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Transistor(3861)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
STP7NK80ZFP	2.8800	Richiesta di offerta	839	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STP7NK80		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN		800 V	5,2 A(Tc)	10 V	1,8 Ohm a 2,6 A, 10 V	4,5 V a 100 µA	56 nC a 10 V	±30 V	1138 pF a 25 V	-	30 W (Tc)
STL12N3LLH5	-	Richiesta di offerta	2	STMicroelettronica	STRipFET™ V	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL12		MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (3,3x3,3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN		30 V	12A (Tc)	4,5 V, 10 V	9 mOhm a 6 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	12 nC a 4,5 V	±22 V	1500 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 50 W (Tc)
STO52N60DM6	4.5000	Richiesta di offerta	4980	STMicroelettronica	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSFN	STO52		MOSFET (ossido di metallo)		PEDAGGIO (HV)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-STO52N60DM6	EAR99	8541.29.0095	1.800	CanaleN		600 V	45A (Tc)	10 V	78 mOhm a 22,5 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	52 nC a 10 V	±25 V	2468 pF a 100 V	-	305 W(Tc)
STS5N15F3	2.6600	Richiesta di offerta	470	STMicroelettronica	STRipFET™ III	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	STS5N		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN		150 V	5A (Tc)	10 V	57 mOhm a 2,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	29 nC a 10 V	±20 V	1300 pF a 25 V	-	2,5 W(Tc)
BULD742CT4	1.1100	Richiesta di offerta	8624	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	BULD742			45 W	DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500															400 V	4A						250μA	NPN	1,5 V a 1 A, 3,5 A	25 a 800 mA, 3 V	-
STGF10M65DF2	1.6600	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	M	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STGF10	Standard		30 W	TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		400 V, 10 A, 22 Ohm, 15 V											96 ns	Sosta sul campo di trincea	650 V	20A	40A	2 V a 15 V, 10 A	120μJ (acceso), 270μJ (spento)	28 nC	19ns/91ns
STW36NM60N	-	Richiesta di offerta	8285	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW36N		MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	497-12369	EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN		600 V	29A(Tc)	10 V	105 mOhm a 14,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	83,6 nC a 10 V	±25 V	2722 pF a 100 V	-	210 W(Tc)
STU6N65K3	-	Richiesta di offerta	5002	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STU6N65		MOSFET (ossido di metallo)		TO-251 (IPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75	CanaleN		650 V	5,4 A(Tc)	10 V	1,3 Ohm a 2,7 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	33 nC a 10 V	±30 V	880 pF a 50 V	-	110 W (Tc)
STP5NK52ZD	2.2300	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP5NK52		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN		520 V	4,4 A(Tc)	10 V	1,5 Ohm a 2,2 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	16,9 nC a 10 V	±30 V	529 pF a 25 V	-	25 W (Tc)
STGWT30HP65FB	2.2356	Richiesta di offerta	7823	STMicroelettronica	HB	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3	STGWT30	Standard		260 W	TO-3P	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	600		400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V											140 n	Sosta sul campo di trincea	650 V	60A	120A	2 V a 15 V, 30 A	293μJ (spento)	149 nC	-/146ns
STGW80H65FB	4.3647	Richiesta di offerta	3558	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STGW80	Standard		469 W	TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		400 V, 80 A, 10 Ohm, 15 V												Sosta sul campo di trincea	650 V	120A	240A	2 V a 15 V, 80 A	2,1 mJ (acceso), 1,5 mJ (spento)	414 nC	84ns/280ns
STW48N60M6-4	6.2926	Richiesta di offerta	8344	STMicroelettronica	MDmesh™ M6	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-4	STW48		MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-4	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	600	CanaleN		600 V	39A(Tc)	10 V	69 mOhm a 19,5 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	57 nC a 10 V	±25 V	2578 pF a 100 V	-	250 W(Tc)
STF6N65K3	2.4400	Richiesta di offerta	243	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF6		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-12424	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN		650 V	5,4 A(Tc)	10 V	1,3 Ohm a 2,8 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	35 nC a 10 V	±30 V	880 pF a 50 V	-	30 W (Tc)
ST2310DHI	-	Richiesta di offerta	7190	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	ISOWATT-218-3	ST2310			55 W	ISOWATT-218	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	300															600 V	12A						1mA	NPN	3 V a 1,75 A, 7 A	5,5 a 7 A, 5 V	-
STFI14N80K5	-	Richiesta di offerta	7419	STMicroelettronica	MDmesh™ K5	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Confezione completa, I²Pak	STFI14N		MOSFET (ossido di metallo)		I2PAKFP (TO-281)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500	CanaleN		800 V	12A (Tc)	10 V	445 mOhm a 6 A, 10 V	5 V a 100 µA	22 nC a 10 V	±30 V	620 pF a 100 V	-	30 W (Tc)
STGW20H65FB	2.0653	Richiesta di offerta	4843	STMicroelettronica	-	Tubo	Acquisto per l'ultima volta	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STGW20	Standard		168 W	TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		400 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V												Sosta sul campo di trincea	650 V	40A	80A	2 V a 15 V, 20 A	77μJ (acceso), 170μJ (spento)	120 nC	30ns/139ns
STL15N60DM6	1.0473	Richiesta di offerta	4378	STMicroelettronica	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL15		MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (5x6) Alta tensione	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-STL15N60DM6	EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN		600 V	8,5 A(Tc)	10 V	372 mOhm a 3,8 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	15,3 nC a 10 V	±25 V	607 pF a 100 V	-	64 W (Tc)
2STN2550	-	Richiesta di offerta	5221	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	2STN			1,6 W	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000															50 V	5A						100nA (ICBO)	PNP	550 mV a 300 mA, 3 A	110 a 2A, 2V	-
STF19NM65N	-	Richiesta di offerta	2469	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF19		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN		650 V	15,5 A(Tc)	10 V	270 mOhm a 7,75 A, 10 V	4 V a 250 µA	55 nC a 10 V	±25 V	1900 pF a 50 V	-	35 W (Tc)
STL3N65M2	1.0500	Richiesta di offerta	6	STMicroelettronica	MDmesh™ M2	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL3		MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (3,3x3,3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN		650 V	2,3 A(Tc)	10 V	1,8 Ohm a 1 A, 10 V	4 V a 250 µA	5 nC a 10 V	±25 V	155 pF a 100 V	-	22 W (Tc)
STL45N10F7AG	1.6500	Richiesta di offerta	2507	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL45		MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN		100 V	18A (Tc)	10 V	24 mOhm a 9 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	19,5 nC a 10 V	±20 V	1450 pF a 50 V	-	72 W (Tc)
STU4N52K3	1.3300	Richiesta di offerta	2	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STU4N52		MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75	CanaleN		525 V	2,5 A (TC)	10 V	2,6 Ohm a 1,25 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	11 nC a 10 V	±30 V	334 pF a 100 V	-	45 W (Tc)
STP5N95K3	-	Richiesta di offerta	6088	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP5N		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN		950 V	4A(Tc)	10 V	3,5 Ohm a 2 A, 10 V	5 V a 100 µA	19 nC a 10 V	±30 V	460 pF a 25 V	-	90 W (Tc)
STL11N6F7	-	Richiesta di offerta	1035	STMicroelettronica	STRipFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL11		MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (3,3x3,3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN		60 V	11A (Ta)	10 V	12 mOhm a 5,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	17 nC a 10 V	±20 V	1035 pF a 30 V	-	2,9 W (Ta), 48 W (Tc)
STW24N60DM2	5.1500	Richiesta di offerta	14	STMicroelettronica	FDmesh™ II Plus	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW24		MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN		600 V	18A (Tc)	10 V	200 mOhm a 9 A, 10 V	5 V a 250 µA	29 nC a 10 V	±25 V	1055 pF a 100 V	-	150 W(Tc)
STB150NF55T4	4.2300	Richiesta di offerta	4535	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB150		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN		55 V	120A (Tc)	10 V	6 mOhm a 60 A, 10 V	4 V a 250 µA	190 nC a 10 V	±20 V	4400 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
STL7LN80K5	2.4800	Richiesta di offerta	6017	STMicroelettronica	MDmesh™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL7LN80		MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-16496-2	EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN		800 V	5A (Tc)	10 V	1,15 Ohm a 2,5 A, 10 V	5 V a 100 µA	12 nC a 10 V	±30 V	270 pF a 100 V	-	42 W (Tc)
STP9N80K5	1.4205	Richiesta di offerta	7504	STMicroelettronica	MDmesh™ K5	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP9N80		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN		800 V	7A(Tc)	10 V	900 mOhm a 3,5 A, 10 V	5 V a 100 µA	12 nC a 10 V	±30 V	340 pF a 100 V	-	110 W (Tc)
STF16NM50N	-	Richiesta di offerta	3557	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF16		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN		500 V	15A (Tc)	10 V	260 mOhm a 7,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	38 nC a 10 V	±25 V	1200 pF a 50 V	-	30 W (Tc)
STB38N65M5	6.5400	Richiesta di offerta	5007	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB38		MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN		650 V	30A (Tc)	10 V	95 mOhm a 15 A, 10 V	5 V a 250 µA	71 nC a 10 V	±25 V	3000 pF a 100 V	-	190 W(Tc)