Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Transistor(3861)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Applicazioni	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente-Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
STP10N80K5	1.7574	Richiesta di offerta	6104	STMicroelettronica	MDmesh™ K5	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-220-3	STP10			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						800 V	9A (Tc)	10 V	600 mOhm a 4,5 A, 10 V	5 V a 100 µA	22 nC a 10 V	±30 V	635 pF a 100 V	-	130 W(Tc)
STGW60V60F	-	Richiesta di offerta	6798	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)		Foro passante	TO-247-3	STGW60	Standard			375 W	TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30				400 V, 60 A, 4,7 Ohm, 15 V																Sosta sul campo di trincea	600 V	80A	240A	2,3 V a 15 V, 60 A	750μJ (acceso), 550μJ (spento)	334 nC	60ns/208ns
STGP30H65DFB2	1.3390	Richiesta di offerta	2832	STMicroelettronica	HB2	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)		Foro passante	TO-220-3	STGP30	Standard			167 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-STGP30H65DFB2	EAR99	8541.29.0095	1.000				400 V, 30 A, 6,8 Ohm, 15 V															115 ns	Sosta sul campo di trincea	650 V	50A	90A	2,1 V a 15 V, 30 A	270μJ (acceso), 310μJ (spento)	90 nC	18,4 n/71 n
STD5N65M6	0,6486	Richiesta di offerta	7192	STMicroelettronica	MDmesh™ M6	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD5N65			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						650 V	4A(Tc)	0 V, 10 V	1,3 Ohm a 2 A, 10 V	3,75 V a 250 µA	5,1 nC a 10 V	±25 V	170 pF a 100 V	-	45 W (Tc)
MJD3055T4	1.2300	Richiesta di offerta	9498	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	MJD3055				20 W	DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500																					60 V	10A							50 µA	NPN	8 V a 3,3 A, 10 A	20 @ 4A, 4V	2 MHz
STF21N90K5	8.0000	Richiesta di offerta	200	STMicroelettronica	SuperMESH5™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF21			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						900 V	18,5 A(Tc)	10 V	299 mOhm a 9 A, 10 V	5 V a 100 µA	43 nC a 10 V	±30 V	1645 pF a 100 V	-	40 W (Tc)
STFN42	-	Richiesta di offerta	3982	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-243AA	STFN42				1,4 W	SOT-89-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500																					400 V	1A							100μA	NPN	1,5 V a 250 mA, 750 mA	10 a 400 mA, 5 V	-
BFX34	-	Richiesta di offerta	9640	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		200°C (TJ)		Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	BFX34				870 mW	TO-39	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	100																					60 V	5A							10μA	NPN	1 V a 500 mA, 5 A	40 a 2A, 2V	100 MHz
SD2931-11W	67.1550	Richiesta di offerta	4432	STMicroelettronica	-	Vassoio	Attivo	125 V				M244	SD2931		175 MHz	MOSFET		M244	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25	CanaleN		20A		250 mA	150 W	15dB											-										50 V
BC857B	-	Richiesta di offerta	1048	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC857				250 mW	SOT-23-3	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																					45 V	100 mA							15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	220 a 2 mA, 5 V	100 MHz
STP6N80K5	1.2119	Richiesta di offerta	2264	STMicroelettronica	SuperMESH5™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-220-3	STP6N80			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-15018-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						800 V	4,5 A(Tc)	10 V	1,6 Ohm a 2 A, 10 V	5 V a 100 µA	7,5 nC a 10 V	30 V	255 pF a 100 V	-	85 W (Tc)
MJE340	0,7600	Richiesta di offerta	218	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)		Foro passante	TO-225AA, TO-126-3	MJE340				20,8 W	SOT-32-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																					300 V	500 mA							100μA (ICBO)	NPN	-	30 a 50 mA, 10 V	-
STP80N340K6	2.1450	Richiesta di offerta	7774	STMicroelettronica	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Foro passante	TO-220-3	STP80			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-STP80N340K6	EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						800 V	12A (Tc)	10 V	340 mOhm a 6 A, 10 V	4 V a 100 µA	17,8 nC a 10 V	±30 V	950 pF a 400 V	-	115 W(Tc)
STGB30H60DFB	3.1400	Richiesta di offerta	7064	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STGB30	Standard			260 W	D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000				400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V															53 ns	Sosta sul campo di trincea	600 V	60A	120A	2 V a 15 V, 30 A	383μJ (acceso), 293μJ (spento)	149 nC	37ns/146ns
STB300NH02L	-	Richiesta di offerta	7661	STMicroelettronica	STRipFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB300N			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						24 V	120A (Tc)	10 V	1,8 mOhm a 80 A, 10 V	2 V a 250 µA	109,4 nC a 10 V	±20 V	7055 pF a 15 V	-	300 W(Tc)
STL120N2VH5	2.5500	Richiesta di offerta	2	STMicroelettronica	STRipFET™ V	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL120			MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN						20 V	120A (Tc)	2,5 V, 4,5 V	3 mOhm a 14 A, 4,5 V	700 mV a 250 µA (min)	29 nC a 2,5 V	±8 V	4660 pF a 15 V	-	80 W (Tc)
STH52N10LF3-2AG	-	Richiesta di offerta	9734	STMicroelettronica	STRipFET™ F3	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STH52			MOSFET (ossido di metallo)		H2Pak-2	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						100 V	52A(Tc)	5 V, 10 V	20 mOhm a 26 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	18,5 nC a 5 V	±20 V	1900 pF a 400 V	-	110 W (Tc)
STS4NF100	-	Richiesta di offerta	6417	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	STS4N			MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						100 V	4A(Tc)	10 V	70 mOhm a 2 A, 10 V	4 V a 250 µA	41 nC a 10 V	±20 V	870 pF a 25 V	-	2,5 W(Ta)
STU10P6F6	-	Richiesta di offerta	2036	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™ VI	Tubo	Obsoleto		175°C (TJ)		Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STU10P			MOSFET (ossido di metallo)		TO-251 (IPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		Canale P						60 V	10A (Tc)	10 V	160 mOhm a 5 A, 10 V	4 V a 250 µA	6,4 nC a 10 V	±20 V	340 pF a 48 V	-	35 W (Tc)
STL3N80K5	0,7650	Richiesta di offerta	4586	STMicroelettronica	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo						STL3						-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000
BD679	0,5400	Richiesta di offerta	4	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)		Foro passante	TO-225AA, TO-126-3	BD679				40 W	SOT-32-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-5776	EAR99	8541.29.0095	50																					80 V	4A							500μA	NPN-Darlington	2,5 V a 30 mA, 1,5 A	750 a 1,5 A, 3 V	-
STB30N80K5	7.9600	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	MDmesh™ K5	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB30			MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						800 V	24A (Tc)	10 V	180 mOhm a 12 A, 10 V	5 V a 100 µA	43 nC a 10 V	±30 V	1530 pF a 100 V	-	250 W(Tc)
STGP15H60DF	2.1700	Richiesta di offerta	8067	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)		Foro passante	TO-220-3	STGP15	Standard			115 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50				400 V, 15 A, 10 Ohm, 15 V															103 nn	Sosta sul campo di trincea	600 V	30A	60A	2 V a 15 V, 15 A	136μJ (acceso), 207μJ (spento)	81 nC	24,5 n/118 n
STD6N65M2	1.4100	Richiesta di offerta	3793	STMicroelettronica	MDmesh™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD6N65			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						650 V	4A(Tc)	10 V	1,35 Ohm a 2 A, 10 V	4 V a 250 µA	9,8 nC a 10 V	±25 V	226 pF a 100 V	-	60 W (Tc)
STC20DE90HP	-	Richiesta di offerta	2444	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto	900 V		Scopo generale	Foro passante	TO-247-4	STC20D					TO-247-4L HP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-8772-5	EAR99	8541.29.0095	30			20A																											NPN - Bipolare commutato dall'emettitore
SUGGERIMENTO122	0,8200	Richiesta di offerta	6018	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)		Foro passante	TO-220-3	SUGGERIMENTO122				2 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																					100 V	5A							500μA	NPN-Darlington	4 V a 20 mA, 5 A	1000 a 3 A, 3 V	-
BU931	-	Richiesta di offerta	3983	STMicroelettronica	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)		Montaggio su telaio	TO-204AA, TO-3	BU931				175 W	TO-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	100																					400 V	15A							100μA	NPN-Darlington	1,8 V a 250 mA, 10 A	300 a 5 A, 10 V	-
STD1805T4	-	Richiesta di offerta	8241	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)		Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD18				15 W	DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	2.500																					60 V	5A							100nA (ICBO)	NPN	600 mV a 200 mA, 5 A	200 a 100 mA, 2 V	150 MHz
STX93003-AP	-	Richiesta di offerta	5351	STMicroelettronica	-	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto		150°C (TJ)		Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	STX93003				1,5 W	TO-92	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000																					400 V	1A							1mA	PNP	500mV a 100mA, 500mA	16 a 350 mA, 5 V	-
STS9NH3LL	-	Richiesta di offerta	8959	STMicroelettronica	STRipFET™ III	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)		Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	STS9NH			MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						30 V	9A (Tc)	4,5 V, 10 V	22 mOhm a 4,5 A, 10 V	1 V a 250 µA	10 nC a 4,5 V	±16V	857 pF a 25 V	-	2,5 W(Tc)