Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Transistor(3861)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente-Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
STGF19NC60HD	2.4700	Richiesta di offerta	344	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STGF19	Standard			32 W	TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50				390 V, 12 A, 10 Ohm, 15 V															31nn	-	600 V	16A	60A	2,5 V a 15 V, 12 A	85μJ (acceso), 189μJ (spento)	53 nC	25ns/97ns
STWA12N120K5	12.8600	Richiesta di offerta	5473	STMicroelettronica	MDmesh™ K5	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STWA12			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247 Cavi lunghi	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						1200 V	12A (Tc)	10 V	690 mOhm a 6 A, 10 V	5 V a 100 µA	44,2 nC a 10 V	±30 V	1370 pF a 100 V	-	250 W(Tc)
STB20NM50FDT4	6.7200	Richiesta di offerta	8791	STMicroelettronica	FDmesh™	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB20			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						500 V	20A (Tc)	10 V	250 mOhm a 10 A, 10 V	5 V a 250 µA	53 nC a 10 V	±30 V	1380 pF a 25 V	-	192 W(Tc)
PD55003TR-E	11.8100	Richiesta di offerta	7650	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	40 V			Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10	PD55003		500 MHz	LDMOS		10-PowerSO	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	600			2,5 A		50 mA	3 W	17dB											-										12,5 V
STGWA80H65DFBAG	6.8700	Richiesta di offerta	5962	STMicroelettronica	Automobilistico, AEC-Q101	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STGWA80	Standard			535 W	TO-247 Cavi lunghi	scaricamento		1 (illimitato)		497-STGWA80H65DFBAG	EAR99	8541.29.0095	30				400 V, 80 A, 10 Ohm, 15 V															64 nn	Sosta sul campo di trincea	650 V	120A	240A	2 V a 15 V, 80 A	3,26 mJ (acceso), 2,33 mJ (spento)	453 nC	-/360ns
BU406	-	Richiesta di offerta	3269	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BU406				60 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																					200 V	7A							5mA	NPN	1 V a 500 mA, 5 A	-	10 MHz
PD55035S-E	-	Richiesta di offerta	4654	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto	40 V			Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10	PD55035		500 MHz	LDMOS		PowerSO-10RF (cavo diritto)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			7A		200 mA	35 W	16,9dB											-										12,5 V
STAC4932F	117.9800	Richiesta di offerta	67	STMicroelettronica	-	Vassoio	Attivo	200 V			STAC244F	STAC4932		123 MHz	MOSFET		STAC244F	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	20	CanaleN		-		250 mA	1200 W	26dB											-										100 V
STP3NK90Z	2.0900	Richiesta di offerta	907	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP3NK90			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						900 V	3A (Tc)	10 V	4,8 Ohm a 1,5 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	22,7 nC a 10 V	±30 V	590 pF a 25 V	-	90 W (Tc)
BDX53B	1.3000	Richiesta di offerta	9134	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BDX53				60 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																					80 V	8A							500μA	NPN-Darlington	2 V a 12 mA, 3 A	750 a 3 A, 3 V	-
STF9NK90Z	4.9200	Richiesta di offerta	995	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF9NK90			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						900 V	8A (Tc)	10 V	1,3 Ohm a 3,6 A, 10 V	4,5 V a 100 µA	72 nC a 10 V	±30 V	2115 pF a 25 V	-	40 W (Tc)
STB35N65M5	7.2900	Richiesta di offerta	1059	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB35			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						650 V	27A(Tc)	10 V	98 mOhm a 13,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	83 nC a 10 V	±25 V	3750 pF a 100 V	-	160 W(Tc)
STF23NM60ND	3.3476	Richiesta di offerta	3079	STMicroelettronica	FDmesh™II	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF23			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						600 V	19,5 A(Tc)	10 V	180 mOhm a 10 A, 10 V	5 V a 250 µA	70 nC a 10 V	±25 V	2050 pF a 50 V	-	35 W (Tc)
STI22NM60N	4.4800	Richiesta di offerta	31	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STI22N			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						600 V	16A (Tc)	10 V	220 mOhm a 8 A, 10 V	4 V a 250 µA	44 nC a 10 V	±30 V	1330 pF a 50 V	-	125 W (Tc)
STS17NH3LL	-	Richiesta di offerta	5441	STMicroelettronica	STRipFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	STS17			MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						30 V	17A(Tc)	4,5 V, 10 V	5,7 mOhm a 8,5 A, 10 V	1 V a 250 µA	24 nC a 4,5 V	±16V	1810 pF a 25 V	-	2,7 W (TC)
PD20015-E	-	Richiesta di offerta	4390	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto	40 V			Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10RF (2 conduttori formati)	PD20015		2GHz	LDMOS		PowerSO-10RF (formato piombo)	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			7A		350 mA	15 W	11dB											-										13,6 V
PD85035-E	-	Richiesta di offerta	7119	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo	40 V			Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10RF (2 conduttori formati)	PD85035		870 MHz	LDMOS		PowerSO-10RF (formato piombo)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			8A		350 mA	15 W	17dB											-										13,6 V
STL8N6LF6AG	1.4200	Richiesta di offerta	1661	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL8			MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN						60 V	32A(Tc)	4,5 V, 10 V	27 mOhm a 9,6 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	27 nC a 10 V	±20 V	1340 pF a 25 V	-	4,8 W (Ta), 55 W (Tc)
STL135N8F7AG	3.2500	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale, fianco bagnabile	8-PowerVDFN	STL135			MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN						80 V	130A (Tc)	10 V	3,6 mOhm a 13 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	103 nC a 10 V	±20 V	6800 pF a 40 V	-	4,8 W (Ta), 135 W (Tc)
STB80NF03L-04T4	3.5200	Richiesta di offerta	1076	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta		-60°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB80			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						30 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	4 mOhm a 40 A, 10 V	1 V a 250 µA	110 nC a 4,5 V	±20 V	5500 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
STF2HNK60Z	1.5700	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF2HNK60			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						600 V	2A(Tc)	10 V	4,8 Ohm a 1 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	15 nC a 10 V	±30 V	280 pF a 25 V	-	20 W (Tc)
STGWA30H65DFB	2.4029	Richiesta di offerta	1265	STMicroelettronica	HB	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STGWA30	Standard			260 W	TO-247 Cavi lunghi	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	600				400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V															140 n	Sosta sul campo di trincea	650 V	60A	120A	2 V a 15 V, 30 A	382μJ (acceso), 293μJ (spento)	149 nC	46ns/146ns
STWH13009	-	Richiesta di offerta	8327	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STWH130				125 W	TO-247-3	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30																					400 V	12A							-	NPN	2 V a 2,4 A, 12 A	18 a 5 A, 5 V	-
SCTH50N120-7	35,5000	Richiesta di offerta	46	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA	SCTH50			SiCFET (carburo di silicio)		H2PAK-7	scaricamento			REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						1200 V	65A	20 V	69 mOhm a 40 A, 20 V	5,1 V a 1 mA	122 nC a 20 V	+22 V, -10 V	1900 pF a 400 V	-	270 W(Tc)
STP4NB50	-	Richiesta di offerta	8503	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP4N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-2719-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						500 V	3,8 A(Tc)	10 V	2,8 Ohm a 1,9 A, 10 V	4 V a 250 µA	21 nC a 10 V	±30 V	400 pF a 25 V	-	80 W (Tc)
STP11NK40ZFP	2.4800	Richiesta di offerta	373	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STP11			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						400 V	9A (Tc)	10 V	550 mOhm a 4,5 A, 10 V	4,5 V a 100 µA	32 nC a 10 V	±30 V	930 pF a 25 V	-	30 W (Tc)
ULN2074B	6.8000	Richiesta di offerta	945	STMicroelettronica	-	Tubo	Acquisto per l'ultima volta		-20°C ~ 85°C (TA)	Foro passante	16-PowerDIP (0,300", 7,62 mm)	ULN2074				1 W	16-PowerDIP (20x7.10)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25																					50 V	1,75 A							-	4 NPN Darlington (quadruplo)	1,4 V a 2 mA, 1,25 A	-	-
STL19N60DM2	3.3100	Richiesta di offerta	110	STMicroelettronica	MDmesh™DM2	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL19			MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (8x8) Alta tensione	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN						600 V	11A(Tc)	10 V	320 mOhm a 5,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	21 nC a 10 V	±25 V		-	90 W (Tc)
STD30PF03LT4	-	Richiesta di offerta	7551	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD30			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P						30 V	24A (Tc)	5 V, 10 V	28 mOhm a 12 A, 10 V	1 V a 250 µA	28 nC a 5 V	±16V	1670 pF a 25 V	-	70 W (Tc)
STP20NM60A	-	Richiesta di offerta	7603	STMicroelettronica	MDmesh™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP20N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-4376-5	EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						650 V	20A (Tc)	10 V	290 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 250 µA	60 nC a 10 V	±30 V	1630 pF a 25 V	-	192 W(Tc)