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Transistor(3861)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
STFU15N80K5	4.7900	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	MDmesh™ K5	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STFU15			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						800 V	14A (Tc)	10 V	375 mOhm a 7 A, 10 V	5 V a 100 µA	32 nC a 10 V	±30 V	1100 pF a 100 V	-	35 W (Tc)
STL50NH3LL	1.4900	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	STRipFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL50			MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN						30 V	27A(Tc)	4,5 V, 10 V	13 mOhm a 6,5 A, 10 V	1 V a 250 µA	12 nC a 4,5 V	±16V	965 pF a 25 V	-	60 W (Tc)
STD4NK50ZT4	1.3300	Richiesta di offerta	7886	STMicroelettronica	SuperMESH™	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD4			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						500 V	3A (Tc)	10 V	2,7 Ohm a 1,5 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	12 nC a 10 V	±30 V	310 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
STT3PF30L	-	Richiesta di offerta	4344	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	STT3P			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P						30 V	2,4 A(Tc)	4,5 V, 10 V	165 mOhm a 1,5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	7 nC a 4,5 V	±16V	420 pF a 25 V	-	1,6 W (TC)
RF3L05400CB4	163.3500	Richiesta di offerta	1932	STMicroelettronica	-	Massa	Attivo	90 V		Montaggio su telaio	LBB	RF3L05400		30 MHz~88 MHz	LDMOS		LBB	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-RF3L05400CB4			100	-		1μA			400W	15dB											-
STS6PF30L	-	Richiesta di offerta	6182	STMicroelettronica	STRipFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	STS6P			MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P						30 V	6A (Tc)	5 V, 10 V	30 mOhm a 3 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	28 nC a 5 V	±16V	1670 pF a 25 V	-	2,5 W(Tc)
STGW40H60DLFB	5.0600	Richiesta di offerta	8618	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STGW40	Standard			283 W	TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30				400 V, 40 A, 10 Ohm, 15 V															Sosta sul campo di trincea	600 V	80A	160A	2 V a 15 V, 40 A	363μJ (spento)	210 nC	-/142ns
STAC3932F	117.9750	Richiesta di offerta	3544	STMicroelettronica	-	Vassoio	Design non per nuovi	250 V			STAC244F	STAC3932		123 MHz	MOSFET		STAC244F	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	497-12234	EAR99	8541.29.0095	20	CanaleN		20A		250 mA	580W	24,6dB											-									100 V
STF12NM50ND	-	Richiesta di offerta	9454	STMicroelettronica	FDmesh™II	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF12			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						500 V	11A(Tc)	10 V	380 mOhm a 5,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	30 nC a 10 V	±25 V	850 pF a 50 V	-	25 W (Tc)
STW75N65DM6-4	14.5700	Richiesta di offerta	100	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-4				MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-4	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-STW75N65DM6-4	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						650 V	75A (Tc)	10 V	36 mOhm a 37,5 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	118 nC a 10 V	±25 V	5700 pF a 100 V	-	480 W(Tc)
STB30N65M2AG	4.2400	Richiesta di offerta	4563	STMicroelettronica	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB30			MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	497-STB30N65M2AGTR	EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						650 V	20A (Tc)	10 V	180 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 250 µA	30,8 nC a 10 V	±25 V	1440 pF a 100 V	-	190 W(Tc)
STW70N60DM2	11.7600	Richiesta di offerta	4646	STMicroelettronica	MDmesh™DM2	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW70			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-16345-5	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						600 V	66A(Tc)	10 V	42 mOhm a 33 A, 10 V	5 V a 250 µA	121 nC a 10 V	±25 V	5508 pF a 100 V	-	446 W(Tc)
STB80NF10T4	3.4900	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB80			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						100 V	80A (Tc)	10 V	15 mOhm a 40 A, 10 V	4 V a 250 µA	182 nC a 10 V	±20 V	5500 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
STP8NS25	-	Richiesta di offerta	1903	STMicroelettronica	SOVRAPPOSIZIONE IN RETE™	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP8N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						250 V	8A (Tc)	10 V	450 mOhm a 4 A, 10 V	4 V a 250 µA	51,8 nC a 10 V	±20 V	770 pF a 25 V	-	80 W (Tc)
STD3NK50Z-1	0,7400	Richiesta di offerta	4	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STD3N			MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN						500 V	2,3 A(Tc)	10 V	3,3 Ohm a 1,15 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	15 nC a 10 V	±30 V	280 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
STB190NF04T4	-	Richiesta di offerta	8513	STMicroelettronica	STRipFET™ III	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB190N			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						40 V	120A (Tc)	10 V	4,3 mOhm a 95 A, 10 V	4 V a 250 µA	130 nC a 5 V	±20 V	5800 pF a 25 V	-	310 W(Tc)
STGD7NC60HT4	2.7400	Richiesta di offerta	9	STMicroelettronica	PowerMESH™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STGD7	Standard			70 W	TO-252 (D-Pak)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500				390 V, 7 A, 10 Ohm, 15 V															-	600 V	25A	50A	2,5 V a 15 V, 7 A	95μJ (acceso), 115μJ (spento)	35 nC	18,5 n/72 n
STGFW20V60F	2.6500	Richiesta di offerta	281	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	Pacchetto completo TO-3P-3	STGFW20	Standard			52 W	TO-3PF	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30				400 V, 20 A, 15 V															Sosta sul campo di trincea	600 V	40A	80A	2,2 V a 15 V, 20 A	200μJ (acceso), 130μJ (spento)	116 nC	38ns/149ns
IRF740	-	Richiesta di offerta	8399	STMicroelettronica	PowerMESH™ II	Tubo	Obsoleto		-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IRF7			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						400 V	10A (Tc)	10 V	550 mOhm a 5,3 A, 10 V	4 V a 250 µA	43 nC a 10 V	±20 V	1.400 pF a 25 V	-	125 W (Tc)
ST13003	-	Richiesta di offerta	6739	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-225AA, TO-126-3	ST13003				40 W	SOT-32-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000																				400 V	1,5 A							1mA	NPN	1,5 V a 500 mA, 1,5 A	5 a 1 A, 2 V	-
BUL128D-B	0,7100	Richiesta di offerta	1766	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BUL128				70 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																				400 V	4A							250μA	NPN	500 mV a 1 A, 4 A	12 a 2 A, 5 V	-
STW46NF30	4.1300	Richiesta di offerta	5905	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Tubo	Attivo		175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW46			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-13595-5	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						300 V	42A(Tc)	10 V	75 mOhm a 17 A, 10 V	4 V a 250 µA	90 nC a 10 V	±20 V	3200 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
BD136	0,4700	Richiesta di offerta	5	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-225AA, TO-126-3	BD136				1,25 W	SOT-32-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																				45 V	1,5 A							100nA (ICBO)	PNP	500mV a 50mA, 500mA	40 a 2 V, 150 MA	-
STU6NF10	-	Richiesta di offerta	5632	STMicroelettronica	STRipFET™	Tubo	Attivo		-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STU6NF10			MOSFET (ossido di metallo)		TO-251 (IPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN						100 V	6A (Tc)	10 V	250 mOhm a 3 A, 10 V	4 V a 250 µA	14 nC a 10 V	±20 V	280 pF a 25 V	-	30 W (Tc)
STW13NK60Z	3.0949	Richiesta di offerta	8017	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW13			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						600 V	13A(Tc)	10 V	550 mOhm a 4,5 A, 10 V	4,5 V a 100 µA	92 nC a 10 V	±30 V	2030 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
STS25NH3LL	-	Richiesta di offerta	9549	STMicroelettronica	STRipFET™ III	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	STS25			MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						30 V	25A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,5 mOhm a 12,5 A, 10 V	1 V a 250 µA	40 nC a 4,5 V	±18 V	4450 pF a 25 V	-	3,2 W(Tc)
HD1760JL	-	Richiesta di offerta	5134	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-264-3, TO-264AA	HD1760				200 W	TO-264	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25																				800 V	36A							200μA	NPN	2 V a 4,5 A, 18 A	5 a 18 A, 5 V	-
STP140N6F7	2.5000	Richiesta di offerta	202	STMicroelettronica	STRipFET™	Tubo	Attivo		175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP140			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-15890-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						60 V	80A (Tc)	10 V	3,5 mOhm a 40 A, 10 V	4 V a 250 µA	55 nC a 10 V	±20 V	3100 pF a 10 V	-	158 W(Tc)
STF7NM60N	2.8300	Richiesta di offerta	849	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-5 Pacchetto completo	STF7			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						600 V	5A (Tc)	10 V	900 mOhm a 2,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	14 nC a 10 V	±25 V	363 pF a 50 V	-	20 W (Tc)
IRF840	-	Richiesta di offerta	7276	STMicroelettronica	PowerMESH™ II	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IRF8			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-2731-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						500 V	8A (Tc)	10 V	850 mOhm a 3,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	39 nC a 10 V	±20 V	832 pF a 25 V	-	125 W (Tc)