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Transistor(3861)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
2N7000	-	Richiesta di offerta	2463	STMicroelettronica	STRipFET™	Massa	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	2N70		MOSFET (ossido di metallo)		TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN					60 V	350 mA(Tc)	4,5 V, 10 V	5 Ohm a 500 mA, 10 V	3 V a 250 µA	2 nC a 5 V	±18 V	43 pF a 25 V	-	1W (Tc)
BUF410A	-	Richiesta di offerta	9885	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	BUF410			125 W	TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30																		450 V	15A		-	NPN	500 mV a 2 A, 10 A	-	-
STD95N3LLH6	-	Richiesta di offerta	7018	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™ VI	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD95		MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN					30 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	4,2 mOhm a 40 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	20 nC a 4,5 V	±20 V	2200 pF a 25 V	-	70 W (Tc)
2STBN15D100	1.4300	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	2STBN15			70 W	D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000																		100 V	12A		100μA	NPN-Darlington	1,3 V a 4 mA, 4 A	750 a 3 A, 3 V	-
STD16N65M2	2.5100	Richiesta di offerta	2	STMicroelettronica	MDmesh™M2	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD16		MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN					650 V	11A(Tc)	10 V	360 mOhm a 5,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	19,5 nC a 10 V	±25 V	718 pF a 100 V	-	110 W (Tc)
STL10N3LLH5	1.0900	Richiesta di offerta	4576	STMicroelettronica	STRipFET™ V	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL10		MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (3,3x3,3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN					30 V	9A (Tc)	4,5 V, 10 V	19 mOhm a 4,5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	6 nC a 4,5 V	±22 V	900 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 50 W (Tc)
STFU24N60M2	2.9900	Richiesta di offerta	1445	STMicroelettronica	MDmesh™ M2	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STFU24		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-16110-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					600 V	18A (Tc)	10 V	190 mOhm a 9 A, 10 V	4 V a 250 µA	29 nC a 10 V	±25 V	1060 pF a 100 V	-	30 W (Tc)
STD150N3LLH6	2.0300	Richiesta di offerta	963	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™ VI	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD15		MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN					30 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,8 mOhm a 40 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	29 nC a 4,5 V	±20 V	3700 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
STS8N6LF6AG	1.5200	Richiesta di offerta	7824	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	STS8N6		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN					60 V	8A (Ta)	4,5 V, 10 V	24 mOhm a 4 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	27 nC a 10 V	±20 V	1340 pF a 25 V	-	3,2 W(Ta)
STI260N6F6	5.6200	Richiesta di offerta	891	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™ VI	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STI260N		MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					75 V	120A (Tc)	10 V	3 mOhm a 60 A, 10 V	4 V a 250 µA	183 nC a 10 V	±20 V	11.400 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
STN5PF02V	-	Richiesta di offerta	3961	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	STN5P		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		Canale P					20 V	4,2 A(Tc)	2,5 V, 4,5 V	80 mOhm a 2,1 A, 4,5 V	450 mV a 250 µA (min)	6 nC a 2,5 V	±8 V	412 pF a 15 V	-	2,5 W(Tc)
SD1726	-	Richiesta di offerta	5008	STMicroelettronica	-	Vassoio	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio superficiale	M174	SD1726			318 W	M174	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25						14dB												55 V	20A			NPN		18 a 1,4 A, 6 V	-	-
STI270N4F3	4.4500	Richiesta di offerta	888	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STI270		MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					40 V	160A(Tc)	10 V	2,6 mOhm a 80 A, 10 V	4 V a 250 µA	150 nC a 10 V	±20 V	7400 pF a 25 V	-	330 W(Tc)
STD13N50DM2AG	1.0103	Richiesta di offerta	4858	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-	-	-	STD13		-		-	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		-						11A(Tc)	-	-	-		±25 V		-	-
STT4PF20V	-	Richiesta di offerta	3954	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	STT4P		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P					20 V	3A (Tc)	2,7 V, 4,5 V	110 mOhm a 1,5 A, 4,5 V	600 mV a 250 µA (min)	7,8 nC a 4,5 V	±10 V	500 pF a 15 V	-	1,6 W (TC)
STS9D8NH3LL	-	Richiesta di offerta	2808	STMicroelettronica	STRipFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	STS9D8		MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 canali N (doppio)						30 V	8A, 9A		22 mOhm a 4 A, 10 V	1 V a 250 µA	10nC a 4,5 V		857 pF a 25 V	Porta a livello logico
STF5NK100Z	4.4200	Richiesta di offerta	10	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF5NK100		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-4344-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					1000 V	3,5 A (TC)	10 V	3,7 Ohm a 1,75 A, 10 V	4,5 V a 100 µA	59 nC a 10 V	±30 V	1154 pF a 25 V	-	30 W (Tc)
STB200NF04-1	-	Richiesta di offerta	4797	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STB200N		MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN					40 V	120A (Tc)	10 V	3,7 mOhm a 90 A, 10 V	4 V a 250 µA	210 nC a 10 V	±20 V	5100 pF a 25 V	-	310 W(Tc)
PD55025-E	29.6600	Richiesta di offerta	4356	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo	40 V			Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10	PD55025	500 MHz	LDMOS		10-PowerSO	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			7A	200 mA	25 W	14,5dB											-			12,5 V
2STR2240	-	Richiesta di offerta	9085	STMicroelettronica	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto			-	-	2STR2240				-	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	12.000
BUL810	-	Richiesta di offerta	3532	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	BUL810			125 W	TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30																		450 V	15A		250μA	NPN	5 V a 2,4 A, 12 A	10 a 5 A, 5 V	-
STFI7LN80K5	1.9200	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	MDmesh™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Confezione completa, I²Pak	STFI7		MOSFET (ossido di metallo)		I2PAKFP (TO-281)	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					800 V	5A (Tc)	10 V	1,15 Ohm a 2,5 A, 10 V	5 V a 100 µA	12 nC a 10 V	±30 V	270 pF a 100 V	-	25 W (Tc)
STP8NM60	-	Richiesta di offerta	5402	STMicroelettronica	MDmesh™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP8N		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					650 V	8A (Tc)	10 V	1 Ohm a 2,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	18 nC a 10 V	±30 V	400 pF a 25 V	-	100 W (Tc)
2STA2510	-	Richiesta di offerta	7874	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3	2STA			125 W	TO-3P	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30																		100 V	25A		10 µA (ICBO)	PNP	1,5 V a 1,2 A, 12 A	40 a 12 A, 4 V	20 MHz
STW90NF20	-	Richiesta di offerta	2206	STMicroelettronica	STRipFET™	Tubo	Obsoleto		-50°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW90N		MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-8464-5	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN					200 V	83A(Tc)	10 V	23 mOhm a 45 A, 10 V	4 V a 250 µA	164 nC a 10 V	±20 V	5736 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
MD2103DFX	-	Richiesta di offerta	9401	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	Pacchetto completo TO-3P-3	MD2103			52 W	TO-3PF	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30																		700 V	6A		200μA	NPN	1,8 V a 750 mA, 3 A	6,5 a 3 A, 5 V	-
STF10N62K3	1.2013	Richiesta di offerta	5315	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF10		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					620 V	8,4 A(Tc)	10 V	750 mOhm a 4 A, 10 V	4,5 V a 100 µA	42 nC a 10 V	±30 V	1250 pF a 50 V	-	30 W (Tc)
STL128DFP	1.0600	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STL128			30 W	TO-220FP	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																		400 V	4A		250μA	NPN	500 mV a 700 mA, 3,5 A	10 a 2 A, 5 V	-
STD60NF55LT4	1.8100	Richiesta di offerta	8924	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD60		MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN					55 V	60A (Tc)	4,5 V, 10 V	15 mOhm a 30 A, 10 V	2 V a 250 µA	56 nC a 5 V	±15 V	1950 pF a 25 V	-	100 W (Tc)
STL8N80K5	2.9400	Richiesta di offerta	9482	STMicroelettronica	SuperMESH5™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL8N80		MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN					800 V	4,5 A(Tc)	10 V	950 mOhm a 3 A, 10 V	5 V a 100 µA	16,5 nC a 10 V	±30 V	450 pF a 100 V	-	42 W (Tc)