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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Voltaggio: nominale Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Frequenza Tecnologia Potenza: max Ingresso Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Corrente nominale (Amp) Condizione di prova Corrente - Prova Potenza-Uscita Guadagno Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Figura di rumore Tempo di recupero inverso (trr) Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Tensione - Prova Corrente - Interruzione collettore (max) Termistore NTC Capacità di ingresso (Cies) @ Vce Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Figura di rumore (dB tipo @ f)
STD10N60DM2 STMicroelectronics STD10N60DM2 1.5800
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ECAD 5450 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™DM2 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 STD10 MOSFET (ossido di metallo) DPAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-16924-2 EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 650 V 8A (Tc) 10 V 530 mOhm a 4 A, 10 V 5 V a 250 µA 15 nC a 10 V ±25 V 529 pF a 100 V - 109 W(Tc)
PD85025C STMicroelectronics PD85025C -
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ECAD 9478 0.00000000 STMicroelettronica - Scatola Obsoleto 40 V M243 PD85025 945 MHz LDMOS M243 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 25 7A 300mA 10 W 17,5dB - 13,6 V
STGB7H60DF STMicroelectronics STGB7H60DF 0,6716
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ECAD 9092 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB STGB7 Standard 88 W D²PAK (TO-263) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.000 400 V, 7 A, 47 Ohm, 15 V 136 ns Sosta sul campo di trincea 600 V 14A 28A 1,95 V a 15 V, 7 A 99μJ (acceso), 100μJ (spento) 46 nC 30ns/160ns
PD20015C STMicroelectronics PD20015C 62.6200
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ECAD 30 0.00000000 STMicroelettronica - Scatola Obsoleto 40 V M243 PD20015 2GHz LDMOS M243 scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 25 7A 350 mA 15 W 11dB - 13,6 V
STB78NF55-08 STMicroelectronics STB78NF55-08 -
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ECAD 3236 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ II Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB STB78N MOSFET (ossido di metallo) D²PAK (TO-263) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 55 V 80A (Tc) 10 V 8 mOhm a 40 A, 10 V 4 V a 250 µA 155 nC a 10 V ±20 V 3740 pF a 25 V - 300 W(Tc)
STR2550 STMicroelectronics STR2550 0,5400
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ECAD 9825 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 STR2550 500 mW SOT-23-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 500 V 500 mA 10 µA (ICBO) PNP 300 mV a 10 mA, 50 mA 100 a 50 mA, 10 V -
STL3P6F6 STMicroelectronics STL3P6F6 -
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ECAD 2707 0.00000000 STMicroelettronica * Nastro e bobina (TR) Attivo STL3P6 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000
ESM4045DV STMicroelectronics ESM4045DV -
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ECAD 2490 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio su telaio ISOTOP ESM4045 150 W ISOTOP® scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 100 450 V 42A - NPN-Darlington 1,4 V a 2 A, 35 A 220 a 35 A, 5 V -
STN790A STMicroelectronics STN790A 0,6900
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ECAD 380 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA STN790 1,6 W SOT-223 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1.000 30 V 3A 10 µA (ICBO) PNP 700 mV a 100 mA, 3 A 100 a 500 mA, 2 V 100 MHz
STP45N10F7 STMicroelectronics STP45N10F7 1.9900
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ECAD 4267 0.00000000 STMicroelettronica DeepGATE™, STripFET™ VII Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP45 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 100 V 45A (Tc) 10 V 18 mOhm a 22,5 A, 10 V 4,5 V a 250 µA 25 nC a 10 V ±20 V 1640 pF a 50 V - 60 W (Tc)
START499D STMicroelectronics START499D -
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ECAD 4711 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA INIZIO499 1,7 W SOT-89 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 13dB~14dB 4,5 V 1A NPN 150 a 160 mA, 3 V - -
STGFW30V60F STMicroelectronics STGFW30V60F -
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ECAD 3110 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante Pacchetto completo TO-3P-3 STGFW30 Standard 58 W TO-3PF - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 300 400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V Sosta sul campo di trincea 600 V 60A 120A 2,3 V a 15 V, 30 A 383μJ (acceso), 233μJ (spento) 163 nC 45ns/189ns
BU810 STMicroelectronics BU810 -
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ECAD 3498 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 BU810 75 W TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 400 V 7A 1mA NPN-Darlington 3 V a 700 mA, 7 A - -
STP75NF75 STMicroelectronics STP75NF75 2.7800
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ECAD 2 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ II Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP75 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 75 V 80A (Tc) 10 V 11 mOhm a 40 A, 10 V 4 V a 250 µA 160 nC a 10 V ±20 V 3700 pF a 25 V - 300 W(Tc)
SD2931-12MR STMicroelectronics SD2931-12MR 76.2300
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ECAD 4054 0.00000000 STMicroelettronica - Scatola Attivo 125 V M174MR SD2931 175 MHz MOSFET M174MR scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 25 CanaleN 20A 250 mA 150 W 15dB - 50 V
STP45NE06 STMicroelectronics STP45NE06 -
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ECAD 7018 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ Tubo Obsoleto 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP45N MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-2762-5 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 60 V 45A (Tc) 10 V 28 mOhm a 22,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 80 nC a 10 V ±20 V 3600 pF a 25 V - 100 W (Tc)
STL35N75LF3 STMicroelectronics STL35N75LF3 0,5263
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ECAD 7849 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN STL35 MOSFET (ossido di metallo) PowerFlat™ (3,3x3,3) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 75 V 32A(Tc) 4,5 V, 10 V 25 mOhm a 4 A, 10 V 2,4 V a 250 µA 7,5 nC a 4,5 V ±20 V 800 pF a 50 V - 50 W (Tc)
STGF10H60DF STMicroelectronics STGF10H60DF 1.6100
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ECAD 71 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STGF10 Standard 30 W TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 400 V, 10 A, 10 Ohm, 15 V 107 ns Sosta sul campo di trincea 600 V 20A 40A 1,95 V a 15 V, 10 A 83μJ (acceso), 140μJ (spento) 57 nC 19,5 n/103 n
STL4N80K5 STMicroelectronics STL4N80K5 1.9100
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ECAD 2608 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH5™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN STL4N80 MOSFET (ossido di metallo) PowerFlat™ (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 800 V 2,5 A (TC) 10 V 2,5 Ohm a 1,5 A, 10 V 5 V a 100 µA 10,5 nC a 10 V ±30 V 175 pF a 100 V - 38 W (Tc)
STGW60H65FB STMicroelectronics STGW60H65FB 5.5100
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ECAD 548 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STGW60 Standard 375 W TO-247 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 60 A, 5 Ohm, 15 V Sosta sul campo di trincea 650 V 80A 240A 2,3 V a 15 V, 60 A 1,09 mJ (acceso), 626 µJ (spento) 306 nC 51ns/160ns
STGP10NB60SD STMicroelectronics STGP10NB60SD 2.8800
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ECAD 6173 0.00000000 STMicroelettronica PowerMESH™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STGP10 Standard 80 W TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 480 V, 10 A, 1 kOhm, 15 V 37 nn - 600 V 29A 80A 1,75 V a 15 V, 10 A 600μJ (acceso), 5mJ (spento) 33 nC 700ns/1,2μs
STP2N80K5 STMicroelectronics STP2N80K5 1.3800
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ECAD 7712 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH5™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP2N80 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 800 V 2A(Tc) 10 V 4,5 Ohm a 1 A, 10 V 5 V a 100 µA 3 nC a 10 V 30 V 95 pF a 100 V - 45 W (Tc)
STP60NF03L STMicroelectronics STP60NF03L -
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ECAD 6962 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ Tubo Obsoleto 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP60N MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 30 V 60A (Tc) 4,5 V, 10 V 10 mOhm a 30 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 58 nC a 5 V ±20 V 2550 pF a 25 V - 100 W (Tc)
STGF10NC60HD STMicroelectronics STGF10NC60HD -
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ECAD 2861 0.00000000 STMicroelettronica PowerMESH™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STGF10 Standard 24 W TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 390 V, 5 A, 10 Ohm, 15 V 22 ns - 600 V 9A 30A 2,5 V a 15 V, 5 A 31,8 µJ (acceso), 95 µJ (spento) 19,2 nC 14,2 n/72 n
STB150N3LH6 STMicroelectronics STB150N3LH6 2.7400
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ECAD 998 0.00000000 STMicroelettronica DeepGATE™, STripFET™ VI Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB STB150N MOSFET (ossido di metallo) D²PAK (TO-263) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 30 V 80A (Tc) 5 V, 10 V 3 mOhm a 40 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 80 nC a 10 V ±20 V 3800 pF a 25 V - 110 W (Tc)
STW48N60M2-4 STMicroelectronics STW48N60M2-4 8.5600
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ECAD 7726 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ M2 Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-247-4 STW48 MOSFET (ossido di metallo) TO-247-4 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 600 V 42A(Tc) 10 V 70 mOhm a 21 A, 10 V 4 V a 250 µA 70 nC a 10 V ±25 V 3060 pF a 100 V - 300 W(Tc)
STS30N3LLH6 STMicroelectronics STS30N3LLH6 -
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ECAD 3245 0.00000000 STMicroelettronica DeepGATE™, STripFET™ VI Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) STS30 MOSFET (ossido di metallo) 8-SOIC - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 30 V 30A (Tc) 4,5 V, 10 V 2,4 mOhm a 15 A, 10 V 1 V a 250 µA 40 nC a 4,5 V ±20 V 4040 pF a 25 V - 2,7 W (TC)
A2C50S65M2-F STMicroelectronics A2C50S65M2-F 65.3100
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ECAD 5941 0.00000000 STMicroelettronica - Vassoio Attivo -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio Modulo A2C50 208 W Standard ACEPACK™2 scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 18 Invertitore trifase Sosta sul campo di trincea 650 V 50A 2,3 V a 15 V, 50 A 100 µA 4,15 nF a 25 V
STU7N80K5 STMicroelectronics STU7N80K5 2.4100
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ECAD 2 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH5™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA STU7N80 MOSFET (ossido di metallo) TO-251 (IPAK) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-13656-5 EAR99 8541.29.0095 75 CanaleN 800 V 6A (Tc) 10 V 1,2 Ohm a 3 A, 10 V 5 V a 100 µA 13,4 nC a 10 V ±30 V 360 pF a 100 V - 110 W (Tc)
STF100N6F7 STMicroelectronics STF100N6F7 1.8300
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ECAD 412 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ F7 Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF100 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-15884-5 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 60 V 46A(Tc) 10 V 5,6 mOhm a 23 A, 10 V 4 V a 250 µA 30 nC a 10 V ±20 V 1980 pF a 25 V - 25 W (Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock