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Transistor(3861)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
STW8NB100	-	Richiesta di offerta	6473	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW8N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-2646-5	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						1000 V	7,3 A(Tc)	10 V	1,45 Ohm a 3,6 A, 10 V	5 V a 250 µA	95 nC a 10 V	±30 V	2900 pF a 25 V	-	190 W(Tc)
STGWA60H65DFB	-	Richiesta di offerta	9092	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STGWA60	Standard			375 W	TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30				400 V, 60 A, 10 Ohm, 15 V															60 ns	Sosta sul campo di trincea	650 V	80A	240A	2 V a 15 V, 60 A	1,59 mJ (acceso), 900 µJ (spento)	306 nC	66ns/210ns
STW25N95K3	-	Richiesta di offerta	6160	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW25N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						950 V	22A(Tc)	10 V	360 mOhm a 11 A, 10 V	5 V a 150 µA	105 nC a 10 V	±30 V	3680 pF a 100 V	-	400 W(Tc)
STP45NF06	1.7200	Richiesta di offerta	6	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Tubo	Attivo		175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP45			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						60 V	38A(Tc)	10 V	28 mOhm a 19 A, 10 V	4 V a 250 µA	58 nC a 10 V	±20 V	980 pF a 25 V	-	80 W (Tc)
STP180NS04ZC	1.9970	Richiesta di offerta	6608	STMicroelettronica	SAFeFET™	Tubo	Design non per nuovi		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP180			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						33 V	120A (Tc)	10 V	4,2 mOhm a 40 A, 10 V	4 V a 1 mA	110 nC a 10 V	±20 V	4560 pF a 25 V	-	330 W(Tc)
2N3700	-	Richiesta di offerta	6929	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	2N37				500 mW	TO-18	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	1.000																					80 V	1A							10nA (ICBO)	NPN	500mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 10 V	100 MHz
STP50N60DM6	6.3400	Richiesta di offerta	994	STMicroelettronica	MDmesh™DM6	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP50			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-STP50N60DM6	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						600 V	36A(Tc)	10 V	80 mOhm a 18 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	55 nC a 10 V	±25 V	2350 pF a 100 V	-	250 W(Tc)
STL8NH3LL	1.4600	Richiesta di offerta	60	STMicroelettronica	STRipFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL8			MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (3,3x3,3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN						30 V	8A (Tc)	4,5 V, 10 V	15 mOhm a 4 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	12 nC a 4,5 V	±18 V	965 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 50 W (Tc)
STL11N65M5	2.5300	Richiesta di offerta	9233	STMicroelettronica	MDmesh™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL11			MOSFET (ossido di metallo)		PowerFLAT™ (5x5)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN						650 V	8,5 A(Tc)	10 V	530 mOhm a 4,25 A, 10 V	5 V a 250 µA	17 nC a 10 V	±25 V	644 pF a 100 V	-	70 W (Tc)
SO692	-	Richiesta di offerta	8585	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SO692				310 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000																					300 V	100 mA							100nA (ICBO)	PNP	500 mV a 2 mA, 20 mA	25 a 30 mA, 10 V	50 MHz
STX13004	-	Richiesta di offerta	3121	STMicroelettronica	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	STX13004				2,5 W	TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500																					400 V	2A							1mA	NPN	1 V a 500 mA, 2 A	10 a 1 A, 5 V	-
STD80N6F6	-	Richiesta di offerta	5756	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD80			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						60 V	80A (Tc)	10 V	6,5 mOhm a 40 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	122 nC a 10 V	±20 V	7480 pF a 25 V	-	120 W (Tc)
STP18NM60N	2.7400	Richiesta di offerta	5217	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP18			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						600 V	13A(Tc)	10 V	285 mOhm a 6,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	35 nC a 10 V	±25 V	1000 pF a 50 V	-	110 W (Tc)
STI23NM60N	-	Richiesta di offerta	5880	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STI23N			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						600 V	19A(Tc)	10 V	180 mOhm a 9,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	60 nC a 10 V	±25 V	2050 pF a 50 V	-	150 W(Tc)
STP57N65M5	11.3100	Richiesta di offerta	7963	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP57			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						650 V	42A(Tc)	10 V	63 mOhm a 21 A, 10 V	5 V a 250 µA	98 nC a 10 V	±25 V	4200 pF a 100 V	-	250 W(Tc)
RF2L42008CG2	36.3000	Richiesta di offerta	7233	STMicroelettronica	-	Massa	Attivo	65 V		Montaggio superficiale	E2	RF2L42008		700 MHz ~ 4,2 GHz	LDMOS		E2	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-RF2L42008CG2			300	-		1μA			8 W	14,5dB											-
STL100N8F7	2.8700	Richiesta di offerta	2895	STMicroelettronica	STRipFET™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL100			MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-16502-2	EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN						80 V	100A (Tc)	10 V	6,1 mOhm a 10 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	46,8 nC a 10 V	±20 V	3435 pF a 40 V	-	4,8 W (Ta), 120 W (Tc)
CONSIGLIO50	0,9000	Richiesta di offerta	8342	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	CONSIGLIO50				2 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																					400 V	1A							1mA	NPN	1 V a 200 mA, 1 A	30 a 300 mA, 10 V	10 MHz
TIP29A	0,6800	Richiesta di offerta	3	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	CONSIGLIO29				2 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																					60 V	1A							300μA	NPN	700 mV a 125 mA, 1 A	15 a 1 A, 4 V	-
STI16N65M5	3.5300	Richiesta di offerta	938	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STI16N			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						650 V	12A (Tc)	10 V	279 mOhm a 6 A, 10 V	5 V a 250 µA	31 nC a 10 V	±25 V	1250 pF a 100 V	-	90 W (Tc)
SCTW70N120G2V	46.1700	Richiesta di offerta	24	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	SCTW70			SiCFET (carburo di silicio)		HiP247™	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-SCTW70N120G2V	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						1200 V	91A(Tc)	18 V	30 mOhm a 50 A, 18 V	4,9 V a 1 mA	150 nC a 18 V	+22V, -10V	3540 pF a 800 V	-	547 W(Tc)
STP5N52K3	-	Richiesta di offerta	6735	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP5N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						525 V	4,4 A(Tc)	10 V	1,5 Ohm a 2,2 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	14 nC a 10 V	±30 V	450 pF a 100 V	-	70 W (Tc)
STR2550	0,5400	Richiesta di offerta	9825	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	STR2550				500 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000																					500 V	500 mA							10 µA (ICBO)	PNP	300 mV a 10 mA, 50 mA	100 a 50 mA, 10 V	-
STL3P6F6	-	Richiesta di offerta	2707	STMicroelettronica	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo					STL3P6						-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000
STL100N10F7	2.5600	Richiesta di offerta	73	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™ VII	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL100			MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN						100 V	80A (Tc)	10 V	7,3 mOhm a 19 A, 10 V	4 V a 250 µA	80 nC a 10 V	±20 V	5680 pF a 50 V	-	5 W (Ta), 100 W (Tc)
STGW60H65FB	5.5100	Richiesta di offerta	548	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STGW60	Standard			375 W	TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30				400 V, 60 A, 5 Ohm, 15 V																Sosta sul campo di trincea	650 V	80A	240A	2,3 V a 15 V, 60 A	1,09 mJ (acceso), 626 µJ (spento)	306 nC	51ns/160ns
SD2931-12MR	76.2300	Richiesta di offerta	4054	STMicroelettronica	-	Scatola	Attivo	125 V			M174MR	SD2931		175 MHz	MOSFET		M174MR	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25	CanaleN		20A		250 mA	150 W	15dB											-										50 V
STGB10NC60KT4	2.3200	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	PowerMESH™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STGB10	Standard			65 W	D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000				390 V, 5 A, 10 Ohm, 15 V																-	600 V	20A	30A	2,5 V a 15 V, 5 A	55μJ (acceso), 85μJ (spento)	19 nC	17ns/72ns
STD10N60DM2	1.5800	Richiesta di offerta	5450	STMicroelettronica	MDmesh™DM2	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD10			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-16924-2	EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						650 V	8A (Tc)	10 V	530 mOhm a 4 A, 10 V	5 V a 250 µA	15 nC a 10 V	±25 V	529 pF a 100 V	-	109 W(Tc)
STGF10H60DF	1.6100	Richiesta di offerta	71	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STGF10	Standard			30 W	TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50				400 V, 10 A, 10 Ohm, 15 V															107 ns	Sosta sul campo di trincea	600 V	20A	40A	1,95 V a 15 V, 10 A	83μJ (acceso), 140μJ (spento)	57 nC	19,5 n/103 n