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Transistor(3861)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
BUX98APW	-	Richiesta di offerta	1050	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	BUX98			200 W		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30																			450 V	24A			2mA			NPN	1,2 V a 3,2 A, 16 A	-	-
STF2N80K5	1.4700	Richiesta di offerta	2	STMicroelettronica	SuperMESH5™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF2N80		MOSFET (ossido di metallo)			TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					800 V	2A(Tc)	10 V	4,5 Ohm a 1 A, 10 V	5 V a 100 µA	3 nC a 10 V	30 V	95 pF a 100 V	-	20 W (Tc)
STP45NF06	1.7200	Richiesta di offerta	6	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Tubo	Attivo		175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP45		MOSFET (ossido di metallo)			TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					60 V	38A(Tc)	10 V	28 mOhm a 19 A, 10 V	4 V a 250 µA	58 nC a 10 V	±20 V	980 pF a 25 V	-	80 W (Tc)
SGT120R65AL	5.2000	Richiesta di offerta	1394	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	SGT120		GaNFET (nitruro di gallio)			PowerFlat™ (5x6) Alta tensione	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P					650 V	15A (Tc)	6V	120 mOhm a 5 A, 6 V	2,6 V a 12 mA	3 nC a 6 V	+6V, -10V	125 pF a 400 V	-	192 W(Tc)
E-ULN2004A	-	Richiesta di offerta	9236	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	16 DIP (0,300", 7,62 mm)	ULN2004			-		16-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25																			50 V	500mA			-			7 PNP Darlington	1,6 V a 500 µA, 350 mA	1000 a 350 mA, 2 V	-
2STC4468	-	Richiesta di offerta	6975	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3	2STC			100 W		TO-3P	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30																			140 V	10A			100nA (ICBO)			NPN	700mV a 700mA, 7A	70 @ 3A, 4V	20 MHz
STL105DN4LF7AG	1.2994	Richiesta di offerta	9999	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL105		MOSFET (ossido di metallo)	94 W		PowerFlat™ (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)						40 V	40A (Tc)		4,5 mOhm a 12 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	27,5 nC a 10 V		1594 pF a 25 V	-
STBV45	-	Richiesta di offerta	5275	STMicroelettronica	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	STBV45			950 mW		TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.500																			400 V	750 mA			250μA			NPN	1,5 V a 135 mA, 400 mA	5 a 400 mA, 5 V	-
2STR1230	-	Richiesta di offerta	8194	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2STR			500 mW		SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000																			30 V	1,5 A			100nA (ICBO)			NPN	850 mV a 200 mA, 2 A	180 a 500 mA, 2 V	-
STP80NF03L	-	Richiesta di offerta	2542	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Tubo	Obsoleto		175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP80N		MOSFET (ossido di metallo)			TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-4386-5	EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN					30 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	4,5 mOhm a 40 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	110 nC a 4,5 V	±20 V	5500 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
STP5NB60	-	Richiesta di offerta	9890	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)			TO-220	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-2769-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					600 V	5A (Tc)	10 V	2 Ohm a 2,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	30 nC a 10 V	±30 V	884 pF a 25 V	-	100 W (Tc)
STB37N60DM2AG	6.6500	Richiesta di offerta	9585	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB37		MOSFET (ossido di metallo)			D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN					600 V	28A (Tc)	10 V	110 mOhm a 14 A, 10 V	5 V a 250 µA	54 nC a 10 V	±25 V	2400 pF a 100 V	-	210 W(Tc)
STD16N65M2	2.5100	Richiesta di offerta	2	STMicroelettronica	MDmesh™ M2	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD16		MOSFET (ossido di metallo)			DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN					650 V	11A(Tc)	10 V	360 mOhm a 5,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	19,5 nC a 10 V	±25 V	718 pF a 100 V	-	110 W (Tc)
2N2219A	-	Richiesta di offerta	2310	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		175°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N22			800 mW		TO-39	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	500																			30 V	800 mA			100nA (ICBO)			NPN	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	250 MHz
STB12NK80ZT4	5.1300	Richiesta di offerta	4	STMicroelettronica	SuperMESH™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB12N		MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN					800 V	10,5 A(Tc)	10 V	750 mOhm a 5,25 A, 10 V	4,5 V a 100 µA	87 nC a 10 V	±30 V	2620 pF a 25 V	-	190 W(Tc)
PD57018-E	30.3600	Richiesta di offerta	1173	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo	65 V			Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10	PD57018	945 MHz	LDMOS			10-PowerSO	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			2,5 A	100 mA	18 W	16,5dB											-					28 V
STB140NF75T4	3.9700	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	STRipFET™ III	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB140		MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN					75 V	120A (Tc)	10 V	7,5 mOhm a 70 A, 10 V	4 V a 250 µA	218 nC a 10 V	±20 V	5000 pF a 25 V	-	310 W(Tc)
STF13NM60N-H	-	Richiesta di offerta	5590	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF13		MOSFET (ossido di metallo)			TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					600 V	11A(Tc)	10 V	360 mOhm a 5,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	30 nC a 10 V	±25 V	790 pF a 50 V	-	25 W (Tc)
2STR1240	-	Richiesta di offerta	5450	STMicroelettronica	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-	-	2STR1240					-	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	12.000
STL210N4F7	0,9653	Richiesta di offerta	7838	STMicroelettronica	STRipFET F7	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL210		MOSFET (ossido di metallo)			PowerFlat™ (5x6)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-STL210N4F7	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN					40 V	120A (Tc)	10 V	1,6 mOhm a 16 A, 10 V	4 V a 250 µA	43 nC a 10 V	±20 V	3600 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
STP8N120K5	6.9500	Richiesta di offerta	9294	STMicroelettronica	MDmesh™ K5	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP8N120		MOSFET (ossido di metallo)			TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					1200 V	6A (Tc)	10 V	2 Ohm a 2,5 A, 10 V	5 V a 100 µA	13,7 nC a 10 V	±30 V	505 pF a 100 V	-	130 W(Tc)
STB18NM80	4.7100	Richiesta di offerta	2680	STMicroelettronica	MDmesh™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB18		MOSFET (ossido di metallo)			D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-10117-1	EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN					800 V	17A(Tc)	10 V	295 mOhm a 8,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	70 nC a 10 V	±25 V	2070 pF a 50 V	-	190 W(Tc)
STP14NK50Z	4.2800	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP14		MOSFET (ossido di metallo)			TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					500 V	14A (Tc)	10 V	380 mOhm a 6 A, 10 V	4,5 V a 100 µA	92 nC a 10 V	±30 V	2000 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
A1P50S65M2	50.2800	Richiesta di offerta	9897	STMicroelettronica	-	Vassoio	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	A1P50			208 W	Standard	ACEPACKTM1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	18	Invertitore trifase																	Sosta sul campo di trincea	650 V	50A	2,3 V a 15 V, 50 A		100 µA	SÌ	4,15 nF a 25 V
BD237	1.0700	Richiesta di offerta	2	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-225AA, TO-126-3	BD237			25 W		SOT-32-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																			80 V	2A			100μA (ICBO)			NPN	600 mV a 100 mA, 1 A	25 a 1 A, 2 V	-
SCTH50N120-7	35,5000	Richiesta di offerta	46	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA	SCTH50		SiCFET (carburo di silicio)			H2PAK-7	scaricamento			REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN					1200 V	65A	20 V	69 mOhm a 40 A, 20 V	5,1 V a 1 mA	122 nC a 20 V	+22V, -10V	1900 pF a 400 V	-	270 W(Tc)
SUGGERIMENTO121	0,6700	Richiesta di offerta	3466	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	SUGGERIMENTO121			2 W		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																			80 V	5A			500μA			NPN-Darlington	4 V a 20 mA, 5 A	1000 a 3 A, 3 V	-
STS1DN45K3	-	Richiesta di offerta	3554	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	STS1D		MOSFET (ossido di metallo)	1,3 W		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 canali N (doppio)						450 V	500mA		3,8 Ohm a 500 mA, 10 V	4,5 V a 50 µA	6nC a 10V		150 pF a 25 V	-
STL25N15F4	-	Richiesta di offerta	2195	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL25		MOSFET (ossido di metallo)			PowerFlat™ (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN					150 V	25A (Tc)	10 V	63 mOhm a 3 A, 10 V	4 V a 250 µA	48 nC a 10 V	±20 V	2710 pF a 25 V	-	80 W (Tc)
STB10NK60Z-1	-	Richiesta di offerta	7783	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STB10N		MOSFET (ossido di metallo)			I2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					600 V	10A (Tc)	10 V	750 mOhm a 4,5 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	70 nC a 10 V	±30 V	1370 pF a 25 V	-	115 W(Tc)