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Transistor(3861)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente-Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
PD54003-E	8.0223	Richiesta di offerta	3284	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo	25 V			Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10	PD54003		500 MHz	LDMOS		10-PowerSO	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			4A		50 mA	3 W	12dB											-										7,5 V
STD2NC45-1	1.0900	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Attivo		-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STD2NC45			MOSFET (ossido di metallo)		TO-251 (IPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN						450 V	1,5 A(Tc)	10 V	4,5 Ohm a 500 mA, 10 V	3,7 V a 250 µA	7 nC a 10 V	±30 V	160 pF a 25 V	-	30 W (Tc)
PD57006TR-E	-	Richiesta di offerta	8138	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	65 V			Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10RF (2 conduttori formati)	PD57006		945 MHz	LDMOS		PowerSO-10RF (formato piombo)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	600			1A		70 mA	6 W	15dB											-										28 V
STW7N105K5	3.5700	Richiesta di offerta	5276	STMicroelettronica	SuperMESH5™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW7N105			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-15285-5	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						1050 V	4A(Tc)	10 V	2 Ohm a 2 A, 10 V	5 V a 100 µA	17 nC a 10 V	±30 V	380 pF a 100 V	-	110 W (Tc)
STI45N10F7	2.3900	Richiesta di offerta	630	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™ VII	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STI45N			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK (TO-262)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						100 V	45A (Tc)	10 V	18 mOhm a 22,5 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	25 nC a 10 V	±20 V	1640 pF a 50 V	-	60 W (Tc)
STU10N60M2	1.6000	Richiesta di offerta	62	STMicroelettronica	MDmesh™ II Plus	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STU10N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-251 (IPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN						600 V	7,5 A(Tc)	10 V	600 mOhm a 3 A, 10 V	4 V a 250 µA	13,5 nC a 10 V	±25 V	400 pF a 100 V	-	85 W (Tc)
STH290N4F6-6	-	Richiesta di offerta	9144	STMicroelettronica	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto					STH290						-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000
STF57N65M5	11.1200	Richiesta di offerta	5157	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF57			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						650 V	42A(Tc)	10 V	63 mOhm a 21 A, 10 V	5 V a 250 µA	98 nC a 10 V	±25 V	4200 pF a 100 V	-	40 W (Tc)
STGB10NC60KDT4	1.6300	Richiesta di offerta	6371	STMicroelettronica	PowerMESH™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STGB10	Standard			65 W	D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000				390 V, 5 A, 10 Ohm, 15 V															22 ns	-	600 V	20A	30A	2,5 V a 15 V, 5 A	55μJ (acceso), 85μJ (spento)	19 nC	17ns/72ns
STH2N120K5-2AG	4.5900	Richiesta di offerta	7007	STMicroelettronica	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STH2N120			MOSFET (ossido di metallo)		H2Pak-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-STH2N120K5-2AGTR	EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						1200 V	1,5 A(Tc)	10 V	10 Ohm a 500 mA, 10 V	4 V a 100 µA	5,3 nC a 10 V	±30 V	124 pF a 100 V	-	60 W (Tc)
STS3C2F100	-	Richiesta di offerta	9169	STMicroelettronica	STRipFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	STS3C2			MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	Canali N e P							100 V	3A		145 mOhm a 1,5 A, 10 V	2 V a 250 µA	20nC a 10V		460 pF a 25 V	Porta a livello logico
ST901T	1.6600	Richiesta di offerta	527	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	ST901				100 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																					350 V	4A							100μA	NPN-Darlington	2 V a 20 mA, 2 A	1800 a 2 A, 2 V	-
STGWA40H120DF2	6.9800	Richiesta di offerta	8575	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STGWA40	Standard			468 W	TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30				600 V, 40 A, 10 Ohm, 15 V															488 nn	Sosta sul campo di trincea	1200 V	80A	160A	2,6 V a 15 V, 40 A	1 mJ (acceso), 1,32 mJ (spento)	158 nC	18ns/152ns
STGP12NB60KD	-	Richiesta di offerta	7592	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STGP12	Standard			125 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000				480 V, 12 A, 10 Ohm, 15 V															80 ns	-	600 V	30A	60A	2,8 V a 15 V, 12 A	258μJ (spento)	54 nC	25ns/96ns
STD30NF06	-	Richiesta di offerta	4358	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD30N			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						60 V	28A (Tc)	10 V	28 mOhm a 15 A, 10 V	4 V a 250 µA	58 nC a 10 V	±20 V	1750 pF a 25 V	-	70 W (Tc)
TIP35CP	3.0400	Richiesta di offerta	285	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3	CONSIGLIO35				125 W	TO-3P	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30																					100 V	25A							1mA	NPN	4 V a 5 A, 25 A	10 a 15 A, 4 V	3 MHz
STB60NF06T4	2.1300	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-65°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB60			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						60 V	60A (Tc)	10 V	16 mOhm a 30 A, 10 V	4 V a 250 µA	66 nC a 10 V	±20 V	1810 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
STD50N03L	-	Richiesta di offerta	8826	STMicroelettronica	STRipFET™ III	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD50N			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						30 V	40A (Tc)	5 V, 10 V	10,5 mOhm a 20 A, 10 V	1 V a 250 µA	14 nC a 5 V	±20 V	1434 pF a 25 V	-	60 W (Tc)
STP26N60M2	1.5973	Richiesta di offerta	4829	STMicroelettronica	MDmesh™M2	Tubo	Attivo		-	Foro passante	TO-220-3	STP26			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						600 V	20A (Tc)	10 V	-	-		±25 V		-	169 W(Tc)
STD6N65M2	1.4100	Richiesta di offerta	3793	STMicroelettronica	MDmesh™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD6N65			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						650 V	4A(Tc)	10 V	1,35 Ohm a 2 A, 10 V	4 V a 250 µA	9,8 nC a 10 V	±25 V	226 pF a 100 V	-	60 W (Tc)
STP22NF03L	-	Richiesta di offerta	8530	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP22N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						30 V	22A(Tc)	5 V, 10 V	50 mOhm a 11 A, 10 V	1 V a 250 µA	9 nC a 5 V	±15 V	330 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
STD11N60M2-EP	-	Richiesta di offerta	8305	STMicroelettronica	MDmesh™ M2-EP	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD11			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						600 V	7,5 A(Tc)	10 V	595 mOhm a 3,75 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	12,4 nC a 10 V	±25 V	390 pF a 100 V	-	85 W (Tc)
STW9N80K5	3.2200	Richiesta di offerta	492	STMicroelettronica	MDmesh™ K5	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW9			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						800 V	7A(Tc)	10 V	900 mOhm a 3,5 A, 10 V	5 V a 100 µA	12 nC a 10 V	±30 V	340 pF a 100 V	-	110 W (Tc)
STWA68N65DM6AG	7.9990	Richiesta di offerta	9113	STMicroelettronica	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STWA68			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247 Cavi lunghi	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-STWA68N65DM6AG	EAR99	8541.29.0095	600		CanaleN						650 V	72A(Tc)	10 V	39 mOhm a 36 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	118 nC a 10 V	±25 V	5900 pF a 100 V	-	480 W(Tc)
STF6N80K5	2.6600	Richiesta di offerta	9689	STMicroelettronica	SuperMESH5™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF6			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						800 V	4,5 A(Tc)	10 V	1,6 Ohm a 2 A, 10 V	5 V a 100 µA	13 nC a 10 V	30 V	270 pF a 100 V	-	25 W (Tc)
STB80NF55-06-1	-	Richiesta di offerta	9827	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STB80			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						55 V	80A (Tc)	10 V	6,5 mOhm a 40 A, 10 V	4 V a 250 µA	189 nC a 10 V	±20 V	4400 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
STGB30H65FB	-	Richiesta di offerta	4521	STMicroelettronica	HB	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STGB30	Standard			260 W	D²PAK (TO-263)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000				400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V																Sosta sul campo di trincea	650 V	60A	120A	2 V a 15 V, 30 A	151μJ (acceso), 293μJ (spento)	149 nC	37ns/146ns
STD18N60M6	2.4400	Richiesta di offerta	2	STMicroelettronica	MDmesh™ M6	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD18			MOSFET (ossido di metallo)		D-PAK (TO-252)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						600 V	13A(Tc)	10 V	280 mOhm a 6,5 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	16,8 nC a 10 V	±25 V	650 pF a 100 V	-	110 W (Tc)
STP210N75F6	4.4100	Richiesta di offerta	46	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™ VI	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP210			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						75 V	120A (Tc)	10 V	3,7 mOhm a 60 A, 10 V	4 V a 250 µA	171 nC a 10 V	±20 V	11.800 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
STGP19NC60H	5.4300	Richiesta di offerta	957	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STGP19	Standard			130 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50				390 V, 12 A, 10 Ohm, 15 V																-	600 V	40A	60A	2,5 V a 15 V, 12 A	85μJ (acceso), 189μJ (spento)	53 nC	25ns/97ns