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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Potenza: max Ingresso Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Condizione di prova Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tempo di recupero inverso (trr) Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Corrente - Interruzione collettore (max) Termistore NTC Capacità di ingresso (Cies) @ Vce Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione
2STR2240 STMicroelectronics 2STR2240 -
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ECAD 9085 0.00000000 STMicroelettronica * Nastro e bobina (TR) Obsoleto - - 2STR2240 - - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 12.000
STI260N6F6 STMicroelectronics STI260N6F6 5.6200
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ECAD 891 0.00000000 STMicroelettronica DeepGATE™, STripFET™ VI Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA STI260N MOSFET (ossido di metallo) I2PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 75 V 120A (Tc) 10 V 3 mOhm a 60 A, 10 V 4 V a 250 µA 183 nC a 10 V ±20 V 11.400 pF a 25 V - 300 W(Tc)
STD70NH02LT4 STMicroelectronics STD70NH02LT4 -
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ECAD 7431 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ II Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 STD70N MOSFET (ossido di metallo) DPAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 24 V 60A (Tc) 5 V, 10 V 8 mOhm a 30 A, 10 V 1,8 V a 250 µA 22 nC a 10 V ±20 V 2050 pF a 25 V - 70 W (Tc)
STF26NM60ND STMicroelectronics STF26NM60ND -
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ECAD 6756 0.00000000 STMicroelettronica FDmesh™II Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF26 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 600 V 21A(Tc) 10 V 175 mOhm a 10,5 A, 10 V 5 V a 250 µA 54,6 nC a 10 V ±25 V 1817 pF a 100 V - 35 W (Tc)
STW14NM50 STMicroelectronics STW14NM50 -
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ECAD 9206 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STW14N MOSFET (ossido di metallo) TO-247-3 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 600 CanaleN 550 V 14A (Tc) 10 V 350 mOhm a 6 A, 10 V 5 V a 250 µA 38 nC a 10 V ±30 V 1000 pF a 25 V - 175 W(Tc)
STP17NK40ZFP STMicroelectronics STP17NK40ZFP 4.2400
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ECAD 540 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STP17 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 400 V 15A (Tc) 10 V 250 mOhm a 7,5 A, 10 V 4,5 V a 100 µA 65 nC a 10 V ±30 V 1900 pF a 25 V - 35 W (Tc)
STWA68N65DM6 STMicroelectronics STWA68N65DM6 8.1332
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ECAD 7206 0.00000000 STMicroelettronica - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STWA68 MOSFET (ossido di metallo) TO-247 Cavi lunghi - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 497-STWA68N65DM6 EAR99 8541.29.0095 600 CanaleN 650 V 55A (Tc) 10 V 59 mOhm a 24 A, 10 V 4,75 V a 250 µA 80 nC a 10 V ±25 V 3528 pF a 100 V - 431W(Tc)
BDW83C-TO218 STMicroelectronics BDW83C-TO218 -
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ECAD 4035 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-218-3, TO-218AC BDW83 130 W TO-218 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato BDW83CTO218 EAR99 8541.29.0095 30 100 V 15A 1mA NPN-Darlington 4 V a 150 mA, 15 A 750 a 6 A, 3 V -
STP5NK100Z STMicroelectronics STP5NK100Z 4.1300
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ECAD 2891 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH3™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP5NK100 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-4382-5 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 1000 V 3,5 A (TC) 10 V 3,7 Ohm a 1,75 A, 10 V 4,5 V a 100 µA 59 nC a 10 V ±30 V 1154 pF a 25 V - 125 W (Tc)
ULN2067B STMicroelectronics ULN2067B 6.8000
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ECAD 840 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Acquisto per l'ultima volta -20°C ~ 85°C (TA) Foro passante 16-PowerDIP (0,300", 7,62 mm) ULN2067 1 W 16-PowerDIP (20x7.10) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 25 80 V 1,75 A - 4 NPN Darlington (quadruplo) 1,5 V a 2,25 mA, 1,5 A - -
STD16NF06T4 STMicroelectronics STD16NF06T4 1.1200
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ECAD 50 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ II Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 STD16 MOSFET (ossido di metallo) DPAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 60 V 16A (Tc) 10 V 70 mOhm a 8 A, 10 V 2 V a 250 µA 14,1 nC a 10 V ±20 V 400 pF a 15 V - 40 W (Tc)
STP20NM65N STMicroelectronics STP20NM65N -
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ECAD 8529 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ II Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP20N MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 650 V 15A (Tc) 10 V 270 mOhm a 7,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 44 nC a 10 V ±25 V 1280 pF a 50 V - 125 W (Tc)
BUL381D STMicroelectronics BUL381D -
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ECAD 5639 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 BUL381 70 W TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 400 V 5A 250μA NPN 1,1 V a 750 mA, 3 A 8 a 2 A, 5 V -
STP20NM60A STMicroelectronics STP20NM60A -
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ECAD 7603 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP20N MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-4376-5 EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 650 V 20A (Tc) 10 V 290 mOhm a 10 A, 10 V 4 V a 250 µA 60 nC a 10 V ±30 V 1630 pF a 25 V - 192 W(Tc)
STF2HNK60Z STMicroelectronics STF2HNK60Z 1.5700
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ECAD 1 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF2HNK60 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 600 V 2A(Tc) 10 V 4,8 Ohm a 1 A, 10 V 4,5 V a 50 µA 15 nC a 10 V ±30 V 280 pF a 25 V - 20 W (Tc)
SCTH50N120-7 STMicroelectronics SCTH50N120-7 35,5000
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ECAD 46 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA SCTH50 SiCFET (carburo di silicio) H2PAK-7 scaricamento REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 1200 V 65A 20 V 69 mOhm a 40 A, 20 V 5,1 V a 1 mA 122 nC a 20 V +22 V, -10 V 1900 pF a 400 V - 270 W(Tc)
A2C35S12M3 STMicroelectronics A2C35S12M3 71.8300
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ECAD 1329 0.00000000 STMicroelettronica - Vassoio Attivo -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio Modulo A2C35 250 W Raddrizzatore a ponte trifase ACEPACK™2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 14 Invertitore Trifase con Freno Sosta sul campo di trincea 1200 V 35A 2,45 V a 15 V, 35 A 100 µA 2.154 nF a 25 V
STX13005G STMicroelectronics STX13005G -
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ECAD 2886 0.00000000 STMicroelettronica - Borsa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) STX13005 2,8 W TO-92-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 400 V 3A 1mA NPN 5 V a 750 mA, 3 A 8 a 2 A, 5 V -
STW240N10F7 STMicroelectronics STW240N10F7 -
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ECAD 5881 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ F7 Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STW240 MOSFET (ossido di metallo) TO-247-3 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 600 CanaleN 100 V 180A(Tc) 10 V 3 mOhm a 90 A, 10 V 4,5 V a 250 µA 160 nC a 10 V ±20 V 11550 pF a 25 V - 300 W(Tc)
STGWA30H65DFB STMicroelectronics STGWA30H65DFB 2.4029
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ECAD 1265 0.00000000 STMicroelettronica HB Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STGWA30 Standard 260 W TO-247 Cavi lunghi scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 600 400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V 140 n Sosta sul campo di trincea 650 V 60A 120A 2 V a 15 V, 30 A 382μJ (acceso), 293μJ (spento) 149 nC 46ns/146ns
STL135N8F7AG STMicroelectronics STL135N8F7AG 3.2500
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ECAD 1 0.00000000 STMicroelettronica Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale, fianco bagnabile 8-PowerVDFN STL135 MOSFET (ossido di metallo) PowerFlat™ (5x6) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 80 V 130A (Tc) 10 V 3,6 mOhm a 13 A, 10 V 4,5 V a 250 µA 103 nC a 10 V ±20 V 6800 pF a 40 V - 4,8 W (Ta), 135 W (Tc)
STP11NK40ZFP STMicroelectronics STP11NK40ZFP 2.4800
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ECAD 373 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STP11 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 400 V 9A (Tc) 10 V 550 mOhm a 4,5 A, 10 V 4,5 V a 100 µA 32 nC a 10 V ±30 V 930 pF a 25 V - 30 W (Tc)
STP4NB50 STMicroelectronics STP4NB50 -
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ECAD 8503 0.00000000 STMicroelettronica PowerMESH™ Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP4N MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-2719-5 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 500 V 3,8 A(Tc) 10 V 2,8 Ohm a 1,9 A, 10 V 4 V a 250 µA 21 nC a 10 V ±30 V 400 pF a 25 V - 80 W (Tc)
STB80NF03L-04T4 STMicroelectronics STB80NF03L-04T4 3.5200
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ECAD 1076 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ II Nastro e bobina (TR) Acquisto per l'ultima volta -60°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB STB80 MOSFET (ossido di metallo) D2PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 30 V 80A (Tc) 4,5 V, 10 V 4 mOhm a 40 A, 10 V 1 V a 250 µA 110 nC a 4,5 V ±20 V 5500 pF a 25 V - 300 W(Tc)
ULN2074B STMicroelectronics ULN2074B 6.8000
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ECAD 945 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Acquisto per l'ultima volta -20°C ~ 85°C (TA) Foro passante 16-PowerDIP (0,300", 7,62 mm) ULN2074 1 W 16-PowerDIP (20x7.10) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 25 50 V 1,75 A - 4 NPN Darlington (quadruplo) 1,4 V a 2 mA, 1,25 A - -
STF23NM60ND STMicroelectronics STF23NM60ND 3.3476
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ECAD 3079 0.00000000 STMicroelettronica FDmesh™II Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF23 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 600 V 19,5 A(Tc) 10 V 180 mOhm a 10 A, 10 V 5 V a 250 µA 70 nC a 10 V ±25 V 2050 pF a 50 V - 35 W (Tc)
STWH13009 STMicroelectronics STWH13009 -
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ECAD 8327 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STWH130 125 W TO-247-3 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 400 V 12A - NPN 2 V a 2,4 A, 12 A 18 a 5 A, 5 V -
STF35N65DM2 STMicroelectronics STF35N65DM2 3.5628
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ECAD 8546 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™DM2 Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF35 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 650 V 32A(Tc) 10 V 110 mOhm a 16 A, 10 V 5 V a 250 µA 56,3 nC a 10 V ±25 V 2540 pF a 100 V - 40 W (Tc)
STL19N60DM2 STMicroelectronics STL19N60DM2 3.3100
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ECAD 110 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™DM2 Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN STL19 MOSFET (ossido di metallo) PowerFlat™ (8x8) Alta tensione scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 600 V 11A(Tc) 10 V 320 mOhm a 5,5 A, 10 V 5 V a 250 µA 21 nC a 10 V ±25 V - 90 W (Tc)
STD30PF03LT4 STMicroelectronics STD30PF03LT4 -
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ECAD 7551 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ II Nastro e bobina (TR) Obsoleto 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 STD30 MOSFET (ossido di metallo) DPAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 Canale P 30 V 24A (Tc) 5 V, 10 V 28 mOhm a 12 A, 10 V 1 V a 250 µA 28 nC a 5 V ±16V 1670 pF a 25 V - 70 W (Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock