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Transistor(3861)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
STGB30H65FB	-	Richiesta di offerta	4521	STMicroelettronica	HB	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STGB30	Standard			260 W	D²PAK (TO-263)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000				400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V																Sosta sul campo di trincea	650 V	60A	120A	2 V a 15 V, 30 A	151μJ (acceso), 293μJ (spento)	149 nC	37ns/146ns
STB25NF06LAG	1.2500	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB25N			MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						60 V	20A (Tc)	5 V, 10 V	-	-	14 nC a 10 V	-		-	-
STB200NF04L	-	Richiesta di offerta	7216	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB200N			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						40 V	120A (Tc)	5 V, 10 V	3,5 mOhm a 50 A, 10 V	4 V a 250 µA	90 nC a 4,5 V	±16V	6400 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
STL17N60M6	1.3594	Richiesta di offerta	9042	STMicroelettronica	MDmesh™ M6	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL17			MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (8x8) Alta tensione	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN						600 V	10A (Tc)	10 V	350 mOhm a 6 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	16,7 nC a 10 V	±25 V	575 pF a 100 V	-	90 W (Tc)
STU25N10F7	-	Richiesta di offerta	7237	STMicroelettronica	STRipFET™ F7	Tubo	Attivo		-	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STU25			MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN						100 V	25A	4,5 V, 10 V	-	-		-		-	-
STP140N8F7	3.3200	Richiesta di offerta	6768	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™VII	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP140			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						80 V	90A (Tc)	10 V	4,3 mOhm a 45 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	96 nC a 10 V	±20 V	6340 pF a 40 V	-	200 W (Tc)
STL65DN3LLH5	-	Richiesta di offerta	3639	STMicroelettronica	STRipFET™ V	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL65			MOSFET (ossido di metallo)	60 W	PowerFlat™ (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 canali N (doppio)							30 V	65A		6,5 mOhm a 9,5 A, 10 V	1,5 V a 250 µA	12nC a 4,5 V		1500 pF a 25 V	Porta a livello logico
STP40NF10	2.5000	Richiesta di offerta	4849	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP40			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						100 V	50A (Tc)	10 V	28 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 250 µA	62 nC a 10 V	±20 V	2180 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
STFU26N60M2	1.4941	Richiesta di offerta	3111	STMicroelettronica	MDmesh™ M2	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STFU26			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						600 V	20A (Tc)	10 V	165 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 250 µA	34 nC a 10 V	±25 V	1360 pF a 100 V	-	30 W (Tc)
STW70N10F4	-	Richiesta di offerta	6911	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW70N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-8797-5	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						100 V	65A (Tc)	10 V	19,5 mOhm a 30 A, 10 V	4 V a 250 µA	85 nC a 10 V	±20 V	5800 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
STD65NF06	-	Richiesta di offerta	5538	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD65N			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						60 V	60A (Tc)	10 V	14 mOhm a 30 A, 10 V	4 V a 250 µA	75 nC a 10 V	±20 V	1700 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
SUGGERIMENTO126	-	Richiesta di offerta	1039	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	SUGGERIMENTO126				2 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																					80 V	5A							500μA	PNP-Darlington	4 V a 20 mA, 5 A	1000 a 3 A, 3 V	-
STAC4932B	117.9750	Richiesta di offerta	7106	STMicroelettronica	-	Vassoio	Attivo	200 V			STAC244B	STAC4932		123 MHz	MOSFET		STAC244B	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-10703	EAR99	8541.29.0095	20	CanaleN		-		500 mA	1000 W	26dB											-										100 V
STU3N45K3	0,3913	Richiesta di offerta	8923	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Tubo	Attivo		-	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STU3N45			MOSFET (ossido di metallo)		TO-251 (IPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN						450 V	1,8 A(Tc)	10 V	3,8 Ohm a 500 mA, 10 V	4,5 V a 50 µA	6 nC a 10 V	±30 V	150 pF a 25 V	-	27 W (Tc)
RF5L05950CF2	135.0000	Richiesta di offerta	1643	STMicroelettronica	-	Massa	Attivo	50 V		Montaggio superficiale	C2	RF5L05950		1,5GHz	LDMOS		C2	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-RF5L05950CF2			100	CanaleN		-			2500W	50dB											-
TIP36CP	-	Richiesta di offerta	7506	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3	SUGGERIMENTO36				125 W	TO-3P	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30																					100 V	25A							1mA	PNP	4 V a 5 A, 25 A	10 a 15 A, 4 V	3 MHz
STF5NK65Z	-	Richiesta di offerta	1151	STMicroelettronica	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto					STF5N						-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO		2.000
STF5N52U	-	Richiesta di offerta	2060	STMicroelettronica	UltraFAST™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF5N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						525 V	4,4 A(Tc)	10 V	1,5 Ohm a 2,2 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	16,9 nC a 10 V	±30 V	529 pF a 25 V	-	25 W (Tc)
STD6N52K3	1.7000	Richiesta di offerta	2	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD6			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						525 V	5A (Tc)	10 V	1,2 Ohm a 2,5 A, 10 V	4,5 V a 100 µA		±30 V		-	70 W (Tc)
SD2902	-	Richiesta di offerta	4416	STMicroelettronica	-	Scatola	Obsoleto	65 V			M113	SD2902		400 MHz	MOSFET		M113	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25	CanaleN		2,5 A		25 mA	15 W	13,5dB											-										28 V
SD1446	-	Richiesta di offerta	4207	STMicroelettronica	-	Scatola	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio superficiale	M113	SD1446				183 W	M113	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25							10dB														18 V	12A								NPN		10 a 5 A, 5 V	-	-
STP45N60DM6	7.9600	Richiesta di offerta	17	STMicroelettronica	MDmesh™DM6	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP45			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						600 V	30A (Tc)	10 V	99 mOhm a 15 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	44 nC a 10 V	±25 V	1920 pF a 100 V	-	210 W(Tc)
STP34NM60N	10.0400	Richiesta di offerta	672	STMicroelettronica	MDmesh™II	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP34			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-10884-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						600 V	29A(Tc)	10 V	105 mOhm a 14,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	80 nC a 10 V	±25 V	2722 pF a 100 V	-	250 W(Tc)
STB8N65M5	2.8300	Richiesta di offerta	55	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB8N65			MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-10875-2	EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						650 V	7A(Tc)	10 V	600 mOhm a 3,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	15 nC a 10 V	±25 V	690 pF a 100 V	-	70 W (Tc)
STGP10NC60HD	1.7400	Richiesta di offerta	6488	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STGP10	Standard			65 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-5118-5	EAR99	8541.29.0095	50				390 V, 5 A, 10 Ohm, 15 V															22 ns	-	600 V	20A	30A	2,5 V a 15 V, 5 A	31,8 µJ (acceso), 95 µJ (spento)	19,2 nC	14,2 n/72 n
L6221CD013TR	-	Richiesta di offerta	9505	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	20-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm)	L6221				-	20-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000																					60 V	1,2A							-	4 NPN Darlington (quadruplo)	-	-	-
STGP20V60F	-	Richiesta di offerta	2243	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STGP20	Standard			167 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50				400 V, 20 A, 15 V																Sosta sul campo di trincea	600 V	40A	80A	2,2 V a 15 V, 20 A	200μJ (acceso), 130μJ (spento)	116 nC	38ns/149ns
STGWA100H65DFB2	7.1900	Richiesta di offerta	4773	STMicroelettronica	HB2	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STGWA100	Standard			441 W	TO-247 Cavi lunghi	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	497-STGWA100H65DFB2	EAR99	8541.29.0095	30				400 V, 100 A, 2,2 Ohm, 15 V															123 ns	Sosta sul campo di trincea	650 V	145A	300 A	2 V a 15 V, 100 A	2,2 mJ (acceso), 1,4 mJ (spento)	288 nC	30ns/130ns
STWA65N023M9	21.6900	Richiesta di offerta	100	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STWA65			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247 Cavi lunghi	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	497-STWA65N023M9			30		CanaleN						650 V	95A (Tc)	10 V	23 mOhm a 48 A, 10 V	4,2 V a 250 µA	230 nC a 10 V	±30 V	8844 pF a 400 V	-	463 W(Tc)
SD1731	-	Richiesta di offerta	1860	STMicroelettronica	-	Vassoio	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio superficiale	M174	SD1731				233 W	M174	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25							13dB														55 V	20A								NPN		15 a 10 A, 6 V	-	-