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Transistor(3861)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
STL10N3LLH5	1.0900	Richiesta di offerta	4576	STMicroelettronica	STRipFET™ V	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL10			MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (3,3x3,3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN					30 V	9A (Tc)	4,5 V, 10 V	19 mOhm a 4,5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	6 nC a 4,5 V	±22 V	900 pF a 25 V	-	2 W (Ta), 50 W (Tc)
STFV3N150	-	Richiesta di offerta	6119	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Confezione completa, scheda isolata	STFV3			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-6319-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					1500 V	2,5 A (TC)	10 V	9 Ohm a 1,3 A, 10 V	5 V a 250 µA	29,3 nC a 10 V	±30 V	939 pF a 25 V	-	30 W (Tc)
STAC150V2-350E	-	Richiesta di offerta	2075	STMicroelettronica	-	Vassoio	Obsoleto	700 V			STAC177B	STAC150		40,68 MHz	MOSFET		STAC177B	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25	CanaleN		1μA		500W	16,5dB											-										150 V
STW50NB20	-	Richiesta di offerta	6565	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW50N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-2670-5	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN					200 V	50A (Tc)	10 V	55 mOhm a 25 A, 10 V	5 V a 250 µA	115 nC a 10 V	±30 V	3400 pF a 25 V	-	280 W(Tc)
STI17NF25	-	Richiesta di offerta	7651	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STI17N			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					250 V	17A(Tc)	10 V	165 mOhm a 8,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	29,5 nC a 10 V	±20 V	1000 pF a 25 V	-	90 W (Tc)
STF18N65M2	2.7200	Richiesta di offerta	759	STMicroelettronica	MDmesh™ M2	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF18			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					650 V	12A (Tc)	10 V	330 mOhm a 6 A, 10 V	4 V a 250 µA	20 nC a 10 V	±25 V	770 pF a 100 V	-	25 W (Tc)
SCTWA50N120	38.5300	Richiesta di offerta	7316	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	SCTWA50			SiCFET (carburo di silicio)		HiP247™	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	600		CanaleN					1200 V	65A (Tc)	20 V	69 mOhm a 40 A, 20 V	3 V a 1 mA	122 nC a 20 V	+25 V, -10 V	1900 pF a 400 V	-	318 W(Tc)
STB75NF75LT4	2.8800	Richiesta di offerta	4318	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB75			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN					75 V	75A (Tc)	5 V, 10 V	11 mOhm a 37,5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	90 nC a 5 V	±15 V	4300 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
STGW30N90D	-	Richiesta di offerta	1667	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STGW30	Standard			220 W	TO-247-3	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30				900 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V														152 ns	-	900 V	60A	135A	2,75 V a 15 V, 20 A	1,66 mJ (acceso), 4,44 mJ (spento)	110 nC	29ns/275ns
STX112-AP	-	Richiesta di offerta	3900	STMicroelettronica	-	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	STX112				1,2 W	TO-92AP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000																				100 V	2A							2mA	NPN-Darlington	2,5 V a 8 mA, 2 A	1000 a 1 A, 4 V	-
SUGGERIMENTO135	-	Richiesta di offerta	1508	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	SUGGERIMENTO135				2 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																				60 V	8A							500μA	PNP-Darlington	4 V a 30 mA, 6 A	1000 a 4 A, 4 V	-
STFW60N65M5	13.2300	Richiesta di offerta	282	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	Pacchetto completo TO-3P-3	STFW			MOSFET (ossido di metallo)		TO-3PF	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN					650 V	46A(Tc)	10 V	59 mOhm a 23 A, 10 V	5 V a 250 µA	139 nC a 10 V	±25 V	6810 pF a 100 V	-	79 W(Tc)
STD20N20T4	-	Richiesta di offerta	1630	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD20N			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN					200 V	18A (Tc)	10 V	125 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 250 µA	39 nC a 10 V	±20 V	940 pF a 25 V	-	90 W (Tc)
STP28N65M2	3.4800	Richiesta di offerta	438	STMicroelettronica	MDmesh™ M2	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP28			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					650 V	20A (Tc)	10 V	180 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 250 µA	35 nC a 10 V	±25 V	1440 pF a 100 V	-	170 W(Tc)
2N6287	-	Richiesta di offerta	8461	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio su telaio	TO-204AA, TO-3	2N62				160 W	TO-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	20																				100 V	20A							1mA	PNP-Darlington	3 V a 200 mA, 20 A	750 a 10 A, 3 V	-
STK22N6F3	4.2100	Richiesta di offerta	34	STMicroelettronica	STRipFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	PolarPak®	STK22			MOSFET (ossido di metallo)		PolarPak®	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN					60 V	22A(Tc)	10 V	6 mOhm a 11 A, 10 V	4 V a 250 µA	41 nC a 10 V	±20 V	2500 pF a 25 V	-	5,2 W(Tc)
MD2009DFP	-	Richiesta di offerta	1987	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	MD2009				40 W	Pacchetto completo TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																				700 V	10A							200μA	NPN	2,8 V a 1,4 A, 5,5 A	5 a 5,5 A, 5 V	-
STF5NK52ZD	-	Richiesta di offerta	7327	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF5N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					520 V	4,4 A(Tc)	10 V	1,5 Ohm a 2,2 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	16,9 nC a 10 V	±30 V	529 pF a 25 V	-	25 W (Tc)
STP8N90K5	-	Richiesta di offerta	4136	STMicroelettronica	MDmesh™ K5	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP8N90			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN					900 V	8A (Tc)	10 V	-	5 V a 100 µA		±30 V		-	130 W(Tc)
2ST2121	-	Richiesta di offerta	1210	STMicroelettronica	-	Borsa	Obsoleto		200°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3	2ST21				250 W	TO-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-8739	EAR99	8541.29.0095	100																				250 V	17A							5μA (ICBO)	PNP	3 V a 800 mA, 8 A	80 a 1 A, 5 V	25 MHz
BD244C	-	Richiesta di offerta	1399	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BD244				65 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																				100 V	6A							700μA	PNP	1,5 V a 1 A, 6 A	15 a 3 A, 4 V	-
STD12N60DM2AG	2.4400	Richiesta di offerta	2396	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD12			MOSFET (ossido di metallo)		D-PAK (TO-252)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN					600 V	10A (Tc)	0 V, 10 V	430 mOhm a 5 A, 10 V	5 V a 250 µA	14,5 nC a 10 V	±25 V	614 pF a 100 V	-	110 W (Tc)
STN1802	-	Richiesta di offerta	6934	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	STN18				1,6 W	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000																				60 V	3A							100nA (ICBO)	NPN	400 mV a 150 mA, 3 A	200 a 100 mA, 2 V	150 MHz
ST13003DN	-	Richiesta di offerta	8535	STMicroelettronica	-	Borsa	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-225AA, TO-126-3	ST13003				20 W	SOT-32-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500																				400 V	1A							1mA	NPN	1,2 V a 330 mA, 1 A	6 a 500 mA, 2 V	-
STW13NM50N	-	Richiesta di offerta	5713	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW13N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	600		CanaleN					500 V	12A (Tc)	10 V	320 mOhm a 6 A, 10 V	4 V a 250 µA	30 nC a 10 V	±25 V	960 pF a 50 V	-	100 W (Tc)
BUL216	2.5200	Richiesta di offerta	8056	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BUL216				90 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																				800 V	4A							250μA	NPN	3 V a 660 mA, 2 A	12 a 400 mA, 5 V	-
D45H5	-	Richiesta di offerta	7494	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	D45H5				50 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																				45 V	10A							10μA	PNP	1 V a 400 mA, 8 A	40 @ 4A, 1V	-
STGD3NB60SDT4	1.1200	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	PowerMESH™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STGD3	Standard			48 W	DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500				480 V, 3 A, 1 kOhm, 15 V														1,7 µs	-	600 V	6A	25A	1,5 V a 15 V, 3 A	1,15 mJ (spento)	18 nC	125 µs/-
STS7PF30L	-	Richiesta di offerta	8364	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	STS7P			MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P					30 V	7A(Tc)	4,5 V, 10 V	21 mOhm a 3,5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	38 nC a 4,5 V	±20 V	2600 pF a 25 V	-	2,5 W(Tc)
STL26NM60N	5.2800	Richiesta di offerta	2	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL26			MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (8x8) Alta tensione	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN					600 V	2,7 A (Ta), 19 A (Tc)	10 V	185 mOhm a 10 A, 10 V	5 V a 250 µA	60 nC a 10 V	±30 V	1800 pF a 50 V	-	125 mW (Ta), 3 W (Tc)