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Transistor(3861)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
STP11NM60FDFP	5.6600	Richiesta di offerta	150	STMicroelettronica	FDmesh™	Tubo	Attivo		-	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STP11			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN						600 V	11A(Tc)	10 V	450 mOhm a 5,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	40 nC a 10 V	±30 V	900 pF a 25 V	-	35 W (Tc)
STL9N3LLH5	-	Richiesta di offerta	4502	STMicroelettronica	STRipFET™ V	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL9			MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (3,3x3,3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN						30 V	9A (Tc)	4,5 V, 10 V	19 mOhm a 4,5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	5 nC a 4,5 V	±22 V	724 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 50 W (Tc)
STS7N3LLH6	-	Richiesta di offerta	1757	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-	-	-	STS7N3			-		-	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	-							-		-	-				-	-
STWA63N65DM2	12.8700	Richiesta di offerta	7493	STMicroelettronica	MDmesh™DM2	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STWA63			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247 Cavi lunghi	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	600	CanaleN						650 V	60A (Tc)	10 V	50 mOhm a 30 A, 10 V	5 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±25 V	5500 pF a 100 V	-	446 W(Tc)
STP3NK60Z	1.5900	Richiesta di offerta	208	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Design non per nuovi		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP3NK60			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN						600 V	2,4 A(Tc)	10 V	3,6 Ohm a 1,2 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	11,8 nC a 10 V	±30 V	311 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
2STD1360T4	-	Richiesta di offerta	5790	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	2STD1360				15 W	DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	2.500																				60 V	3A							100nA (ICBO)	NPN	500 mV a 150 mA, 3 A	160 @ 1A, 2V	130 MHz
STW75N60M6	9.1006	Richiesta di offerta	9856	STMicroelettronica	MDmesh™ M6	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW75			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	600	CanaleN						600 V	72A(Tc)	10 V	36 mOhm a 36 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	106 nC a 10 V	±25 V	4850 pF a 100 V	-	446 W(Tc)
STGB30H60DLLFBORSA	3.6300	Richiesta di offerta	2592	STMicroelettronica	HB	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STGB30	Logica			260 W	D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			400 V, 30 A, 10 Ohm, 5 V																Sosta sul campo di trincea	600 V	60A	120A	2,15 V a 5 V, 30 A	600μJ (spento)	110 nC	-/320ns
STB26NM60ND	-	Richiesta di offerta	8151	STMicroelettronica	FDmesh™II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB26N			MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN						600 V	21A(Tc)	10 V	175 mOhm a 10,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	54,6 nC a 10 V	±25 V	1817 pF a 100 V	-	190 W(Tc)
TIP34C	-	Richiesta di offerta	1470	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	SUGGERIMENTO34				80 W	TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30																				100 V	10A							700μA	PNP	4 V a 2,5 A, 10 A	20 a 3 A, 4 V	3 MHz
STWA60N099DM9AG	-	Richiesta di offerta	5063	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo											-				497-STWA60N099DM9AG			1
BDW83C	-	Richiesta di offerta	1149	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	BDW83				130 W	TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30																				100 V	15A							1mA	NPN-Darlington	4 V a 150 mA, 15 A	750 a 6 A, 3 V	-
STS7NF60L	2.2300	Richiesta di offerta	9986	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	STS7NF60			MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN						60 V	7,5 A(Tc)	5 V, 10 V	19,5 mOhm a 3,5 A, 10 V	1 V a 250 µA	34 nC a 4,5 V	±16V	1700 pF a 25 V	-	2,5 W(Tc)
STU5N80K5	0,9160	Richiesta di offerta	6384	STMicroelettronica	MDmesh™ K5	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STU5N80			MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN						800 V	4A(Tc)	10 V	1,75 Ohm a 2 A, 10 V	5 V a 100 µA	5 nC a 10 V	±30 V	177 pF a 100 V	-	60 W (Tc)
STGWA40H120F2	11.2900	Richiesta di offerta	1480	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STGWA40	Standard			468 W	TO-247 Cavi lunghi	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30			600 V, 40 A, 10 Ohm, 15 V																Sosta sul campo di trincea	1200 V	80A	160A	2,6 V a 15 V, 40 A	1 mJ (acceso), 1,32 mJ (spento)	158 nC	18ns/152ns
STP10NK80ZFP	4.4700	Richiesta di offerta	3032	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STP10			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN						800 V	9A (Tc)	10 V	900 mOhm a 4,5 A, 10 V	4,5 V a 100 µA	72 nC a 10 V	±30 V	2180 pF a 25 V	-	40 W (Tc)
STF5N105K5	2.8800	Richiesta di offerta	918	STMicroelettronica	MDmesh™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF5N105			MOSFET (ossido di metallo)		Pacchetto completo TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN						1050 V	3A (Tc)	10 V	3,5 Ohm a 1,5 A, 10 V	5 V a 100 µA	12,5 nC a 10 V	±30 V	210 pF a 100 V	-	25 W (Tc)
BD135-16	0,6000	Richiesta di offerta	4	STMicroelettronica	-	Tubo	Design non per nuovi		150°C (TJ)	Foro passante	TO-225AA, TO-126-3	BD135				1,25 W	SOT-32	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																				45 V	1,5 A							100nA (ICBO)	NPN	500mV a 50mA, 500mA	40 a 150 mA, 2 V	-
D45H5	-	Richiesta di offerta	7494	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	D45H5				50 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																				45 V	10A							10μA	PNP	1 V a 400 mA, 8 A	40 @ 4A, 1V	-
SUGGERIMENTO47	0,9100	Richiesta di offerta	9574	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	SUGGERIMENTO47				2 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																				250 V	1A							1mA	NPN	1 V a 200 mA, 1 A	30 a 300 mA, 10 V	10 MHz
SCTW35N65G2V	18.6800	Richiesta di offerta	4402	STMicroelettronica	Automobilistico, AEC-Q101	Tubo	Attivo		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	SCTW35			SiCFET (carburo di silicio)		HiP247™	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-SCTW35N65G2V	EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN						650 V	45A (Tc)	18 V, 20 V	67 mOhm a 20 A, 20 V	5 V a 1 mA	73 nC a 20 V	+22V, -10V	1370 pF a 400 V	-	240 W(Tc)
PD57030-E	44.6800	Richiesta di offerta	9122	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo	65 V			Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10	PD57030		945 MHz	LDMOS		10-PowerSO	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		4A		50 mA	30 W	14dB											-										28 V
STGW30V60F	3.6600	Richiesta di offerta	500	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STGW30	Standard			260 W	TO-247	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30			400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V																Sosta sul campo di trincea	600 V	60A	120A	2,3 V a 15 V, 30 A	383μJ (acceso), 233μJ (spento)	163 nC	45ns/189ns
STP20N90K5	7.0600	Richiesta di offerta	9726	STMicroelettronica	MDmesh™ K5	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP20			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-17087	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN						900 V	20A (Tc)	10 V	250 mOhm a 10 A, 10 V	5 V a 100 µA	40 nC a 10 V	±30 V	1500 pF a 100 V	-	250 W(Tc)
STGW80V60DF	7.1900	Richiesta di offerta	8394	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3 Tampone esposto	STGW80	Standard			469 W	TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-14058-5	EAR99	8541.29.0095	30			400 V, 80 A, 5 Ohm, 15 V															60 ns	Sosta sul campo di trincea	600 V	120A	240A	2,3 V a 15 V, 80 A	1,8 mJ (acceso), 1 mJ (spento)	448 nC	60ns/220ns
STFU13N65M2	2.2500	Richiesta di offerta	983	STMicroelettronica	MDmesh™ M2	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STFU13			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN						650 V	10A (Tc)	10 V	430 mOhm a 5 A, 10 V	4 V a 250 µA	17 nC a 10 V	±25 V	590 pF a 100 V	-	25 W (Tc)
STD150N3LLH6	2.0300	Richiesta di offerta	963	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™ VI	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD15			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN						30 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,8 mOhm a 40 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	29 nC a 4,5 V	±20 V	3700 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
STW28NM50N	8.0100	Richiesta di offerta	579	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW28			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-10718-5	EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN						500 V	21A(Tc)	10 V	158 mOhm a 10,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	50 nC a 10 V	±25 V	1735 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
2N6388	-	Richiesta di offerta	9786	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	2N63				65 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																				80 V	10A							1mA	NPN-Darlington	3 V a 100 mA, 10 A	1000 a 5 A, 3 V	-
STD3NM60-1	-	Richiesta di offerta	2862	STMicroelettronica	MDmesh™	Tubo	Obsoleto		-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STD3N			MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75	CanaleN						600 V	3A (Tc)	10 V	1,5 Ohm a 1,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	14 nC a 10 V	±30 V	324 pF a 25 V	-	42 W (Tc)