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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Voltaggio: nominale Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Frequenza Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Corrente nominale (Amp) Condizione di prova Corrente - Prova Potenza-Uscita Guadagno Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Figura di rumore Tempo di recupero inverso (trr) Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Tensione - Prova Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione
2STR1240 STMicroelectronics 2STR1240 -
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ECAD 5450 0.00000000 STMicroelettronica * Nastro e bobina (TR) Obsoleto - - 2STR1240 - - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 12.000
STU95N2LH5 STMicroelectronics STU95N2LH5 -
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ECAD 7565 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ V Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA STU95 MOSFET (ossido di metallo) TO-251 (IPAK) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 75 CanaleN 25 V 80A (Tc) 5 V, 10 V 4,9 mOhm a 40 A, 10 V 1 V a 250 µA 13,4 nC a 5 V ±25 V 1817 pF a 25 V - 70 W (Tc)
STW8N120K5 STMicroelectronics STW8N120K5 8.0000
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ECAD 4229 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ K5 Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STW8 MOSFET (ossido di metallo) TO-247 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 1200 V 6A (Tc) 10 V 2 Ohm a 2,5 A, 10 V 5 V a 100 µA 13,7 nC a 10 V ±30 V 505 pF a 100 V - 130 W(Tc)
SCT30N120 STMicroelectronics SCT30N120 24.5200
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ECAD 7868 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo -55°C ~ 200°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SCT30 SiCFET (carburo di silicio) HiP247™ scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-14960 EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 1200 V 40A (Tc) 20 V 100 mOhm a 20 A, 20 V 2,6 V a 1 mA (tip.) 105 nC a 20 V +25 V, -10 V 1700 pF a 400 V - 270 W(Tc)
STL200N45LF7 STMicroelectronics STL200N45LF7 -
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ECAD 8448 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ F7 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN STL200 MOSFET (ossido di metallo) PowerFlat™ (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 45 V 120A (Tc) 4,5 V, 10 V 1,8 mOhm a 18 A, 10 V 1,2 V a 250 µA 33 nC a 4,5 V ±20 V 5170 pF a 25 V - 150 W(Tc)
STC5DNF30V STMicroelectronics STC5DNF30V -
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ECAD 8238 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) STC5DNF MOSFET (ossido di metallo) 1,3 W 8-TSSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 4.000 2 canali N (doppio) 30 V 4,5 A 35 mOhm a 2,3 A, 4,5 V 600mV a 250μA 11,5 nC a 4,5 V 460 pF a 25 V Porta a livello logico
STL11N4LLF5 STMicroelectronics STL11N4LLF5 1.5900
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ECAD 5 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ V Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN STL11 MOSFET (ossido di metallo) PowerFlat™ (3,3x3,3) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 40 V 11A(Tc) 4,5 V, 10 V 9,7 mOhm a 5,5 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 12,9 nC a 4,5 V ±20 V 1570 pF a 25 V - 2,9 W (Ta), 50 W (Tc)
STF8N80K5 STMicroelectronics STF8N80K5 2.6800
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ECAD 994 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH5™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF8 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-13645-5 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 800 V 6A (Tc) 10 V 950 mOhm a 3 A, 10 V 5 V a 100 µA 16,5 nC a 10 V ±30 V 450 pF a 100 V - 25 W (Tc)
STD80N340K6 STMicroelectronics STD80N340K6 3.6200
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ECAD 455 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 STD80 MOSFET (ossido di metallo) D-PAK (TO-252) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-STD80N340K6CT EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 800 V 12A (Tc) 10 V 340 mOhm a 6 A, 10 V 4 V a 100 µA 17,8 nC a 10 V ±30 V 950 pF a 400 V - 92 W (Tc)
STB16NK65Z-S STMicroelectronics STB16NK65Z-S -
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ECAD 6440 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA STB16N MOSFET (ossido di metallo) I2PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 650 V 13A(Tc) 10 V 500 mOhm a 6,5 ​​A, 10 V 4,5 V a 100 µA 89 nC a 10 V ±30 V 2750 pF a 25 V - 190 W(Tc)
STGP20H60DF STMicroelectronics STGP20H60DF 2.1700
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ECAD 2746 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STGP20 Standard 167 W TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 400 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V 90 ns Sosta sul campo di trincea 600 V 40A 80A 2 V a 15 V, 20 A 209μJ (acceso), 261μJ (spento) 115 nC 42,5 n/177 n
BDW94CFP STMicroelectronics BDW94CFP 1.8700
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ECAD 1 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo BDW94 33 W TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 100 V 12A 1mA PNP-Darlington 3 V a 100 mA, 10 A 750 a 5 A, 3 V -
STP200N4F3 STMicroelectronics STP200N4F3 -
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ECAD 1195 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP200 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-8789-5 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 40 V 120A (Tc) 10 V 4,4 mOhm a 80 A, 10 V 4 V a 250 µA 75 nC a 10 V ±20 V 5100 pF a 25 V - 300 W(Tc)
STGP7NB60KD STMicroelectronics STGP7NB60KD -
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ECAD 6211 0.00000000 STMicroelettronica PowerMESH™ Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STGP7 Standard 80 W TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 480 V, 7 A, 10 Ohm, 15 V 50 n - 600 V 14A 56A 2,8 V a 15 V, 7 A 140μJ (spento) 32,7 nC 15ns/50ns
STL4P2UH7 STMicroelectronics STL4P2UH7 -
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ECAD 8966 0.00000000 STMicroelettronica DeepGATE™, STripFET™ VII Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-PowerWDFN STL4 MOSFET (ossido di metallo) PowerFlat™ (2x2) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 20 V 4A(Tc) 1,8 V, 4,5 V 100 mOhm a 2 A, 4,5 V 1 V a 250 µA 4,8 nC a 4,5 V ±8 V 510 pF a 10 V - 2,4 W (TC)
STGW15M120DF3 STMicroelectronics STGW15M120DF3 4.2406
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ECAD 7393 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STGW15 Standard 259 W TO-247 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 600 V, 15 A, 22 Ohm, 15 V 270 n Sosta sul campo di trincea 1200 V 30A 60A 2,3 V a 15 V, 15 A 550μJ (acceso), 850μJ (spento) 226 nC 26ns/122ns
2STN2340 STMicroelectronics 2STN2340 -
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ECAD 7327 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA 2STN 1,6 W SOT-223 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1.000 40 V 3A 100nA (ICBO) PNP 350 mV a 150 mA, 3 A 180 a 1 A, 2 V 100 MHz
ST901TFP STMicroelectronics ST901TFP -
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ECAD 2514 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo ST901 80 W TO-220FP - Conformità ROHS3 3 (168 ore) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 400 V 4A 100μA NPN-Darlington 2 V a 1 A, 5 A 1500 a 2 A, 2 V -
BUV27 STMicroelectronics BUV27 -
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ECAD 2956 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 BUV27 85 W TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 120 V 12A - NPN 1,5 V a 800 mA, 8 A - -
STFW3N170 STMicroelectronics STFW3N170 6.3100
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ECAD 5834 0.00000000 STMicroelettronica PowerMESH™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante Pacchetto completo TO-3P-3 STFW3 MOSFET (ossido di metallo) TO-3PF scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-16308-5 EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 1700 V 2,6 A(Tc) 10 V 13 Ohm a 1,3 A, 10 V 5 V a 250 µA 44 nC a 10 V ±30 V 1100 pF a 100 V - 63 W (Tc)
STI24NM60N STMicroelectronics STI24NM60N 5.2200
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ECAD 987 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ II Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA STI24 MOSFET (ossido di metallo) I2PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 600 V 17A(Tc) 10 V 190 mOhm a 8 A, 10 V 4 V a 250 µA 46 nC a 10 V ±30 V 1400 pF a 50 V - 125 W (Tc)
STW8N90K5 STMicroelectronics STW8N90K5 4.2600
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ECAD 5209 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ K5 Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STW8N90 MOSFET (ossido di metallo) TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-17085 EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 900 V 8A (Tc) 10 V 5 V a 100 µA ±30 V - 130 W(Tc)
STP9NK65Z STMicroelectronics STP9NK65Z 1.7752
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ECAD 3727 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP9NK65 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 650 V 6,4 A(Tc) 10 V 1,2 Ohm a 3,2 A, 10 V 4,5 V a 100 µA 41 nC a 10 V ±30 V 1145 pF a 25 V - 125 W (Tc)
STP110N8F7 STMicroelectronics STP110N8F7 -
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ECAD 8483 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP110 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-16486-5 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 80 V 80A (Tc) 10 V 7,5 mOhm a 40 A, 10 V 4,5 V a 250 µA 46,8 nC a 10 V ±20 V 3435 pF a 40 V - 170 W(Tc)
BUX48A STMicroelectronics BUX48A -
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ECAD 2379 0.00000000 STMicroelettronica - Vassoio Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio su telaio TO-204AA, TO-3 BUX48 175 W TO-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 100 450 V 15A 200μA NPN 5 V a 2,4 A, 12 A - -
STS15N4LLF5 STMicroelectronics STS15N4LLF5 -
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ECAD 7695 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ V Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) STS15 MOSFET (ossido di metallo) 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 40 V 15A (Tc) 4,5 V, 10 V 6,7 mOhm a 7,5 A, 10 V 1 V a 250 µA 12,9 nC a 4,5 V ±16V 1570 pF a 25 V - 3 W (Tc)
STGF3NC120HD STMicroelectronics STGF3NC120HD 2.1700
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ECAD 3777 0.00000000 STMicroelettronica PowerMESH™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STGF3 Standard 25 W TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-4353-5 EAR99 8541.29.0095 50 800 V, 3 A, 10 Ohm, 15 V 51 nn - 1200 V 6A 20A 2,8 V a 15 V, 3 A 236μJ (acceso), 290μJ (spento) 24 nC 15ns/118ns
STP80N20M5 STMicroelectronics STP80N20M5 -
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ECAD 8261 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ V Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP80N MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-10715-5 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 200 V 61A(Tc) 10 V 23 mOhm a 30,5 A, 10 V 5 V a 250 µA 104 nC a 10 V ±25 V 4329 pF a 50 V - 190 W(Tc)
STP90N4F3 STMicroelectronics STP90N4F3 -
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ECAD 7327 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ III Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP90N MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 40 V 80A (Tc) 10 V 6,5 mOhm a 40 A, 10 V 4 V a 250 µA 54 nC a 10 V ±20 V 2200 pF a 25 V - 110 W (Tc)
PD85035STR1-E STMicroelectronics PD85035STR1-E -
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ECAD 7735 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e bobina (TR) Attivo 40 V - PD85035 870 MHz LDMOS PowerSO-10RF (cavo diritto) - Conformità ROHS3 3 (168 ore) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 600 8A 350 mA 15 W 17dB - 13,6 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock