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Transistor(3861)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
STGF6NC60HD	1.5400	Richiesta di offerta	125	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STGF6	Standard			20 W	TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50				390 V, 3 A, 10 Ohm, 15 V															21 ns	-	600 V	6A	21A	2,5 V a 15 V, 3 A	20μJ (acceso), 68μJ (spento)	13,6 nC	12ns/76ns
STP2N62K3	1.2500	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP2N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						620 V	2,2 A(Tc)	10 V	3,6 Ohm a 1,1 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	15 nC a 10 V	±30 V	340 pF a 50 V	-	45 W (Tc)
STT7P2UH7	-	Richiesta di offerta	8175	STMicroelettronica	STRipFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	STT7P			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P						20 V	7A(Tc)	1,5 V, 4,5 V	22,5 mOhm a 3,5 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	22 nC a 4,5 V	±8 V	2390 pF a 16 V	-	1,6 W (TC)
STF16N50U	-	Richiesta di offerta	8397	STMicroelettronica	UltraFAST™	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF16			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						500 V	15A (Tc)	10 V	520 mOhm a 5 A, 10 V	4,5 V a 100 µA	40 nC a 10 V	±30 V	1950 pF a 25 V	-	30 W (Tc)
SD2918	-	Richiesta di offerta	7660	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto	125 V			M113	SD2918		30 MHz	MOSFET		M113	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25	CanaleN		6A		100 mA	30 W	22dB											-										50 V
STI24N60M2	2.7900	Richiesta di offerta	190	STMicroelettronica	MDmesh™ II Plus	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STI24			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK (TO-262)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						600 V	18A (Tc)	10 V	190 mOhm a 9 A, 10 V	4 V a 250 µA	29 nC a 10 V	±25 V	1060 pF a 100 V	-	150 W(Tc)
STD3NK100Z	2.4600	Richiesta di offerta	1348	STMicroelettronica	SuperMESH™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD3NK100			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						1000 V	2,5 A (TC)	10 V	6 Ohm a 1,25 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	18 nC a 10 V	±30 V	601 pF a 25 V	-	90 W (Tc)
STL13N60M2	2.0600	Richiesta di offerta	4591	STMicroelettronica	MDmesh™ II Plus	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL13			MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (5x6) Alta tensione	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN						600 V	7A(Tc)	10 V	420 mOhm a 4,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	17 nC a 10 V	±25 V	580 pF a 100 V	-	55 W (Tc)
STW34N65M5	6.5300	Richiesta di offerta	16	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW34			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						650 V	28A (Tc)	10 V	110 mOhm a 14 A, 10 V	5 V a 250 µA	62,5 nC a 10 V	±25 V	2700 pF a 100 V	-	190 W(Tc)
STW22NM60N	-	Richiesta di offerta	8546	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW22N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						600 V	16A (Tc)	10 V	220 mOhm a 8 A, 10 V	4 V a 250 µA	44 nC a 10 V	±30 V	1330 pF a 50 V	-	125 W (Tc)
STB12NM50ND	-	Richiesta di offerta	3450	STMicroelettronica	FDmesh™II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB12N			MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						500 V	11A(Tc)	10 V	380 mOhm a 5,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	30 nC a 10 V	±25 V	850 pF a 50 V	-	100 W (Tc)
STN690A	0,4600	Richiesta di offerta	9	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	STN69				1,6 W	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000																					30 V	3A							10 µA (ICBO)	NPN	400 mV a 100 mA, 3 A	100 a 500 mA, 2 V	100 MHz
STH270N8F7-2	5.2400	Richiesta di offerta	2166	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™ VII	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, variante D²Pak (2 conduttori + linguetta).	STH270			MOSFET (ossido di metallo)		H²PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-13873-2	EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						80 V	180A(Tc)	10 V	2,1 mOhm a 90 A, 10 V	4 V a 250 µA	193 nC a 10 V	±20 V	13600 pF a 50 V	-	315 W(Tc)
STP40NF20	4.0500	Richiesta di offerta	149	STMicroelettronica	STRipFET™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP40			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-5806-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						200 V	40A (Tc)	10 V	45 mOhm a 20 A, 10 V	4 V a 250 µA	75 nC a 10 V	±20 V	2500 pF a 25 V	-	160 W(Tc)
STFI15N65M5	2.5700	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Confezione completa, I²Pak	STFI15N			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAKFP (TO-281)	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						650 V	11A(Tc)	10 V	340 mOhm a 5,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	22 nC a 10 V	±25 V	816 pF a 100 V	-	30 W (Tc)
STU9N65M2	1.4700	Richiesta di offerta	889	STMicroelettronica	MDmesh™	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STU9N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-251 (IPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN						650 V	5A (Tc)	10 V	900 mOhm a 2,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	10 nC a 10 V	±25 V	315 pF a 100 V	-	60 W (Tc)
STL12HN65M2	-	Richiesta di offerta	9955	STMicroelettronica	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo			Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL12					PowerFlat™ (5x6) Alta tensione	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000									6A (Tc)
2N2222AUBG	-	Richiesta di offerta	3280	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo					1 W	UB	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-2N2222AUBGTR	EAR99	8541.29.0095	1																					50 V	800 mA							10nA	NPN	0,3 V a 15 mA, 150 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
STU7N65M6	0,7258	Richiesta di offerta	8062	STMicroelettronica	MDmesh™ M6	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STU7N65			MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN						650 V	5A (Tc)	10 V	990 mOhm a 2,5 A, 10 V	3,75 V a 250 µA	6,9 nC a 10 V	±25 V	220 pF a 100 V	-	60 W (Tc)
SD56120	-	Richiesta di offerta	3613	STMicroelettronica	-	Scatola	Obsoleto	65 V		Montaggio su telaio	M246	SD56120		860 MHz	LDMOS		M246	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	20			14A		400 mA	100 W	16dB											-										28 V
SD2933-03W	130.6800	Richiesta di offerta	3490	STMicroelettronica	-	Vassoio	Attivo				M177	SD2933		-	-		M177	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25	-		-			-	-											-
STD7N52K3	0,7062	Richiesta di offerta	7416	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD7N52			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-10016-2	EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						525 V	6A (Tc)	10 V	980 mOhm a 3,1 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	34 nC a 10 V	±30 V	737 pF a 100 V	-	90 W (Tc)
STF12NM50N	-	Richiesta di offerta	1721	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF12			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-4804-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						500 V	11A(Tc)	10 V	380 mOhm a 5,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	30 nC a 10 V	±25 V	940 pF a 50 V	-	25 W (Tc)
STP85N3LH5	-	Richiesta di offerta	7158	STMicroelettronica	STRipFET™ V	Tubo	Obsoleto		175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP85N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-8451-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						30 V	80A (Tc)	5 V, 10 V	5,4 mOhm a 40 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	14 nC a 5 V	±22 V	1850 pF a 25 V	-	70 W (Tc)
STB141NF55	1.6535	Richiesta di offerta	3729	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB141			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						55 V	80A (Tc)	10 V	8 mOhm a 40 A, 10 V	4 V a 250 µA	142 nC a 10 V	±20 V	5300 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
STWA40N90K5	15.6600	Richiesta di offerta	2098	STMicroelettronica	MDmesh™ K5	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STWA40			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247 Cavi lunghi	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						900 V	40A (Tc)	10 V	99 mOhm a 20 A, 10 V	5 V a 100 µA	89 nC a 10 V	±30 V	3260 pF a 100 V	-	446 W(Tc)
STP80N6F6	2.5700	Richiesta di offerta	642	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP80N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						60 V	110A (Tc)	10 V	5,8 mOhm a 50 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	122 nC a 10 V	±20 V	7480 pF a 25 V	-	120 W (Tc)
STF20NF06	-	Richiesta di offerta	4615	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF20			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-4340-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						60 V	20A (Tc)	10 V	70 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 250 µA	18 nC a 10 V	±20 V	400 pF a 25 V	-	28 W (Tc)
STF21N65M5	4.9500	Richiesta di offerta	8190	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF21			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						650 V	17A(Tc)	10 V	190 mOhm a 8,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	50 nC a 10 V	±25 V	1950 pF a 100 V	-	30 W (Tc)
STN888	-	Richiesta di offerta	9888	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	STN888				1,6 W	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000																					30 V	5A							10 µA (ICBO)	PNP	1,2 V a 500 mA, 10 A	100 a 500 mA, 1 V	-