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Transistor(3861)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
STP120N10F4	-	Richiesta di offerta	4350	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP120			-		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		-							120A (Tc)	10 V	-	-		±20 V		-	300 W(Tc)
STGP30NC60S	-	Richiesta di offerta	4929	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STGP30	Standard			175 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50				480 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V															-	600 V	55A	150A	1,9 V a 15 V, 20 A	300 µJ (acceso), 1,28 mJ (spento)	96 nC	21,5 n/180 n
RF3L05200CB4	163.3500	Richiesta di offerta	9319	STMicroelettronica	-	Massa	Attivo	90 V		Montaggio su telaio	LBB	RF3L05200		1GHz	LDMOS		LBB	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-RF3L05200CB4			100	-		1μA			200W	19dB											-
STD28P3LLH6AG	-	Richiesta di offerta	1549	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H6	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD28			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P						30 V	12A (Tc)	4,5 V, 10 V	30 mOhm a 6 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	29 nC a 10 V	±18 V	1480 pF a 25 V	-	33 W (Tc)
STS5PF20V	-	Richiesta di offerta	6377	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	STS5P			MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P						20 V	5A (Tc)	2,5 V, 4,5 V	80 mOhm a 2,5 A, 4,5 V	450 mV a 250 µA (min)	6 nC a 2,5 V	±8 V	412 pF a 15 V	-	2,5 W(Tc)
STFILED524	-	Richiesta di offerta	8741	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Confezione completa, I²Pak	STFILED524			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAKFP (TO-281)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						525 V	4A(Tc)	10 V	2,6 Ohm a 2,2 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	12 nC a 10 V	±30 V	340 pF a 100 V	-	20 W (Tc)
STB18N60M2	2.8400	Richiesta di offerta	424	STMicroelettronica	MDmesh™ II Plus	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB18			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						600 V	13A(Tc)	10 V	280 mOhm a 6,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	21,5 nC a 10 V	±25 V	791 pF a 100 V	-	110 W (Tc)
STD19NF20	-	Richiesta di offerta	1986	STMicroelettronica	SOVRAPPOSIZIONE IN RETE™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD19			MOSFET (ossido di metallo)		D-PAK (TO-252)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						200 V	15A (Tc)	10 V	160 mOhm a 7,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	24 nC a 10 V	±20 V	800 pF a 25 V	-	90 W (Tc)
STD3PK50Z	-	Richiesta di offerta	4500	STMicroelettronica	SuperMESH™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD3PK			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P						500 V	2,8 A(Tc)	10 V	4 Ohm a 1,4 A, 10 V	4,5 V a 100 µA	20 nC a 10 V	±30 V	620 pF a 25 V	-	70 W (Tc)
STGWA25H120F2	6.4400	Richiesta di offerta	6772	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STGWA25	Standard			375 W	TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30				600 V, 25 A, 10 Ohm, 15 V															Sosta sul campo di trincea	1200 V	50A	100A	2,6 V a 15 V, 25 A	600μJ (acceso), 700μJ (spento)	100 nC	29ns/130ns
STP21N65M5	5.2600	Richiesta di offerta	3	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP21			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						650 V	17A(Tc)	10 V	190 mOhm a 8,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	50 nC a 10 V	±25 V	1950 pF a 100 V	-	125 W (Tc)
STB110N55F6	-	Richiesta di offerta	4204	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo			-	-	STB110					-	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato			0000.00.0000	1.000									-
STI33N60M2	2.0029	Richiesta di offerta	7979	STMicroelettronica	MDmesh™ II Plus	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STI33			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK (TO-262)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						600 V	26A (Tc)	10 V	125 mOhm a 13 A, 10 V	4 V a 250 µA	45,5 nC a 10 V	±25 V	1781 pF a 100 V	-	190 W(Tc)
STH265N6F6-6AG	-	Richiesta di offerta	2092	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta)	STH265			MOSFET (ossido di metallo)		H2PAK-6	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						60 V	180A(Tc)	10 V	2,1 mOhm a 60 A, 10 V	4 V a 250 µA	183 nC a 10 V	±20 V	11.800 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
STD60NH03LT4	-	Richiesta di offerta	6844	STMicroelettronica	STRipFET™ III	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD60N			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						30 V	60A (Tc)	5 V, 10 V	9 mOhm a 30 A, 10 V	1 V a 250 µA	21 nC a 5 V	±20 V	2200 pF a 25 V	-	70 W (Tc)
STW15NM60N	-	Richiesta di offerta	9461	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW15N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						600 V	14A (Tc)	10 V	299 mOhm a 7 A, 10 V	4 V a 250 µA	37 nC a 10 V	±25 V	1250 pF a 50 V	-	125 W (Tc)
ST50V10200	145.2000	Richiesta di offerta	1341	STMicroelettronica	-	Massa	Attivo	110 V		Montaggio su telaio	M246	ST50		-	LDMOS		M246	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-ST50V10200			60	CanaleN		1μA			225 W	17,5dB											-
STF15NM65N	4.6500	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF15			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						650 V	12A (Tc)	10 V	380 mOhm a 6 A, 10 V	4 V a 250 µA	33,3 nC a 10 V	±25 V	983 pF a 50 V	-	30 W (Tc)
STL73D-AP	-	Richiesta di offerta	1277	STMicroelettronica	-	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto		-	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	STL73				1,5 W	TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000																				400 V	1,5 A							-	NPN	1 V a 250 mA, 1 A	10 a 600 mA, 3 V	-
STL287N4F7AG	-	Richiesta di offerta	8206	STMicroelettronica	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo					STL287						-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato			0000.00.0000	3.000
STD16N50M2	1.9400	Richiesta di offerta	9309	STMicroelettronica	MDmesh™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD16			MOSFET (ossido di metallo)		TO-252, (D-Pak)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						500 V	13A(Tc)	10 V	280 mOhm a 6,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	19,5 nC a 10 V	±25 V	710 pF a 100 V	-	110 W (Tc)
STW33N60M2	5.7500	Richiesta di offerta	1382	STMicroelettronica	MDmesh™ II Plus	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW33			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						600 V	26A (Tc)	10 V	125 mOhm a 13 A, 10 V	4 V a 250 µA	45,5 nC a 10 V	±25 V	1781 pF a 100 V	-	190 W(Tc)
BCP56-16	0,6200	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BCP56				1,6 W	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000																				80 V	1A							100nA (ICBO)	NPN	500mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 2 V	-
STP40NF10L	2.9500	Richiesta di offerta	288	STMicroelettronica	STRipFET™	Tubo	Attivo		175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP40			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						100 V	40A (Tc)	5 V, 10 V	33 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	64 nC a 5 V	±17V	2300 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
STU16N65M2	2.4400	Richiesta di offerta	4243	STMicroelettronica	MDmesh™ M2	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STU16			MOSFET (ossido di metallo)		TO-251 (IPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN						650 V	11A(Tc)	10 V	360 mOhm a 5,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	19,5 nC a 10 V	±25 V	718 pF a 100 V	-	110 W (Tc)
STP36NF06L	1.5400	Richiesta di offerta	6131	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP36			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						60 V	30A (Tc)	5 V, 10 V	40 mOhm a 15 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	17 nC a 5 V	±18 V	660 pF a 25 V	-	70 W (Tc)
PD85006-E	-	Richiesta di offerta	6587	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto	40 V			Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10	PD85006		870 MHz	LDMOS		10-PowerSO	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			2A		200 mA	6 W	17dB											-									13,6 V
STO47N60M6	6.9800	Richiesta di offerta	5	STMicroelettronica	MDmesh™ M6	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSFN	STO47			MOSFET (ossido di metallo)		PEDAGGIO (HV)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.800		CanaleN						600 V	36A(Tc)	10 V	80 mOhm a 18 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	52,2 nC a 10 V	±25 V	2340 pF a 100 V	-	255 W(Tc)
STN3P6F6	0,9600	Richiesta di offerta	2845	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™VI	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	STN3			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		Canale P						60 V	3A(Tj)	10 V	160 mOhm a 1,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	6,4 nC a 10 V	±20 V	340 pF a 48 V	-	2,6 W (TC)
STF3NK100Z	3.8900	Richiesta di offerta	6314	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF3NK100			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						1000 V	2,5 A (TC)	10 V	6 Ohm a 1,25 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	18 nC a 10 V	±30 V	601 pF a 25 V	-	25 W (Tc)