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Transistor(3861)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente-Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
PD85015TRM-E	-	Richiesta di offerta	6146	STMicroelettronica	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto												-		3 (168 ore)	REACH Inalterato		OBSOLETO	0000.00.0000	600
STGD8NC60KT4	-	Richiesta di offerta	2938	STMicroelettronica	PowerMESH™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STGD8	Standard			62 W		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500				390 V, 3 A, 10 Ohm, 15 V																-	600 V	15A	30A	2,75 V a 15 V, 3 A	55μJ (acceso), 85μJ (spento)	19 nC	17ns/72ns
STF7N60DM2	1.5200	Richiesta di offerta	2071	STMicroelettronica	MDmesh™DM2	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF7			MOSFET (ossido di metallo)			TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						600 V	6A (Tc)	10 V	900 mOhm a 3 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	7,5 nC a 10 V	±25 V	324 pF a 100 V	-	25 W (Tc)
STP40NF03L	1.0700	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	STRipFET™	Tubo	Design non per nuovi		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP40			MOSFET (ossido di metallo)			TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						30 V	40A (Tc)	4,5 V, 10 V	22 mOhm a 20 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	15 nC a 4,5 V	±16V	770 pF a 25 V	-	70 W (Tc)
BUX348	-	Richiesta di offerta	5040	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		200°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3	BUX348				300 W		TO-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	20																					450 V	45A							-			NPN	900 mV a 6 A, 30 A	-	-
STF5N62K3	2.4700	Richiesta di offerta	976	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF5N62			MOSFET (ossido di metallo)			TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						620 V	4,2 A(Tc)	10 V	1,6 Ohm a 2,1 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	26 nC a 10 V	±30 V	680 pF a 50 V	-	25 W (Tc)
2STN1360	0,5900	Richiesta di offerta	2	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	2STN1360				1,6 W		SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000																					60 V	3A							100nA (ICBO)			NPN	500 mV a 150 mA, 3 A	160 @ 1A, 2V	130 MHz
STGF30V60DF	-	Richiesta di offerta	2704	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo					STGF30							-	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50
2STW200	-	Richiesta di offerta	8912	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	2STW200				130 W		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-12127	EAR99	8541.29.0095	30																					80 V	25A							500μA			PNP-Darlington	3,5 V a 80 mA, 20 A	500 a 10 A, 3 V	-
2STX1360-AP	-	Richiesta di offerta	7540	STMicroelettronica	-	Massa	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	2STX				1 W		TO-92AP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	2.500																					60 V	3A							100nA (ICBO)			NPN	500 mV a 150 mA, 3 A	160 @ 1A, 2V	130 MHz
STW68N65DM6	7.7157	Richiesta di offerta	5334	STMicroelettronica	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW68			MOSFET (ossido di metallo)			TO-247-3	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-STW68N65DM6	EAR99	8541.29.0095	600		CanaleN						650 V	55A (Tc)	10 V	59 mOhm a 24 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	80 nC a 10 V	±25 V	3528 pF a 100 V	-	431W(Tc)
STB18NM60N	-	Richiesta di offerta	3908	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB18N			MOSFET (ossido di metallo)			D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						600 V	13A(Tc)	10 V	285 mOhm a 6,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	35 nC a 10 V	±25 V	1000 pF a 50 V	-	110 W (Tc)
STD7NM64N	2.0700	Richiesta di offerta	2	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD7			MOSFET (ossido di metallo)			DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						640 V	5A (Tc)	10 V	1,05 Ohm a 2,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	14 nC a 10 V	±25 V	363 pF a 50 V	-	60 W (Tc)
STU8NM60ND	-	Richiesta di offerta	6379	STMicroelettronica	FDmesh™ II	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STU8N			MOSFET (ossido di metallo)			TO-251 (IPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN						600 V	7A(Tc)	10 V	700 mOhm a 3,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	22 nC a 10 V	±30 V	560 pF a 50 V	-	70 W (Tc)
STD46N6F7	-	Richiesta di offerta	1954	STMicroelettronica	STRipFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD46			MOSFET (ossido di metallo)			DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						60 V	15A (Tc)	10 V	14 mOhm a 7,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	17 nC a 10 V	±20 V	1065 pF a 30 V	-	60 W (Tc)
STW38N65M5	7.6200	Richiesta di offerta	1092	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW38			MOSFET (ossido di metallo)			TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						650 V	30A (Tc)	10 V	95 mOhm a 15 A, 10 V	5 V a 250 µA	71 nC a 10 V	±25 V	3000 pF a 100 V	-	190 W(Tc)
STB80NF55-08T4	-	Richiesta di offerta	6945	STMicroelettronica	STRipFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB80N			MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						55 V	80A (Tc)	10 V	8 mOhm a 40 A, 10 V	4 V a 250 µA	155 nC a 10 V	±20 V	3850 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
PD54008-E	14.7400	Richiesta di offerta	7042	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo	25 V			Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10	PD54008		500 MHz	LDMOS			10-PowerSO	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			5A		150 mA	8 W	11,5dB											-										7,5 V
STP150NF55	3.7700	Richiesta di offerta	7434	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP150			MOSFET (ossido di metallo)			TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-6117-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						55 V	120A (Tc)	10 V	6 mOhm a 60 A, 10 V	4 V a 250 µA	190 nC a 10 V	±20 V	4400 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
STF5N52K3	1.7700	Richiesta di offerta	738	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF5N			MOSFET (ossido di metallo)			TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						525 V	4,4 A(Tc)	10 V	1,5 Ohm a 2,2 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	17 nC a 10 V	±30 V	545 pF a 100 V	-	25 W (Tc)
STX83003	0,5900	Richiesta di offerta	360	STMicroelettronica	-	Borsa	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	STX83003				1,5 W		TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500																					400 V	1A							1mA			NPN	1 V a 50 mA, 350 mA	16 a 350 mA, 5 V	-
STGE50NC60WD	-	Richiesta di offerta	7071	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC	STGE50				260 W	Standard	ISOTOP	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato	497-8781-5	EAR99	8541.29.0095	10	Separare																			-	600 V	100A		2,6 V a 15 V, 40 A					500 µA	NO	4,7 nF a 25 V
STGW45HF60WDI	-	Richiesta di offerta	1412	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STGW45	Standard			250 W		TO-247 Cavi lunghi	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-10402-5	EAR99	8541.29.0095	30				400 V, 30 A, 4,7 Ohm, 15 V															90 ns	-	600 V	70A	150A	2,5 V a 15 V, 30 A	330μJ (spento)	160 nC	-/145ns
STP23NM60ND	-	Richiesta di offerta	3069	STMicroelettronica	FDmesh™ II	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP23N			MOSFET (ossido di metallo)			TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						600 V	19,5 A(Tc)	10 V	180 mOhm a 10 A, 10 V	5 V a 250 µA	69 nC a 10 V	±25 V	2100 pF a 50 V	-	150 W(Tc)
TIP33C	-	Richiesta di offerta	4905	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	SUGGERIMENTO33				80 W		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30																					100 V	10A							700 µA			NPN	4 V a 2,5 A, 10 A	20 a 3 A, 4 V	3 MHz
STF724	-	Richiesta di offerta	2067	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-	Montaggio superficiale	TO-243AA	STF724				1,4 W		SOT-89-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	2.500																					30 V	3A							100μA			NPN	1,1 V a 150 mA, 3 A	100 a 100 mA, 2 V	100 MHz
STB20N90K5	6.7300	Richiesta di offerta	995	STMicroelettronica	MDmesh™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB20			MOSFET (ossido di metallo)			D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						900 V	20A (Tc)	10 V	250 mOhm a 10 A, 10 V	5 V a 100 µA	40 nC a 10 V	±30 V	1500 pF a 100 V	-	250 W(Tc)
STI8N65M5	-	Richiesta di offerta	3632	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STI8			MOSFET (ossido di metallo)			I2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						650 V	7A(Tc)	10 V	600 mOhm a 3,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	15 nC a 10 V	±25 V	690 pF a 100 V	-	70 W (Tc)
SD1477	-	Richiesta di offerta	6289	STMicroelettronica	-	Vassoio	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio superficiale	M111	SD1477				270 W		M111	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25							6dB														18 V	20A										NPN		10 a 5 A, 5 V	-	-
STL12P6F6	1.1100	Richiesta di offerta	5	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™ VI	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL12			MOSFET (ossido di metallo)			PowerFlat™ (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P						60 V	4A(Tc)	10 V	160 mOhm a 1,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	6,4 nC a 10 V	±20 V	340 pF a 48 V	-	75 W (Tc)