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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Tipo FET | Condizione di prova | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tempo di recupero inverso (trr) | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Collettore pulsato (Icm) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Cambiare energia | Carica di cancello | Td (acceso/spento) @ 25°C | Corrente - Interruzione collettore (max) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGW50HF60S | 6.0000 | ![]() | 408 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | STGW50 | Standard | 284 W | TO-247-3 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V | - | 600 V | 110A | 130A | 1,45 V a 15 V, 30 A | 250 µJ (acceso), 4,2 mJ (spento) | 200 nC | 50ns/220ns | ||||||||||||||||||||
![]() | STGW40V60DLF | 4.8700 | ![]() | 417 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | STGW40 | Standard | 283 W | TO-247-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-13767-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 40 A, 10 Ohm, 15 V | Sosta sul campo di trincea | 600 V | 80A | 160A | 2,3 V a 15 V, 40 A | 411μJ (spento) | 226 nC | -/208ns | |||||||||||||||||||
![]() | ST13007DFP | 1.4100 | ![]() | 490 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Tubo | Obsoleto | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | ST13007 | 36 W | TO-220FP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V | 8A | 100μA | NPN | 2 V a 2 A, 8 A | 8 a 5 A, 5 V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | STW43NM60ND | - | ![]() | 9367 | 0.00000000 | STMicroelettronica | FDmesh™ | Tubo | Obsoleto | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | STW43N | MOSFET (ossido di metallo) | TO-247-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-8461-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 600 V | 35A (Tc) | 10 V | 88 mOhm a 17,5 A, 10 V | 5 V a 250 µA | 145 nC a 10 V | ±25 V | 4300 pF a 50 V | - | 255 W(Tc) | ||||||||||||||||||
| STGP8M120DF3 | 3.0492 | ![]() | 7985 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | STGP8 | Standard | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 600 V, 8 A, 33 Ohm, 15 V | 103 nn | Sosta sul campo di trincea | 1200 V | 16A | 32A | 2,3 V a 15 V, 8 A | 390μJ (acceso), 370μJ (spento) | 32 nC | 20ns/126ns | ||||||||||||||||||||||
![]() | STB11NM60FDT4 | - | ![]() | 9160 | 0.00000000 | STMicroelettronica | FDmesh™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | STB11 | MOSFET (ossido di metallo) | D2PAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 600 V | 11A(Tc) | 10 V | 450 mOhm a 5,5 A, 10 V | 5 V a 250 µA | 40 nC a 10 V | ±30 V | 900 pF a 25 V | - | 160 W(Tc) | |||||||||||||||||||
![]() | STWA50N65DM2AG | 5.8831 | ![]() | 8910 | 0.00000000 | STMicroelettronica | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | STWA50 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-247-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | CanaleN | 650 V | 38A(Tc) | 10 V | 87 mOhm a 19 A, 10 V | 5 V a 250 µA | 69 nC a 10 V | ±25 V | 3200 pF a 100 V | - | 300 W(Tc) | |||||||||||||||||||
![]() | STP3NK90ZFP | 1.4300 | ![]() | 931 | 0.00000000 | STMicroelettronica | SuperMESH™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | STP3NK90 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220FP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-5979-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 900 V | 3A (Tc) | 10 V | 4,8 Ohm a 1,5 A, 10 V | 4,5 V a 50 µA | 22,7 nC a 10 V | ±30 V | 590 pF a 25 V | - | 25 W (Tc) | ||||||||||||||||||
![]() | STF80N10F7 | - | ![]() | 4000 | 0.00000000 | STMicroelettronica | DeepGATE™, STripFET™ VII | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | STF80N | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220FP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 100 V | 40A (Tc) | 10 V | 10 mOhm a 40 A, 10 V | 4,5 V a 250 µA | 45 nC a 10 V | ±20 V | 3100 pF a 50 V | - | 30 W (Tc) | |||||||||||||||||||
![]() | STS9NF3LL | 1.5500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ II | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | STS9NF | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 30 V | 9A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 19 mOhm a 4,5 A, 10 V | 1 V a 250 µA | 17 nC a 5 V | ±16V | 800 pF a 25 V | - | 2,5 W(Tc) | |||||||||||||||||||
![]() | STF22N60DM6 | 1.5867 | ![]() | 4226 | 0.00000000 | STMicroelettronica | MDmesh™ M6 | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | STF22 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220FP | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 600 V | 15A (Tc) | 10 V | 230 mOhm a 7,5 A, 10 V | 4,75 V a 250 µA | 20 nC a 10 V | ±25 V | 800 pF a 100 V | - | 30 W (Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | STR2N2VH5 | 1.1300 | ![]() | 81 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ V | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | STR2N2 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | CanaleN | 20 V | 2,3A(Tj) | 2,5 V, 4,5 V | 30 mOhm a 2 A, 4,5 V | 700 mV a 250 µA (min) | 4,6 nC a 4,5 V | ±8 V | 367 pF a 16 V | - | 350 mW(Tc) | |||||||||||||||||||
![]() | STY60NM50 | 24.7200 | ![]() | 6535 | 0.00000000 | STMicroelettronica | MDmesh™ | Tubo | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | STY60 | MOSFET (ossido di metallo) | MAX247™ | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 500 V | 60A (Tc) | 10 V | 50 mOhm a 30 A, 10 V | 5 V a 250 µA | 266 nC a 10 V | ±30 V | 7500 pF a 25 V | - | 560 W(Tc) | |||||||||||||||||||
![]() | STS9NH3LL | - | ![]() | 8959 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ III | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | STS9NH | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 30 V | 9A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 22 mOhm a 4,5 A, 10 V | 1 V a 250 µA | 10 nC a 4,5 V | ±16V | 857 pF a 25 V | - | 2,5 W(Tc) | |||||||||||||||||||
| STP2N95K5 | - | ![]() | 5657 | 0.00000000 | STMicroelettronica | SuperMESH5™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | STP2N95 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 950 V | 2A(Tc) | 10 V | 5 Ohm a 1 A, 10 V | 5 V a 100 µA | 10 nC a 10 V | 30 V | 105 pF a 100 V | - | 45 W (Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | PD85015TRM-E | - | ![]() | 6146 | 0.00000000 | STMicroelettronica | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 600 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STLD126N4F6AG | 1.7532 | ![]() | 3734 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Massa | Attivo | STLD126 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 497-STLD126N4F6AG | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF23N80K5 | 5.4700 | ![]() | 43 | 0.00000000 | STMicroelettronica | MDmesh™ K5 | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | STF23 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220FP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-16305-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 800 V | 16A (Tc) | 10 V | 280 mOhm a 8 A, 10 V | 5 V a 100 µA | 33 nC a 10 V | ±30 V | 1000 pF a 100 V | - | 35 W (Tc) | ||||||||||||||||||
| STHU32N65DM6AG | 8.8800 | ![]() | 87 | 0.00000000 | STMicroelettronica | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA | MOSFET (ossido di metallo) | HU3PAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-STHU32N65DM6AGTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | CanaleN | 650 V | 37A(Tc) | 10 V | 97 mOhm a 18,5 A, 10 V | 4,75 V a 250 µA | 52,6 nC a 10 V | ±25 V | 2211 pF a 100 V | - | 320 W(Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | STL16N60M2 | 2.5300 | ![]() | 3870 | 0.00000000 | STMicroelettronica | MDmesh™M2 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | STL16 | MOSFET (ossido di metallo) | PowerFlat™ (5x6) Alta tensione | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 600 V | 8A (Tc) | 10 V | 355 mOhm a 4 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 19 nC a 10 V | ±25 V | 704 pF a 100 V | - | 52 W (Tc) | |||||||||||||||||||
| STP120NF04 | - | ![]() | 4391 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ II | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | STP120 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 40 V | 120A (Tc) | 10 V | 5 mOhm a 50 A, 10 V | 4,5 V a 250 µA | 150 nC a 10 V | ±20 V | 5100 pF a 25 V | - | 300 W(Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | STW45N65M5 | 9.1900 | ![]() | 341 | 0.00000000 | STMicroelettronica | MDmesh™ V | Tubo | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | STW45 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-247-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-12938-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 650 V | 35A (Tc) | 10 V | 78 mOhm a 19,5 A, 10 V | 5 V a 250 µA | 91 nC a 10 V | ±20 V | 3375 pF a 100 V | - | 210 W(Tc) | ||||||||||||||||||
![]() | STGB10M65DF2 | 2.2700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | STGB10 | Standard | 115 W | D²PAK (TO-263) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V, 10 A, 22 Ohm, 15 V | 96 ns | Sosta sul campo di trincea | 650 V | 20A | 40A | 2 V a 15 V, 10 A | 120μJ (acceso), 270μJ (spento) | 28 nC | 19ns/91ns | |||||||||||||||||||
![]() | STF34N65M5 | 3.1412 | ![]() | 8083 | 0.00000000 | STMicroelettronica | MDmesh™ V | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | STF34 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220FP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 650 V | 28A (Tc) | 10 V | 110 mOhm a 14,5 A, 10 V | 5 V a 250 µA | 70 nC a 10 V | ±25 V | 2590 pF a 100 V | - | 35 W (Tc) | |||||||||||||||||||
![]() | STGW15H120F2 | 2.1291 | ![]() | 4248 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Tubo | Acquisto per l'ultima volta | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | STGW15 | Standard | 259 W | TO-247-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 600 V, 15 A, 10 Ohm, 15 V | Sosta sul campo di trincea | 1200 V | 30A | 60A | 2,6 V a 15 V, 15 A | 380μJ (acceso), 370μJ (spento) | 67 nC | 23ns/111ns | ||||||||||||||||||||
![]() | STF20NM60D | - | ![]() | 9871 | 0.00000000 | STMicroelettronica | FDmesh™ | Tubo | Obsoleto | -65°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | STF20 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220FP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 600 V | 20A (Tc) | 10 V | 290 mOhm a 10 A, 10 V | 5 V a 250 µA | 37 nC a 10 V | ±30 V | 1300 pF a 25 V | - | 45 W (Tc) | |||||||||||||||||||
![]() | STB16NF06LT4 | 1.7000 | ![]() | 1482 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | STB16 | MOSFET (ossido di metallo) | D2PAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 60 V | 16A (Tc) | 5 V, 10 V | 90 mOhm a 8 A, 10 V | 1 V a 250 µA (min) | 10 nC a 4,5 V | ±16V | 345 pF a 25 V | - | 45 W (Tc) | |||||||||||||||||||
![]() | STD7N95K5AG | 1.3530 | ![]() | 5085 | 0.00000000 | STMicroelettronica | Automobilistico, AEC-Q101 | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | STD7 | MOSFET (ossido di metallo) | DPAK (TO-252) | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 497-STD7N95K5AG | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 950 V | 9A (Tc) | 10 V | 1,25 Ohm a 3 A, 10 V | 5 V a 100 µA | 9,6 nC a 10 V | ±30 V | 430 pF a 100 V | - | 110 W (Tc) | |||||||||||||||||||
![]() | STD11N50M2 | 1.4900 | ![]() | 5653 | 0.00000000 | STMicroelettronica | MDmesh™ II Plus | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | STD11 | MOSFET (ossido di metallo) | DPAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 500 V | 8A (Tc) | 10 V | 530 mOhm a 4 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 12 nC a 10 V | ±25 V | 395 pF a 100 V | - | 85 W (Tc) | |||||||||||||||||||
![]() | STF100N10F7 | 2.7800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | STMicroelettronica | DeepGATE™, STripFET™ VII | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | STF100 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220FP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 100 V | 45A (Tc) | 10 V | 8 mOhm a 22,5 A, 10 V | 4,5 V a 250 µA | 61 nC a 10 V | ±20 V | 4369 pF a 50 V | - | 30 W (Tc) |

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