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Transistor(3861)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
BD680	1.0600	Richiesta di offerta	3	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-225AA, TO-126-3	BD680				40 W	SOT-32-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-5716	EAR99	8541.29.0095	50																					80 V	4A							500μA	PNP-Darlington	2,5 V a 30 mA, 1,5 A	750 a 1,5 A, 3 V	-
STX616-AP	0,6800	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	-	Nastro tagliato (CT)	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	STX616				2,8 W	TO-92AP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000																					500 V	1,5 A							50μA	NPN	1 V a 200 mA, 1 A	12 a 500 mA, 5 V	-
STW4N150	8.3200	Richiesta di offerta	4612	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW4N150			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-5092-5	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						1500 V	4A(Tc)	10 V	7 Ohm a 2 A, 10 V	5 V a 250 µA	50 nC a 10 V	±30 V	1300 pF a 25 V	-	160 W(Tc)
STP6N120K3	-	Richiesta di offerta	6583	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP6N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-12123	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						1200 V	6A (Tc)	10 V	2,4 Ohm a 2,5 A, 10 V	5 V a 100 µA	34 nC a 10 V	±30 V	1050 pF a 100 V	-	150 W(Tc)
STF7N90K5	2.8800	Richiesta di offerta	7019	STMicroelettronica	MDmesh™ K5	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF7			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-17080	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						900 V	7A(Tc)	10 V	-	5 V a 100 µA		±30 V		-	25 W
BUL705	0,9400	Richiesta di offerta	3	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BUL705				80 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																					400 V	5A							250μA	NPN	800 mV a 1 A, 4 A	16 a 2 A, 5 V	-
STP8NM60	-	Richiesta di offerta	5402	STMicroelettronica	MDmesh™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP8N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						650 V	8A (Tc)	10 V	1 Ohm a 2,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	18 nC a 10 V	±30 V	400 pF a 25 V	-	100 W (Tc)
STFI7LN80K5	1.9200	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	MDmesh™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Confezione completa, I²Pak	STFI7			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAKFP (TO-281)	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						800 V	5A (Tc)	10 V	1,15 Ohm a 2,5 A, 10 V	5 V a 100 µA	12 nC a 10 V	±30 V	270 pF a 100 V	-	25 W (Tc)
2STA2510	-	Richiesta di offerta	7874	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3	2STA				125 W	TO-3P	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30																					100 V	25A							10 µA (ICBO)	PNP	1,5 V a 1,2 A, 12 A	40 a 12 A, 4 V	20 MHz
STW90NF20	-	Richiesta di offerta	2206	STMicroelettronica	STRipFET™	Tubo	Obsoleto		-50°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW90N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-8464-5	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						200 V	83A(Tc)	10 V	23 mOhm a 45 A, 10 V	4 V a 250 µA	164 nC a 10 V	±20 V	5736 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
PD55015-E	21.0200	Richiesta di offerta	8432	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo	40 V			Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10RF (2 conduttori formati)	PD55015		500 MHz	LDMOS		PowerSO-10RF (formato piombo)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			5A		150 mA	15 W	14dB											-										12,5 V
STD110NH02LT4	-	Richiesta di offerta	2024	STMicroelettronica	STRipFET™ III	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD11			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						24 V	80A (Tc)	5 V, 10 V	5 mOhm a 40 A, 10 V	1 V a 250 µA	93 nC a 10 V	±20 V	4450 pF a 15 V	-	125 W (Tc)
BUL310	-	Richiesta di offerta	7006	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BUL310				75 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																					500 V	5A							250μA	NPN	1,1 V a 600 mA, 3 A	6 a 3 A, 2,5 V	-
STP10NK70ZFP	4.3100	Richiesta di offerta	982	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STP10			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						700 V	8,6 A(Tc)	10 V	850 mOhm a 4,5 A, 10 V	4,5 V a 100 µA	90 nC a 10 V	±30 V	2000 pF a 25 V	-	35 W (Tc)
STD5NK50ZT4	1.5700	Richiesta di offerta	2	STMicroelettronica	SuperMESH™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD5NK50			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						500 V	4,4 A(Tc)	10 V	1,5 Ohm a 2,2 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	28 nC a 10 V	±30 V	535 pF a 25 V	-	70 W (Tc)
STI32N65M5	6.5400	Richiesta di offerta	995	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STI32N			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						650 V	24A (Tc)	10 V	119 mOhm a 12 A, 10 V	5 V a 250 µA	72 nC a 10 V	±25 V	3320 pF a 100 V	-	150 W(Tc)
STB18NM80	4.7100	Richiesta di offerta	2680	STMicroelettronica	MDmesh™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB18			MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-10117-1	EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						800 V	17A(Tc)	10 V	295 mOhm a 8,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	70 nC a 10 V	±25 V	2070 pF a 50 V	-	190 W(Tc)
STGFL6NC60D	1.6400	Richiesta di offerta	487	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STGFL6	Standard			22 W	TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50				390 V, 3 A, 10 Ohm, 15 V															30 ns	-	600 V	7A	25A	2,9 V a 15 V, 3 A	46,5 µJ (acceso), 23,5 µJ (spento)	12 nC	6,7 n/46 n
STGP30V60DF	-	Richiesta di offerta	6106	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STGP30	Standard			258 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50				400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V															53 ns	Sosta sul campo di trincea	600 V	60A	120A	2,3 V a 15 V, 30 A	383μJ (acceso), 233μJ (spento)	163 nC	45ns/189ns
STF5NK100Z	4.4200	Richiesta di offerta	10	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF5NK100			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-4344-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						1000 V	3,5 A (TC)	10 V	3,7 Ohm a 1,75 A, 10 V	4,5 V a 100 µA	59 nC a 10 V	±30 V	1154 pF a 25 V	-	30 W (Tc)
STS9D8NH3LL	-	Richiesta di offerta	2808	STMicroelettronica	STRipFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	STS9D8			MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 canali N (doppio)							30 V	8A, 9A		22 mOhm a 4 A, 10 V	1 V a 250 µA	10nC a 4,5 V		857 pF a 25 V	Porta a livello logico
STI270N4F3	4.4500	Richiesta di offerta	888	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STI270			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						40 V	160A(Tc)	10 V	2,6 mOhm a 80 A, 10 V	4 V a 250 µA	150 nC a 10 V	±20 V	7400 pF a 25 V	-	330 W(Tc)
PD55025-E	29.6600	Richiesta di offerta	4356	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo	40 V			Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10	PD55025		500 MHz	LDMOS		10-PowerSO	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			7A		200 mA	25 W	14,5dB											-										12,5 V
STN5PF02V	-	Richiesta di offerta	3961	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	STN5P			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		Canale P						20 V	4,2 A(Tc)	2,5 V, 4,5 V	80 mOhm a 2,1 A, 4,5 V	450 mV a 250 µA (min)	6 nC a 2,5 V	±8 V	412 pF a 15 V	-	2,5 W(Tc)
STB200NF04-1	-	Richiesta di offerta	4797	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STB200N			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						40 V	120A (Tc)	10 V	3,7 mOhm a 90 A, 10 V	4 V a 250 µA	210 nC a 10 V	±20 V	5100 pF a 25 V	-	310 W(Tc)
STT4PF20V	-	Richiesta di offerta	3954	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	STT4P			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P						20 V	3A (Tc)	2,7 V, 4,5 V	110 mOhm a 1,5 A, 4,5 V	600 mV a 250 µA (min)	7,8 nC a 4,5 V	±10 V	500 pF a 15 V	-	1,6 W (TC)
SD1726	-	Richiesta di offerta	5008	STMicroelettronica	-	Vassoio	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio superficiale	M174	SD1726				318 W	M174	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25							14dB														55 V	20A								NPN		18 a 1,4 A, 6 V	-	-
STD13N50DM2AG	1.0103	Richiesta di offerta	4858	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-	-	-	STD13			-		-	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		-							11A(Tc)	-	-	-		±25 V		-	-
2STR2240	-	Richiesta di offerta	9085	STMicroelettronica	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-	-	2STR2240					-	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	12.000
STI260N6F6	5.6200	Richiesta di offerta	891	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™ VI	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STI260N			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						75 V	120A (Tc)	10 V	3 mOhm a 60 A, 10 V	4 V a 250 µA	183 nC a 10 V	±20 V	11.400 pF a 25 V	-	300 W(Tc)