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Transistor(3861)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
STN951	0,8800	Richiesta di offerta	5	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	STN951				1,6 W	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000																				60 V	5A							100nA (ICBO)	PNP	500 mV a 200 mA, 5 A	150 a 2A, 1V	130 MHz
STL190N4F7AG	2.5900	Richiesta di offerta	5395	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, STripFET™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale, fianco bagnabile	8-PowerVDFN	STL190			MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN						40 V	120A (Tc)	10 V	2 mOhm a 17,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	41 nC a 10 V	±20 V	3000 pF a 25 V	-	127 W(Tc)
STI76NF75	2.4800	Richiesta di offerta	999	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STI7			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN						75 V	80A (Tc)	10 V	11 mOhm a 40 A, 10 V	4 V a 250 µA	160 nC a 10 V	±20 V	3700 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
MMBT2222A	-	Richiesta di offerta	1408	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT2222				350 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																				40 V	600 mA							10nA (ICBO)	NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	270 MHz
BCY59VIII	-	Richiesta di offerta	7525	STMicroelettronica	-	Massa	Obsoleto		175°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	BCY59				390 mW	TO-18	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	1.000																				45 V	200 mA							10nA	NPN	700 mV a 2,5 mA, 100 mA	180 a 2 mA, 5 V	200 MHz
STP12N60M2	1.7400	Richiesta di offerta	8772	STMicroelettronica	MDmesh™ M2	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP12			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-16020-5	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN						600 V	9A (Tc)	10 V	450 mOhm a 4,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	16 nC a 10 V	±25 V	538 pF a 100 V	-	85 W (Tc)
STGP30H60DF	2.8900	Richiesta di offerta	3482	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STGP30	Standard			260 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-13583-5	EAR99	8541.29.0095	50			400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V															110 n	Sosta sul campo di trincea	600 V	60A	120A	2,4 V a 15 V, 30 A	350μJ (acceso), 400μJ (spento)	105 nC	50ns/160ns
2STR1215	0,3900	Richiesta di offerta	4	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2STR1215				500 mW	SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000																				15 V	1,5 A							100nA (ICBO)	NPN	850 mV a 200 mA, 2 A	200 a 500 mA, 2 V	-
STD12NF06L-1	0,9000	Richiesta di offerta	2933	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STD12			MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75	CanaleN						60 V	12A (Tc)	5 V, 10 V	100 mOhm a 6 A, 10 V	2 V a 250 µA	10 nC a 5 V	±16V	350 pF a 25 V	-	42,8 W(Tc)
STGB12NB60KDT4	-	Richiesta di offerta	8321	STMicroelettronica	PowerMESH™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STGB12	Standard			125 W	D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			480 V, 12 A, 10 Ohm, 15 V															80 ns	-	600 V	30A	60A	2,8 V a 15 V, 12 A	258μJ (spento)	54 nC	25ns/96ns
STGB30H60DF	-	Richiesta di offerta	4366	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STGB30	Standard			260 W	D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V															110 n	Sosta sul campo di trincea	600 V	60A	120A	2,4 V a 15 V, 30 A	350μJ (acceso), 400μJ (spento)	105 nC	50ns/160ns
BU900TP	-	Richiesta di offerta	2620	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	SOT-82	BU900				55 W	SOT-82-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																				370 V	5A							100μA	NPN - Trilinton, morsetto Zener	4 V a 3 mA, 3 A	7000 a 1 A, 5 V	-
STH320N4F6-2	5.0100	Richiesta di offerta	263	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, variante D²Pak (2 conduttori + linguetta).	STH320			MOSFET (ossido di metallo)		H²PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN						40 V	200A (Tc)	10 V	1,3 mOhm a 80 A, 10 V	4 V a 250 µA	240 nC a 10 V	±20 V	13.800 pF a 15 V	-	300 W(Tc)
STL19N60M6	3.4600	Richiesta di offerta	7747	STMicroelettronica	MDmesh™ M6	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL19			MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (8x8) Alta tensione	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN						600 V	11A(Tc)	10 V	308 mOhm a 6,5 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	16,8 nC a 10 V	±25 V	650 pF a 100 V	-	90 W (Tc)
STL100N1VH5	-	Richiesta di offerta	2871	STMicroelettronica	STRipFET™ V	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL100			MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN						12 V	100A (Tc)	2,5 V, 4,5 V	3 mOhm a 12,5 A, 4,5 V	500 mV a 250 µA (min)	26,5 nC a 4,5 V	±8 V	2085 pF a 10 V	-	60 W (Tc)
BD140	0,7400	Richiesta di offerta	2	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-225AA, TO-126-3	BD140				1,25 W	SOT-32-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																				80 V	1,5 A							100nA (ICBO)	PNP	500mV a 50mA, 500mA	40 a 150 mA, 2 V	-
STP13NK50Z	-	Richiesta di offerta	2284	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP13N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN						500 V	11A(Tc)	10 V	480 mOhm a 6,5 A, 10 V	4,5 V a 100 µA	47 nC a 10 V	±30 V	1600 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
STP4N62K3	-	Richiesta di offerta	1373	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP4N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN						620 V	3,8 A(Tc)	10 V	1,95 Ohm a 1,9 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	14 nC a 10 V	±30 V	450 pF a 50 V	-	70 W (Tc)
STB2N62K3	1.6200	Richiesta di offerta	634	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB2N			MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN						620 V	2,2 A(Tc)	10 V	3,6 Ohm a 1,1 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	15 nC a 10 V	±30 V	340 pF a 50 V	-	45 W (Tc)
STF13NM60N	4.2400	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF13			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-8892-5	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN						600 V	11A(Tc)	10 V	360 mOhm a 5,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	30 nC a 10 V	±25 V	790 pF a 50 V	-	25 W (Tc)
STD70N10F4	2.2100	Richiesta di offerta	3191	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD70			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN						100 V	60A (Tc)	10 V	19,5 mOhm a 30 A, 10 V	4 V a 250 µA	85 nC a 10 V	±20 V	5800 pF a 25 V	-	125 W (Tc)
STF110N10F7	-	Richiesta di offerta	3936	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™ VII	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF11			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN						100 V	45A (Tc)	10 V	7 mOhm a 22,5 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	72 nC a 10 V	±20 V	5117 pF a 50 V	-	30 W (Tc)
STB18N65M5	3.2200	Richiesta di offerta	3395	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB18			MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN						650 V	15A (Tc)	10 V	220 mOhm a 7,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	31 nC a 10 V	±25 V	1240 pF a 100 V	-	110 W (Tc)
STB20NK50ZT4	-	Richiesta di offerta	3345	STMicroelettronica	SuperMESH™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB20N			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN						500 V	17A(Tc)	10 V	270 mOhm a 8,5 A, 10 V	4,5 V a 100 µA	119 nC a 10 V	±30 V	2600 pF a 25 V	-	190 W(Tc)
STGW30NC60KD	7.7600	Richiesta di offerta	5153	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STGW30	Standard			200 W	TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30			480 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V															40 ns	-	600 V	60A	125A	2,7 V a 15 V, 20 A	350μJ (acceso), 435μJ (spento)	96 nC	29ns/120ns
LET9060F	-	Richiesta di offerta	5724	STMicroelettronica	-	Vassoio	Obsoleto	80 V			M250	LET9060		945 MHz	LDMOS		M250	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25		12A		400 mA	75 W	18dB											-										28 V
STD15N60M2-EP	1.7200	Richiesta di offerta	8535	STMicroelettronica	MDmesh™ M2-EP	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD15			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN						600 V	11A(Tc)	10 V	378 mOhm a 5,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	17 nC a 10 V	±25 V	590 pF a 100 V	-	110 W (Tc)
2STD1665T4	1.1100	Richiesta di offerta	8116	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	2STD1665				15 W	DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500																				65 V	6A							50nA (ICBO)	NPN	380 mV a 300 mA, 6 A	150 a 2A, 1V	-
STD7N60DM2	0,6458	Richiesta di offerta	9103	STMicroelettronica	MDmesh™DM2	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD7N60			MOSFET (ossido di metallo)		D-PAK (TO-252)	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN						600 V	6A (Tc)	10 V	900 mOhm a 3 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	7,5 nC a 10 V	±25 V	324 pF a 100 V	-	60 W (Tc)
STP8NS25FP	-	Richiesta di offerta	8263	STMicroelettronica	SOVRAPPOSIZIONE IN RETE™	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STP8N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN						250 V	8A (Tc)	10 V	450 mOhm a 4 A, 10 V	4 V a 250 µA	51,8 nC a 10 V	±20 V	770 pF a 25 V	-	30 W (Tc)