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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Voltaggio: nominale Temperatura operativa Applicazioni Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Frequenza Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Tipo FET Corrente nominale (Amp) Condizione di prova Corrente - Prova Potenza-Uscita Guadagno Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Figura di rumore Tempo di recupero inverso (trr) Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Tensione - Prova Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione
BUTW92 STMicroelectronics MA92 13.4700
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ECAD 3031 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 MA92 180 W TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 250 V 45A 50μA NPN 1 V a 15 A, 60 A 9 @ 60A, 3V -
STH10N80K5-2AG STMicroelectronics STH10N80K5-2AG 4.4100
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ECAD 9190 0.00000000 STMicroelettronica Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB STH10 MOSFET (ossido di metallo) H2Pak-2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-STH10N80K5-2AGTR EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 800 V 8A (Tc) 10 V 680 mOhm a 4 A, 10 V 5 V a 100 µA 17,3 nC a 10 V ±30 V 426 pF a 100 V - 121 W(Tc)
STC08DE150HV STMicroelectronics STC08DE150HV -
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ECAD 8305 0.00000000 STMicroelettronica ESBT® Tubo Obsoleto 1500 V (1,5 kV) Autista del cancello Foro passante TO-247-4 STC08D TO-247-4L alta tensione scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-10006-5 EAR99 8541.29.0095 30 8A NPN - Bipolare commutato dall'emettitore
STHU47N60DM6AG STMicroelectronics STHU47N60DM6AG 7.5200
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ECAD 8696 0.00000000 STMicroelettronica Automobilistico Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA MOSFET (ossido di metallo) HU3PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-STHU47N60DM6AGTR EAR99 8541.29.0095 600 CanaleN 600 V 36A(Tc) 10 V 80 mOhm a 18 A, 10 V 4,75 V a 250 µA 55 nC a 10 V ±25 V 2350 pF a 100 V - 250 W(Tc)
STP9NK70Z STMicroelectronics STP9NK70Z -
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ECAD 8811 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP9N MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 700 V 7,5 A(Tc) 10 V 1,2 Ohm a 4 A, 10 V 4,5 V a 100 µA 68 nC a 10 V ±30 V 1370 pF a 25 V - 115 W(Tc)
STGW60H65DFB STMicroelectronics STGW60H65DFB 6.0200
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ECAD 8405 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STGW60 Standard 375 W TO-247 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 60 A, 5 Ohm, 15 V 60 ns Sosta sul campo di trincea 650 V 80A 240A 2 V a 15 V, 60 A 1,09 mJ (acceso), 626 µJ (spento) 306 nC 51ns/160ns
STFI8N80K5 STMicroelectronics STFI8N80K5 2.3800
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ECAD 1 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH5™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-262-3 Confezione completa, I²Pak STFI8 MOSFET (ossido di metallo) I2PAKFP (TO-281) scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 800 V 6A (Tc) 10 V 950 mOhm a 3 A, 10 V 5 V a 100 µA 16,5 nC a 10 V ±30 V 450 pF a 100 V - 25 W (Tc)
STGWA30N120KD STMicroelectronics STGWA30N120KD -
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ECAD 2201 0.00000000 STMicroelettronica PowerMESH™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 125°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STGWA30 Standard 220 W TO-247 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 960 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V 84 nn - 1200 V 60A 100A 3,85 V a 15 V, 20 A 2,4 mJ (acceso), 4,3 mJ (spento) 105 nC 36ns/251ns
STAC9200 STMicroelectronics STAC9200 -
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ECAD 7860 0.00000000 STMicroelettronica - Scatola Obsoleto 80 V Montaggio su telaio STAC244B STAC9200 1,3GHz LDMOS STAC244B scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 80 1μA 230 W 18dB -
STW58N60DM2AG STMicroelectronics STW58N60DM2AG 12.0600
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ECAD 2159 0.00000000 STMicroelettronica Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STW58 MOSFET (ossido di metallo) TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-16131-5 EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 600 V 50A (Tc) 10 V 60 mOhm a 25 A, 10 V 5 V a 250 µA 90 nC a 10 V ±25 V 4100 pF a 100 V - 360 W(Tc)
STP75N75F4 STMicroelectronics STP75N75F4 -
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ECAD 5682 0.00000000 STMicroelettronica DeepGATE™, STripFET™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP75N MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-13395-5 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 75 V 78A(Tc) 10 V 11 mOhm a 39 A, 10 V 4 V a 250 µA 76 nC a 10 V ±20 V 5015 pF a 25 V - 150 W(Tc)
STL128DN STMicroelectronics STL128DN -
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ECAD 2137 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STL128 60 W TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 400 V 4A 250μA NPN 1 V a 400 mA, 2 A 10 a 10 mA, 5 V -
STGD10NC60KDT4 STMicroelectronics STGD10NC60KDT4 1.5900
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ECAD 8804 0.00000000 STMicroelettronica PowerMESH™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 STGD10 Standard 62 W DPAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 390 V, 5 A, 10 Ohm, 15 V 22 ns - 600 V 20A 30A 2,5 V a 15 V, 5 A 55μJ (acceso), 85μJ (spento) 19 nC 17ns/72ns
STI55NF03L STMicroelectronics STI55NF03L 1.7000
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ECAD 755 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ II Tubo Obsoleto -60°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA STI55 MOSFET (ossido di metallo) I2PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 30 V 55A (Tc) 4,5 V, 10 V 13 mOhm a 27,5 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 27 nC a 4,5 V ±16V 1265 pF a 25 V - 80 W (Tc)
STF12N50DM2 STMicroelectronics STF12N50DM2 2.1500
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ECAD 101 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™DM2 Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF12 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 500 V 11A(Tc) 10 V 350 mOhm a 5,5 A, 10 V 5 V a 250 µA 16 nC a 10 V ±25 V 628 pF a 100 V - 25 W (Tc)
RF2L16180CB4 STMicroelectronics RF2L16180CB4 145.2000
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ECAD 30 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e bobina (TR) Attivo 65 V Montaggio su telaio B4E 1,6GHz LDMOS B4E scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) REACH Inalterato 497-RF2L16180CB4TR EAR99 8541.29.0095 120 1μA 600 mA 180 W 14dB - 28 V
STGW40H65DFB-4 STMicroelectronics STGW40H65DFB-4 5.4400
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ECAD 1083 0.00000000 STMicroelettronica HB Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 STGW40 Standard 283 W TO-247-4 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 40 A, 5 Ohm, 15 V 62 nn Sosta sul campo di trincea 650 V 80A 160A 2 V a 15 V, 40 A 200μJ (acceso), 410μJ (spento) 210 nC 40ns/142ns
STGWA40H65DFB2 STMicroelectronics STGWA40H65DFB2 4.1200
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ECAD 2201 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STGWA40 Standard 230 W TO-247 Cavi lunghi scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-19785 EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 40 A, 4,7 Ohm, 15 V 75 ns Sosta sul campo di trincea 650 V 72A 160A 2 V a 15 V, 40 A 765μJ (acceso), 410μJ (spento) 153 nC 18ns/72ns
STP13N60DM2 STMicroelectronics STP13N60DM2 0,8679
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ECAD 7861 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™DM2 Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP13 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.000 CanaleN 600 V 11A(Tc) 10 V 365 mOhm a 5,5 A, 10 V 5 V a 250 µA 19 nC a 10 V ±25 V 730 pF a 100 V - 110 W (Tc)
STB28N60M2 STMicroelectronics STB28N60M2 3.7900
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ECAD 3995 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ II Plus Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB STB28 MOSFET (ossido di metallo) D²PAK (TO-263) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 600 V 22A(Tc) 10 V 150 mOhm a 11 A, 10 V 4 V a 250 µA 36 nC a 10 V ±25 V 1440 pF a 100 V - 170 W(Tc)
STI12N65M5 STMicroelectronics STI12N65M5 -
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ECAD 1797 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ V Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA STI12N MOSFET (ossido di metallo) I2PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 650 V 8,5 A(Tc) 10 V 430 mOhm a 4,3 A, 10 V 5 V a 250 µA 22 nC a 10 V ±25 V 900 pF a 100 V - 70 W (Tc)
STB5N52K3 STMicroelectronics STB5N52K3 -
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ECAD 9155 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH3™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB STB5N MOSFET (ossido di metallo) D²PAK (TO-263) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 525 V 4,4 A(Tc) 10 V 1,5 Ohm a 2,2 A, 10 V 4,5 V a 50 µA 17 nC a 10 V ±30 V 545 pF a 100 V - 70 W (Tc)
STP90N6F6 STMicroelectronics STP90N6F6 1.5300
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ECAD 852 0.00000000 STMicroelettronica DeepGATE™, STripFET™VI Tubo Obsoleto 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP90N MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 60 V 84A(Tc) 10 V 6,8 mOhm a 38,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 74,9 nC a 10 V ±20 V 4295 pF a 25 V - 136 W(Tc)
STFU14N80K5 STMicroelectronics STFU14N80K5 2.0154
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ECAD 2101 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ K5 Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STFU14 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 800 V 12A (Tc) 10 V 445 mOhm a 6 A, 10 V 5 V a 100 µA 22 nC a 10 V ±30 V 620 pF a 100 V - 30 W (Tc)
STP130NH02L STMicroelectronics STP130NH02L -
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ECAD 2897 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP130 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 24 V 90A (Tc) 5 V, 10 V 4,4 mOhm a 45 A, 10 V 1 V a 250 µA 93 nC a 10 V ±20 V 4450 pF a 15 V - 150 W(Tc)
STP33N60DM6 STMicroelectronics STP33N60DM6 5.4000
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ECAD 7145 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ M6 Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP33 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 600 V 25A (Tc) 10 V 128 mOhm a 12,5 A, 10 V 4,75 V a 250 µA 35 nC a 10 V ±25 V 1500 pF a 100 V - 190 W(Tc)
STGB20H60DF STMicroelectronics STGB20H60DF 2.8600
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ECAD 8014 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB STGB20 Standard 167 W D2PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 400 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V 90 ns Sosta sul campo di trincea 600 V 40A 80A 2 V a 15 V, 20 A 209μJ (acceso), 261μJ (spento) 115 nC 42,5 n/177 n
STF40N20 STMicroelectronics STF40N20 -
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ECAD 2516 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF40N MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-5006-5 EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 200 V 40A (Tc) 10 V 45 mOhm a 20 A, 10 V 4 V a 250 µA 75 nC a 10 V ±20 V 2500 pF a 25 V - 40 W (Tc)
STP35N65DM2 STMicroelectronics STP35N65DM2 3.4526
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ECAD 3404 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™DM2 Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP35 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 650 V 32A(Tc) 10 V 110 mOhm a 16 A, 10 V 5 V a 250 µA 56,3 nC a 10 V ±25 V 2540 pF a 100 V - 250 W(Tc)
STGWT80V60DF STMicroelectronics STGWT80V60DF 5.9000
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ECAD 1 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-3P-3, SC-65-3 STGWT80 Standard 469 W TO-3P scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 80 A, 5 Ohm, 15 V 60 ns Sosta sul campo di trincea 600 V 120A 240A 2,3 V a 15 V, 80 A 1,8 mJ (acceso), 1 mJ (spento) 448 nC 60ns/220ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock