V a 250 µA 34nC a 4,5 V 1015 pF a 10 V Porta a livello logico
2SD2202R onsemi 2SD2202R 0,4700
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 ECAD 3 0.00000000 onsemi * Massa Attivo scaricamento Non applicabile 1 (illimitato) Venditore non definito EAR99 8541.29.0095 1
NSCT2222ALT1G onsemi NSCT2222ALT1G -
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 ECAD 7108 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NSCT22 225 mW SOT-23-3 (TO-236) scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 600 mA 10nA (ICBO) NPN 1 V a 50 mA, 500 mA 100 a 150 mA, 10 V 300 MHz
FJC1308PTF onsemi FJC1308PTF -
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 ECAD 5291 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA FJC13 500 mW SOT-89-3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 4.000 30 V 3A 500nA PNP 450 mV a 150 mA, 1,5 A 80 a 500 mA, 2 V -
FGD3040G2-SN00401V onsemi FGD3040G2-SN00401V -
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 ECAD 3958 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto FGD3040 - REACH Inalterato 488-FGD3040G2-SN00401V EAR99 8541.29.0095 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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