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Transistor(3861)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
STD30NF03LT4	-	Richiesta di offerta	1042	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD30N			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						30 V	30A (Tc)	4,5 V, 10 V	25 mOhm a 15 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	18 nC a 5 V	±20 V	830 pF a 25 V	-	50 W (Tc)
SD2933	-	Richiesta di offerta	4343	STMicroelettronica	-	Vassoio	Obsoleto	125 V			M177	SD2933		30 MHz	MOSFET		M177	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25	CanaleN		40A		250 mA	300W	23,5dB											-										50 V
TIP31C	0,7300	Richiesta di offerta	810	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	SUGGERIMENTO31				2 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																					100 V	3A							300μA	NPN	1,2 V a 375 mA, 3 A	10 a 3 A, 4 V	-
STB75NH02LT4	1.9200	Richiesta di offerta	12	STMicroelettronica	STRipFET™ III	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB75N			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						24 V	60A (Tc)	5 V, 10 V	8 mOhm a 30 A, 10 V	1,8 V a 250 µA	22 nC a 5 V	±20 V	2050 pF a 15 V	-	80 W (Tc)
STD10P10F6	1.0600	Richiesta di offerta	2660	STMicroelettronica	STRipFET™ F6	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD10			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-16300-2	EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P						100 V	10A (Tc)	10 V	180 mOhm a 5 A, 10 V	4 V a 250 µA	16,5 nC a 10 V	±20 V	864 pF a 80 V	-	40 W (Tc)
SD2931	-	Richiesta di offerta	3720	STMicroelettronica	-	Vassoio	Obsoleto	125 V			M244	SD2931		175 MHz	MOSFET		M244	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25	CanaleN		20A		250 mA	150 W	15dB											-										50 V
STB10NK60Z-1	-	Richiesta di offerta	7783	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STB10N			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						600 V	10A (Tc)	10 V	750 mOhm a 4,5 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	70 nC a 10 V	±30 V	1370 pF a 25 V	-	115 W(Tc)
STGW39NC60VD	5.8000	Richiesta di offerta	527	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STGW39	Standard			250 W	TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-5741	EAR99	8541.29.0095	30				390 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V															45 ns	-	600 V	80A	220A	2,4 V a 15 V, 30 A	333μJ (acceso), 537μJ (spento)	126 nC	33ns/178ns
STD78N75F4	-	Richiesta di offerta	9318	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD78N			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						75 V	78A(Tc)	10 V	11 mOhm a 35 A, 10 V	4 V a 250 µA	76 nC a 10 V	±20 V	5015 pF a 25 V	-	125 W (Tc)
STGP19NC60KD	2.7200	Richiesta di offerta	6454	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STGP19	Standard			125 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-8439-5	EAR99	8541.29.0095	50				480 V, 12 A, 10 Ohm, 15 V															31nn	-	600 V	35A	75A	2,75 V a 15 V, 12 A	165μJ (acceso), 255μJ (spento)	55 nC	30ns/105ns
STN715	-	Richiesta di offerta	6821	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	STN715				1,6 W	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000																					80 V	1,5 A							1mA	NPN	500 mV a 100 mA, 1 A	40 a 1 A, 2 V	50 MHz
STF9NM60N	2.8900	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF9NM60			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						600 V	6,5 A(Tc)	10 V	745 mOhm a 3,25 A, 10 V	4 V a 250 µA	17,4 nC a 10 V	±25 V	452 pF a 50 V	-	25 W (Tc)
STGP7NB60HD	-	Richiesta di offerta	1539	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STGP7	Standard			80 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000				480 V, 7 A, 10 Ohm, 15 V															100 n	-	600 V	14A	56A	2,8 V a 15 V, 7 A	85μJ (spento)	42 nC	15ns/75ns
STGD25N36LZAG	0,8168	Richiesta di offerta	6347	STMicroelettronica	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STGD25	Logica			150 W	D-PAK (TO-252)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-STGD25N36LZAG	EAR99	8541.29.0095	2.500				-																-	350 V	25A	50A	1,25 V a 4 V, 6 A	-	25,7 nC	1,1 µs/7,4 µs
STP16N65M2	2.5300	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	MDmesh™ M2	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP16			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-15275-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						650 V	11A(Tc)	10 V	360 mOhm a 5,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	19,5 nC a 10 V	±25 V	718 pF a 100 V	-	110 W (Tc)
STD4LN80K5	1.7300	Richiesta di offerta	7748	STMicroelettronica	MDmesh™ K5	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD4LN80			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						800 V	3A (Tc)	10 V	2,6 Ohm a 1 A, 10 V	5 V a 100 µA	3,7 nC a 10 V	±30 V	122 pF a 100 V	-	60 W (Tc)
STLED627	-	Richiesta di offerta	6131	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STLED627			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						620 V	7A(Tc)	10 V	1,2 Ohm a 2,8 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	35 nC a 10 V	±30 V	890 pF a 50 V	-	90 W (Tc)
STB11NK50ZT4	3.2200	Richiesta di offerta	111	STMicroelettronica	SuperMESH™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB11			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						500 V	10A (Tc)	10 V	520 mOhm a 4,5 A, 10 V	4,5 V a 100 µA	68 nC a 10 V	±30 V	1390 pF a 25 V	-	125 W (Tc)
STS10P4LLF6	1.6100	Richiesta di offerta	3361	STMicroelettronica	STRipFET™ F6	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	STS10			MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P						40 V	10A (Ta)	4,5 V, 10 V	15 mOhm a 3 A, 10 V	1 V a 250 µA (min)	34 nC a 4,5 V	±20 V	3525 pF a 25 V	-	2,7 W(Ta)
STL52N25M5	-	Richiesta di offerta	8409	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL52			MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN						250 V	28A (Tc)	10 V	65 mOhm a 14 A, 10 V	5 V a 100 µA	47 nC a 10 V	±25 V	1770 pF a 50 V	-	2,5 W (Ta), 110 W (Tc)
STF34NM60N	-	Richiesta di offerta	6463	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF34N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						600 V	31,5 A(Tc)	10 V	105 mOhm a 14,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	84 nC a 10 V	±25 V	2722 pF a 100 V	-	40 W (Tc)
BUL804	-	Richiesta di offerta	5658	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BUL804				70 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																					450 V	4A							250μA	NPN	1,2 V a 500 mA, 2,5 A	10 a 2 A, 5 V	-
STGP10NC60K	-	Richiesta di offerta	9090	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STGP10	Standard			60 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-5119-5	EAR99	8541.29.0095	1.000				390 V, 5 A, 10 Ohm, 15 V																-	600 V	20A	30A	2,5 V a 15 V, 5 A	55μJ (acceso), 85μJ (spento)	19 nC	17ns/72ns
STW18NM60N	6.9000	Richiesta di offerta	4351	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW18			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						600 V	13A(Tc)	10 V	285 mOhm a 6,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	35 nC a 10 V	±25 V	1000 pF a 50 V	-	110 W (Tc)
PD55015S-E	16.3350	Richiesta di offerta	3890	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo	40 V			Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10	PD55015		500 MHz	LDMOS		PowerSO-10RF (cavo diritto)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			5A		150 mA	15 W	14dB											-										12,5 V
STL225N6F7AG	3.7100	Richiesta di offerta	6098	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale, fianco bagnabile	8-PowerVDFN	STL225			MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN						60 V	120A (Tc)	10 V	1,4 mOhm a 60 A, 10 V	4 V a 250 µA	98 nC a 10 V	±20 V	6500 pF a 25 V	-	188 W(Tc)
STY100NS20FD	-	Richiesta di offerta	6088	STMicroelettronica	SOVRAPPOSIZIONE IN RETE™	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STY100			MOSFET (ossido di metallo)		MAX247™	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-5321-5	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						200 V	100A (Tc)	10 V	24 mOhm a 50 A, 10 V	4 V a 250 µA	360 nC a 10 V	±20 V	7900 pF a 25 V	-	450 W(Tc)
STWA70N60DM6	13.2400	Richiesta di offerta	3364	STMicroelettronica	MDmesh™DM6	Tubo	Attivo		-	Foro passante	TO-247-3	STWA70			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247 Cavi lunghi	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	600		CanaleN						600 V	62A(Tc)	-	-	-		±25 V		-	-
STL13DP10F6	-	Richiesta di offerta	3661	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™ VI	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL13			MOSFET (ossido di metallo)	62,5 W	PowerFlat™ (5x6)	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali P (doppio)							100 V	13A		180 mOhm a 1,7 A, 10 V	4 V a 250 µA	16,5 nC a 10 V		864 pF a 25 V	Porta a livello logico
STGFL6NC60DI	-	Richiesta di offerta	4143	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STGFL6	Standard			22 W	TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50				390 V, 3 A, 10 Ohm, 15 V															23 ns	-	600 V	7A	18A	2,9 V a 15 V, 3 A	32μJ (acceso), 24μJ (spento)	12 nC	6,7 n/46 n