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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Voltaggio: nominale | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Frequenza | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Corrente nominale (Amp) | Condizione di prova | Corrente - Prova | Potenza-Uscita | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Figura di rumore | Tempo di recupero inverso (trr) | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Collettore pulsato (Icm) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Cambiare energia | Carica di cancello | Td (acceso/spento) @ 25°C | Tensione - Prova | Corrente - Interruzione collettore (max) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2STR1240 | - | ![]() | 5450 | 0.00000000 | STMicroelettronica | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | - | 2STR1240 | - | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 12.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STU95N2LH5 | - | ![]() | 7565 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ V | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA | STU95 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-251 (IPAK) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | CanaleN | 25 V | 80A (Tc) | 5 V, 10 V | 4,9 mOhm a 40 A, 10 V | 1 V a 250 µA | 13,4 nC a 5 V | ±25 V | 1817 pF a 25 V | - | 70 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW8N120K5 | 8.0000 | ![]() | 4229 | 0.00000000 | STMicroelettronica | MDmesh™ K5 | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | STW8 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-247 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 1200 V | 6A (Tc) | 10 V | 2 Ohm a 2,5 A, 10 V | 5 V a 100 µA | 13,7 nC a 10 V | ±30 V | 505 pF a 100 V | - | 130 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SCT30N120 | 24.5200 | ![]() | 7868 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 200°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | SCT30 | SiCFET (carburo di silicio) | HiP247™ | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-14960 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 1200 V | 40A (Tc) | 20 V | 100 mOhm a 20 A, 20 V | 2,6 V a 1 mA (tip.) | 105 nC a 20 V | +25 V, -10 V | 1700 pF a 400 V | - | 270 W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL200N45LF7 | - | ![]() | 8448 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ F7 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | STL200 | MOSFET (ossido di metallo) | PowerFlat™ (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 45 V | 120A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 1,8 mOhm a 18 A, 10 V | 1,2 V a 250 µA | 33 nC a 4,5 V | ±20 V | 5170 pF a 25 V | - | 150 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
| STC5DNF30V | - | ![]() | 8238 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | STC5DNF | MOSFET (ossido di metallo) | 1,3 W | 8-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 canali N (doppio) | 30 V | 4,5 A | 35 mOhm a 2,3 A, 4,5 V | 600mV a 250μA | 11,5 nC a 4,5 V | 460 pF a 25 V | Porta a livello logico | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL11N4LLF5 | 1.5900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ V | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | STL11 | MOSFET (ossido di metallo) | PowerFlat™ (3,3x3,3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 40 V | 11A(Tc) | 4,5 V, 10 V | 9,7 mOhm a 5,5 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 12,9 nC a 4,5 V | ±20 V | 1570 pF a 25 V | - | 2,9 W (Ta), 50 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF8N80K5 | 2.6800 | ![]() | 994 | 0.00000000 | STMicroelettronica | SuperMESH5™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | STF8 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220FP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-13645-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 800 V | 6A (Tc) | 10 V | 950 mOhm a 3 A, 10 V | 5 V a 100 µA | 16,5 nC a 10 V | ±30 V | 450 pF a 100 V | - | 25 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD80N340K6 | 3.6200 | ![]() | 455 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | STD80 | MOSFET (ossido di metallo) | D-PAK (TO-252) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-STD80N340K6CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 800 V | 12A (Tc) | 10 V | 340 mOhm a 6 A, 10 V | 4 V a 100 µA | 17,8 nC a 10 V | ±30 V | 950 pF a 400 V | - | 92 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB16NK65Z-S | - | ![]() | 6440 | 0.00000000 | STMicroelettronica | SuperMESH™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA | STB16N | MOSFET (ossido di metallo) | I2PAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 650 V | 13A(Tc) | 10 V | 500 mOhm a 6,5 A, 10 V | 4,5 V a 100 µA | 89 nC a 10 V | ±30 V | 2750 pF a 25 V | - | 190 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
| STGP20H60DF | 2.1700 | ![]() | 2746 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | STGP20 | Standard | 167 W | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V | 90 ns | Sosta sul campo di trincea | 600 V | 40A | 80A | 2 V a 15 V, 20 A | 209μJ (acceso), 261μJ (spento) | 115 nC | 42,5 n/177 n | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BDW94CFP | 1.8700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Tubo | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | BDW94 | 33 W | TO-220FP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 V | 12A | 1mA | PNP-Darlington | 3 V a 100 mA, 10 A | 750 a 5 A, 3 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP200N4F3 | - | ![]() | 1195 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | STP200 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-8789-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 40 V | 120A (Tc) | 10 V | 4,4 mOhm a 80 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 75 nC a 10 V | ±20 V | 5100 pF a 25 V | - | 300 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
| STGP7NB60KD | - | ![]() | 6211 | 0.00000000 | STMicroelettronica | PowerMESH™ | Tubo | Obsoleto | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | STGP7 | Standard | 80 W | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 480 V, 7 A, 10 Ohm, 15 V | 50 n | - | 600 V | 14A | 56A | 2,8 V a 15 V, 7 A | 140μJ (spento) | 32,7 nC | 15ns/50ns | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL4P2UH7 | - | ![]() | 8966 | 0.00000000 | STMicroelettronica | DeepGATE™, STripFET™ VII | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-PowerWDFN | STL4 | MOSFET (ossido di metallo) | PowerFlat™ (2x2) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canale P | 20 V | 4A(Tc) | 1,8 V, 4,5 V | 100 mOhm a 2 A, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 4,8 nC a 4,5 V | ±8 V | 510 pF a 10 V | - | 2,4 W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGW15M120DF3 | 4.2406 | ![]() | 7393 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | STGW15 | Standard | 259 W | TO-247 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 15 A, 22 Ohm, 15 V | 270 n | Sosta sul campo di trincea | 1200 V | 30A | 60A | 2,3 V a 15 V, 15 A | 550μJ (acceso), 850μJ (spento) | 226 nC | 26ns/122ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2STN2340 | - | ![]() | 7327 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | 2STN | 1,6 W | SOT-223 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 40 V | 3A | 100nA (ICBO) | PNP | 350 mV a 150 mA, 3 A | 180 a 1 A, 2 V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ST901TFP | - | ![]() | 2514 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | ST901 | 80 W | TO-220FP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V | 4A | 100μA | NPN-Darlington | 2 V a 1 A, 5 A | 1500 a 2 A, 2 V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| BUV27 | - | ![]() | 2956 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Tubo | Obsoleto | 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | BUV27 | 85 W | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 120 V | 12A | - | NPN | 1,5 V a 800 mA, 8 A | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STFW3N170 | 6.3100 | ![]() | 5834 | 0.00000000 | STMicroelettronica | PowerMESH™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | Pacchetto completo TO-3P-3 | STFW3 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-3PF | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-16308-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 1700 V | 2,6 A(Tc) | 10 V | 13 Ohm a 1,3 A, 10 V | 5 V a 250 µA | 44 nC a 10 V | ±30 V | 1100 pF a 100 V | - | 63 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | STI24NM60N | 5.2200 | ![]() | 987 | 0.00000000 | STMicroelettronica | MDmesh™ II | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA | STI24 | MOSFET (ossido di metallo) | I2PAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 600 V | 17A(Tc) | 10 V | 190 mOhm a 8 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 46 nC a 10 V | ±30 V | 1400 pF a 50 V | - | 125 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW8N90K5 | 4.2600 | ![]() | 5209 | 0.00000000 | STMicroelettronica | MDmesh™ K5 | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | STW8N90 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-247-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-17085 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 900 V | 8A (Tc) | 10 V | 5 V a 100 µA | ±30 V | - | 130 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| STP9NK65Z | 1.7752 | ![]() | 3727 | 0.00000000 | STMicroelettronica | SuperMESH™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | STP9NK65 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 650 V | 6,4 A(Tc) | 10 V | 1,2 Ohm a 3,2 A, 10 V | 4,5 V a 100 µA | 41 nC a 10 V | ±30 V | 1145 pF a 25 V | - | 125 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
| STP110N8F7 | - | ![]() | 8483 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | STP110 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-16486-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 80 V | 80A (Tc) | 10 V | 7,5 mOhm a 40 A, 10 V | 4,5 V a 250 µA | 46,8 nC a 10 V | ±20 V | 3435 pF a 40 V | - | 170 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BUX48A | - | ![]() | 2379 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Vassoio | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | TO-204AA, TO-3 | BUX48 | 175 W | TO-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | 450 V | 15A | 200μA | NPN | 5 V a 2,4 A, 12 A | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STS15N4LLF5 | - | ![]() | 7695 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ V | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | STS15 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 40 V | 15A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 6,7 mOhm a 7,5 A, 10 V | 1 V a 250 µA | 12,9 nC a 4,5 V | ±16V | 1570 pF a 25 V | - | 3 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGF3NC120HD | 2.1700 | ![]() | 3777 | 0.00000000 | STMicroelettronica | PowerMESH™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | STGF3 | Standard | 25 W | TO-220FP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-4353-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 800 V, 3 A, 10 Ohm, 15 V | 51 nn | - | 1200 V | 6A | 20A | 2,8 V a 15 V, 3 A | 236μJ (acceso), 290μJ (spento) | 24 nC | 15ns/118ns | |||||||||||||||||||||||||||
| STP80N20M5 | - | ![]() | 8261 | 0.00000000 | STMicroelettronica | MDmesh™ V | Tubo | Obsoleto | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | STP80N | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-10715-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 200 V | 61A(Tc) | 10 V | 23 mOhm a 30,5 A, 10 V | 5 V a 250 µA | 104 nC a 10 V | ±25 V | 4329 pF a 50 V | - | 190 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
| STP90N4F3 | - | ![]() | 7327 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ III | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | STP90N | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 40 V | 80A (Tc) | 10 V | 6,5 mOhm a 40 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 54 nC a 10 V | ±20 V | 2200 pF a 25 V | - | 110 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD85035STR1-E | - | ![]() | 7735 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 40 V | - | PD85035 | 870 MHz | LDMOS | PowerSO-10RF (cavo diritto) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | 8A | 350 mA | 15 W | 17dB | - | 13,6 V |

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