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Transistor(3861)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
STS5N15F4	1.7700	Richiesta di offerta	8767	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	STS5N15	MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN	150 V	5A (Tc)	10 V	63 mOhm a 2,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	48 nC a 10 V	±20 V	2710 pF a 25 V	-	2,5 W(Tc)
BDW83C-TO218	-	Richiesta di offerta	4035	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-218-3, TO-218AC	BDW83		130 W	TO-218	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	BDW83CTO218	EAR99	8541.29.0095	30												100 V	15A	1mA	NPN-Darlington	4 V a 150 mA, 15 A	750 a 6 A, 3 V	-
STF26NM60ND	-	Richiesta di offerta	6756	STMicroelettronica	FDmesh™II	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF26	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	600 V	21A(Tc)	10 V	175 mOhm a 10,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	54,6 nC a 10 V	±25 V	1817 pF a 100 V	-	35 W (Tc)
STD16NF06T4	1.1200	Richiesta di offerta	50	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD16	MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN	60 V	16A (Tc)	10 V	70 mOhm a 8 A, 10 V	2 V a 250 µA	14,1 nC a 10 V	±20 V	400 pF a 15 V	-	40 W (Tc)
STW14NM50	-	Richiesta di offerta	9206	STMicroelettronica	MDmesh™	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW14N	MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	600	CanaleN	550 V	14A (Tc)	10 V	350 mOhm a 6 A, 10 V	5 V a 250 µA	38 nC a 10 V	±30 V	1000 pF a 25 V	-	175 W(Tc)
STP17NK40ZFP	4.2400	Richiesta di offerta	540	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STP17	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	400 V	15A (Tc)	10 V	250 mOhm a 7,5 A, 10 V	4,5 V a 100 µA	65 nC a 10 V	±30 V	1900 pF a 25 V	-	35 W (Tc)
STWA68N65DM6	8.1332	Richiesta di offerta	7206	STMicroelettronica	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STWA68	MOSFET (ossido di metallo)		TO-247 Cavi lunghi	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-STWA68N65DM6	EAR99	8541.29.0095	600	CanaleN	650 V	55A (Tc)	10 V	59 mOhm a 24 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	80 nC a 10 V	±25 V	3528 pF a 100 V	-	431W(Tc)
STP4NB80	-	Richiesta di offerta	9141	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP4N	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-2781-5	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	800 V	4A(Tc)	10 V	3,3 Ohm a 2 A, 10 V	5 V a 250 µA	29 nC a 10 V	±30 V	920 pF a 25 V	-	100 W (Tc)
STW11NK90Z	6.6500	Richiesta di offerta	1839	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW11	MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-6198-5	EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN	900 V	9,2 A(Tc)	10 V	980 mOhm a 4,6 A, 10 V	4,5 V a 100 µA	115 nC a 10 V	±30 V	3000 pF a 25 V	-	200 W (Tc)
STB20N95K5	8.1600	Richiesta di offerta	3423	STMicroelettronica	SuperMESH5™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB20	MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN	950 V	17,5 A(Tc)	10 V	330 mOhm a 9 A, 10 V	5 V a 100 µA	40 nC a 10 V	±30 V	1500 pF a 100 V	-	250 W(Tc)
STP12NK30Z	2.6000	Richiesta di offerta	785	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP12	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	300 V	9A (Tc)	10 V	400 mOhm a 4,5 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	35 nC a 10 V	±30 V	670 pF a 25 V	-	90 W (Tc)
STP10NM60ND	1.7500	Richiesta di offerta	631	STMicroelettronica	FDmesh™II	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP10	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	600 V	8A (Tc)	10 V	600 mOhm a 4 A, 10 V	5 V a 250 µA	20 nC a 10 V	±25 V	577 pF a 50 V	-	70 W (Tc)
STP60N55F3	-	Richiesta di offerta	5403	STMicroelettronica	STRipFET™ III	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP60N	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	55 V	80A (Tc)	10 V	8,5 mOhm a 32 A, 10 V	4 V a 250 µA	45 nC a 10 V	±20 V	2200 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
STD10PF06T4	-	Richiesta di offerta	2130	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD10	MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	Canale P	60 V	10A (Tc)	10 V	200 mOhm a 5 A, 10 V	4 V a 250 µA	21 nC a 10 V	±20 V	850 pF a 25 V	-	40 W (Tc)
STF19NF20	1.6900	Richiesta di offerta	47	STMicroelettronica	SOVRAPPOSIZIONE IN RETE™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF19	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	200 V	15A (Tc)	10 V	160 mOhm a 7,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	24 nC a 10 V	±20 V	800 pF a 25 V	-	25 W (Tc)
STFI20NM65N	4.7400	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Confezione completa, I²Pak	STFI20N	MOSFET (ossido di metallo)		I2PAKFP (TO-281)	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	650 V	15A (Tc)	10 V	270 mOhm a 7,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	44 nC a 10 V	±25 V	1280 pF a 50 V	-	30 W (Tc)
STP13N60M2	2.1700	Richiesta di offerta	983	STMicroelettronica	MDmesh™ II Plus	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP13	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	600 V	11A(Tc)	10 V	380 mOhm a 5,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	17 nC a 10 V	±25 V	580 pF a 100 V	-	110 W (Tc)
STP9NK80Z	-	Richiesta di offerta	6219	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP9N	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	800 V	7,5 A(Tc)	10 V	1,2 Ohm a 3,75 A, 10 V	4,5 V a 100 µA	84 nC a 10 V	±30 V	1900 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
STB24NM65N	-	Richiesta di offerta	4453	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB24N	MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	-497-7002-2	EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN	650 V	19A(Tc)	10 V	190 mOhm a 9,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	70 nC a 10 V	±25 V	2500 pF a 50 V	-	160 W(Tc)
STL13N60DM2	2.1300	Richiesta di offerta	2	STMicroelettronica	MDmesh™DM2	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL13	MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (5x6) Alta tensione	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN	600 V	8A (Tc)	10 V	370 mOhm a 4 A, 10 V	5 V a 250 µA	19 nC a 10 V	±25 V	730 pF a 100 V	-	52 W (Tc)
STN4NF03L	0,9800	Richiesta di offerta	17	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	STN4NF03	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000	CanaleN	30 V	6,5 A(Tc)	5 V, 10 V	50 mOhm a 2 A, 10 V	1 V a 250 µA	9 nC a 10 V	±16V	330 pF a 25 V	-	3,3 W(Tc)
STL47N60M6	4.0829	Richiesta di offerta	5978	STMicroelettronica	MDmesh™ M6	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL47	MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (8x8) Alta tensione	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN	600 V	31A(Tc)	10 V	80 mOhm a 15,5 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	57 nC a 10 V	±25 V		-	189 W(Tc)
STL210N4F7	0,9653	Richiesta di offerta	7838	STMicroelettronica	STRipFET F7	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL210	MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (5x6)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-STL210N4F7	EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN	40 V	120A (Tc)	10 V	1,6 mOhm a 16 A, 10 V	4 V a 250 µA	43 nC a 10 V	±20 V	3600 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
STD80N10F7	2.1600	Richiesta di offerta	3	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™ VII	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD80	MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN	100 V	70A (Tc)	10 V	10 mOhm a 40 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	45 nC a 10 V	±20 V	3100 pF a 50 V	-	85 W (Tc)
STP30NM50N	-	Richiesta di offerta	7483	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP30N	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-8790-5	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	500 V	27A(Tc)	10 V	115 mOhm a 13,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	94 nC a 10 V	±25 V	2740 pF a 50 V	-	190 W(Tc)
BUV298V	-	Richiesta di offerta	8530	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio su telaio	ISOTOP	BUV298		250 W	ISOTOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10												450 V	50A	-	NPN	1,2 V a 6,4 A, 32 A	12 a 32 A, 5 V	-
2STN2360	-	Richiesta di offerta	3331	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	2STN		1,6 W	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000												60 V	3A	100nA (ICBO)	PNP	500 mV a 150 mA, 3 A	160 @ 1A, 2V	130 MHz
MJD122T4	0,9300	Richiesta di offerta	427	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	MJD122		20 W	DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500												100 V	8A	10μA	NPN-Darlington	4 V a 80 mA, 8 A	1000 a 4 A, 4 V	-
STW8NK80Z	3.9600	Richiesta di offerta	9407	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW8NK80	MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN	800 V	6,2 A(Tc)	10 V	1,5 Ohm a 3,1 A, 10 V	4,5 V a 100 µA	46 nC a 10 V	±30 V	1320 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
STX616-AP	0,6800	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	-	Nastro tagliato (CT)	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	STX616		2,8 W	TO-92AP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000												500 V	1,5 A	50μA	NPN	1 V a 200 mA, 1 A	12 a 500 mA, 5 V	-