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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Tipo FET Condizione di prova Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tempo di recupero inverso (trr) Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione
STGW50HF60S STMicroelectronics STGW50HF60S 6.0000
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ECAD 408 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STGW50 Standard 284 W TO-247-3 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V - 600 V 110A 130A 1,45 V a 15 V, 30 A 250 µJ (acceso), 4,2 mJ (spento) 200 nC 50ns/220ns
STGW40V60DLF STMicroelectronics STGW40V60DLF 4.8700
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ECAD 417 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STGW40 Standard 283 W TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-13767-5 EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 40 A, 10 Ohm, 15 V Sosta sul campo di trincea 600 V 80A 160A 2,3 V a 15 V, 40 A 411μJ (spento) 226 nC -/208ns
ST13007DFP STMicroelectronics ST13007DFP 1.4100
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ECAD 490 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo ST13007 36 W TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 400 V 8A 100μA NPN 2 V a 2 A, 8 A 8 a 5 A, 5 V -
STW43NM60ND STMicroelectronics STW43NM60ND -
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ECAD 9367 0.00000000 STMicroelettronica FDmesh™ Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STW43N MOSFET (ossido di metallo) TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-8461-5 EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 600 V 35A (Tc) 10 V 88 mOhm a 17,5 A, 10 V 5 V a 250 µA 145 nC a 10 V ±25 V 4300 pF a 50 V - 255 W(Tc)
STGP8M120DF3 STMicroelectronics STGP8M120DF3 3.0492
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ECAD 7985 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STGP8 Standard TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 600 V, 8 A, 33 Ohm, 15 V 103 nn Sosta sul campo di trincea 1200 V 16A 32A 2,3 V a 15 V, 8 A 390μJ (acceso), 370μJ (spento) 32 nC 20ns/126ns
STB11NM60FDT4 STMicroelectronics STB11NM60FDT4 -
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ECAD 9160 0.00000000 STMicroelettronica FDmesh™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB STB11 MOSFET (ossido di metallo) D2PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 600 V 11A(Tc) 10 V 450 mOhm a 5,5 A, 10 V 5 V a 250 µA 40 nC a 10 V ±30 V 900 pF a 25 V - 160 W(Tc)
STWA50N65DM2AG STMicroelectronics STWA50N65DM2AG 5.8831
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ECAD 8910 0.00000000 STMicroelettronica Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STWA50 MOSFET (ossido di metallo) TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 600 CanaleN 650 V 38A(Tc) 10 V 87 mOhm a 19 A, 10 V 5 V a 250 µA 69 nC a 10 V ±25 V 3200 pF a 100 V - 300 W(Tc)
STP3NK90ZFP STMicroelectronics STP3NK90ZFP 1.4300
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ECAD 931 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STP3NK90 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-5979-5 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 900 V 3A (Tc) 10 V 4,8 Ohm a 1,5 A, 10 V 4,5 V a 50 µA 22,7 nC a 10 V ±30 V 590 pF a 25 V - 25 W (Tc)
STF80N10F7 STMicroelectronics STF80N10F7 -
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ECAD 4000 0.00000000 STMicroelettronica DeepGATE™, STripFET™ VII Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF80N MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 100 V 40A (Tc) 10 V 10 mOhm a 40 A, 10 V 4,5 V a 250 µA 45 nC a 10 V ±20 V 3100 pF a 50 V - 30 W (Tc)
STS9NF3LL STMicroelectronics STS9NF3LL 1.5500
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ECAD 9 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ II Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) STS9NF MOSFET (ossido di metallo) 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 30 V 9A (Tc) 4,5 V, 10 V 19 mOhm a 4,5 A, 10 V 1 V a 250 µA 17 nC a 5 V ±16V 800 pF a 25 V - 2,5 W(Tc)
STF22N60DM6 STMicroelectronics STF22N60DM6 1.5867
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ECAD 4226 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ M6 Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF22 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 600 V 15A (Tc) 10 V 230 mOhm a 7,5 A, 10 V 4,75 V a 250 µA 20 nC a 10 V ±25 V 800 pF a 100 V - 30 W (Tc)
STR2N2VH5 STMicroelectronics STR2N2VH5 1.1300
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ECAD 81 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ V Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 STR2N2 MOSFET (ossido di metallo) SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 CanaleN 20 V 2,3A(Tj) 2,5 V, 4,5 V 30 mOhm a 2 A, 4,5 V 700 mV a 250 µA (min) 4,6 nC a 4,5 V ±8 V 367 pF a 16 V - 350 mW(Tc)
STY60NM50 STMicroelectronics STY60NM50 24.7200
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ECAD 6535 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STY60 MOSFET (ossido di metallo) MAX247™ scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 500 V 60A (Tc) 10 V 50 mOhm a 30 A, 10 V 5 V a 250 µA 266 nC a 10 V ±30 V 7500 pF a 25 V - 560 W(Tc)
STS9NH3LL STMicroelectronics STS9NH3LL -
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ECAD 8959 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ III Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) STS9NH MOSFET (ossido di metallo) 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 30 V 9A (Tc) 4,5 V, 10 V 22 mOhm a 4,5 A, 10 V 1 V a 250 µA 10 nC a 4,5 V ±16V 857 pF a 25 V - 2,5 W(Tc)
STP2N95K5 STMicroelectronics STP2N95K5 -
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ECAD 5657 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH5™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP2N95 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 950 V 2A(Tc) 10 V 5 Ohm a 1 A, 10 V 5 V a 100 µA 10 nC a 10 V 30 V 105 pF a 100 V - 45 W (Tc)
PD85015TRM-E STMicroelectronics PD85015TRM-E -
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ECAD 6146 0.00000000 STMicroelettronica * Nastro e bobina (TR) Obsoleto - 3 (168 ore) REACH Inalterato OBSOLETO 0000.00.0000 600
STLD126N4F6AG STMicroelectronics STLD126N4F6AG 1.7532
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ECAD 3734 0.00000000 STMicroelettronica - Massa Attivo STLD126 - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 497-STLD126N4F6AG 2.500
STF23N80K5 STMicroelectronics STF23N80K5 5.4700
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ECAD 43 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ K5 Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF23 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-16305-5 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 800 V 16A (Tc) 10 V 280 mOhm a 8 A, 10 V 5 V a 100 µA 33 nC a 10 V ±30 V 1000 pF a 100 V - 35 W (Tc)
STHU32N65DM6AG STMicroelectronics STHU32N65DM6AG 8.8800
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ECAD 87 0.00000000 STMicroelettronica Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA MOSFET (ossido di metallo) HU3PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-STHU32N65DM6AGTR EAR99 8541.29.0095 600 CanaleN 650 V 37A(Tc) 10 V 97 mOhm a 18,5 A, 10 V 4,75 V a 250 µA 52,6 nC a 10 V ±25 V 2211 pF a 100 V - 320 W(Tc)
STL16N60M2 STMicroelectronics STL16N60M2 2.5300
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ECAD 3870 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™M2 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN STL16 MOSFET (ossido di metallo) PowerFlat™ (5x6) Alta tensione scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 600 V 8A (Tc) 10 V 355 mOhm a 4 A, 10 V 4 V a 250 µA 19 nC a 10 V ±25 V 704 pF a 100 V - 52 W (Tc)
STP120NF04 STMicroelectronics STP120NF04 -
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ECAD 4391 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ II Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP120 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 40 V 120A (Tc) 10 V 5 mOhm a 50 A, 10 V 4,5 V a 250 µA 150 nC a 10 V ±20 V 5100 pF a 25 V - 300 W(Tc)
STW45N65M5 STMicroelectronics STW45N65M5 9.1900
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ECAD 341 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ V Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STW45 MOSFET (ossido di metallo) TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-12938-5 EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 650 V 35A (Tc) 10 V 78 mOhm a 19,5 A, 10 V 5 V a 250 µA 91 nC a 10 V ±20 V 3375 pF a 100 V - 210 W(Tc)
STGB10M65DF2 STMicroelectronics STGB10M65DF2 2.2700
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ECAD 1 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB STGB10 Standard 115 W D²PAK (TO-263) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 400 V, 10 A, 22 Ohm, 15 V 96 ns Sosta sul campo di trincea 650 V 20A 40A 2 V a 15 V, 10 A 120μJ (acceso), 270μJ (spento) 28 nC 19ns/91ns
STF34N65M5 STMicroelectronics STF34N65M5 3.1412
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ECAD 8083 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ V Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF34 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 650 V 28A (Tc) 10 V 110 mOhm a 14,5 A, 10 V 5 V a 250 µA 70 nC a 10 V ±25 V 2590 pF a 100 V - 35 W (Tc)
STGW15H120F2 STMicroelectronics STGW15H120F2 2.1291
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ECAD 4248 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Acquisto per l'ultima volta -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STGW15 Standard 259 W TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 600 V, 15 A, 10 Ohm, 15 V Sosta sul campo di trincea 1200 V 30A 60A 2,6 V a 15 V, 15 A 380μJ (acceso), 370μJ (spento) 67 nC 23ns/111ns
STF20NM60D STMicroelectronics STF20NM60D -
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ECAD 9871 0.00000000 STMicroelettronica FDmesh™ Tubo Obsoleto -65°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF20 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 600 V 20A (Tc) 10 V 290 mOhm a 10 A, 10 V 5 V a 250 µA 37 nC a 10 V ±30 V 1300 pF a 25 V - 45 W (Tc)
STB16NF06LT4 STMicroelectronics STB16NF06LT4 1.7000
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ECAD 1482 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB STB16 MOSFET (ossido di metallo) D2PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 60 V 16A (Tc) 5 V, 10 V 90 mOhm a 8 A, 10 V 1 V a 250 µA (min) 10 nC a 4,5 V ±16V 345 pF a 25 V - 45 W (Tc)
STD7N95K5AG STMicroelectronics STD7N95K5AG 1.3530
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ECAD 5085 0.00000000 STMicroelettronica Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 STD7 MOSFET (ossido di metallo) DPAK (TO-252) - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 497-STD7N95K5AG EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 950 V 9A (Tc) 10 V 1,25 Ohm a 3 A, 10 V 5 V a 100 µA 9,6 nC a 10 V ±30 V 430 pF a 100 V - 110 W (Tc)
STD11N50M2 STMicroelectronics STD11N50M2 1.4900
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ECAD 5653 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ II Plus Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 STD11 MOSFET (ossido di metallo) DPAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 500 V 8A (Tc) 10 V 530 mOhm a 4 A, 10 V 4 V a 250 µA 12 nC a 10 V ±25 V 395 pF a 100 V - 85 W (Tc)
STF100N10F7 STMicroelectronics STF100N10F7 2.7800
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ECAD 7 0.00000000 STMicroelettronica DeepGATE™, STripFET™ VII Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF100 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 100 V 45A (Tc) 10 V 8 mOhm a 22,5 A, 10 V 4,5 V a 250 µA 61 nC a 10 V ±20 V 4369 pF a 50 V - 30 W (Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock