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Transistor(3861)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
2N4923	-	Richiesta di offerta	2044	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-225AA, TO-126-3	2N49			30 W	-	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-3109-5	EAR99	8541.29.0095	2.000																	80 V	1A		500 µA	NPN	600 mV a 100 mA, 1 A	30 a 500 mA, 1 V	3 MHz
STP10NK60Z	3.4600	Richiesta di offerta	300	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP10		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN					600 V	10A (Tc)	10 V	750 mOhm a 4,5 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	70 nC a 10 V	±30 V	1370 pF a 25 V	-	115 W(Tc)
ST13007D	1.7200	Richiesta di offerta	8	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	ST13007			80 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																	400 V	8A		100μA	NPN	2 V a 2 A, 8 A	8 a 5 A, 5 V	-
STPSA42-AP	-	Richiesta di offerta	2736	STMicroelettronica	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	STPSA42			625 mW	TO-92AP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.000																	300 V	500 mA		100nA (ICBO)	NPN	500 mV a 2 mA, 20 mA	40 a 30 mA, 10 V	50 MHz
STWA70N60DM2	8.0580	Richiesta di offerta	2755	STMicroelettronica	MDmesh™DM2	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STWA70		MOSFET (ossido di metallo)		TO-247 Cavi lunghi	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	600	CanaleN					600 V	66A(Tc)	10 V	42 mOhm a 33 A, 10 V	5 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±25 V	5508 pF a 100 V	-	446 W(Tc)
STP7N80K5	2.5600	Richiesta di offerta	2999	STMicroelettronica	SuperMESH5™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP7N80		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-13589-5	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN					800 V	6A (Tc)	10 V	1,2 Ohm a 3 A, 10 V	5 V a 100 µA	13,4 nC a 10 V	±30 V	360 pF a 100 V	-	110 W (Tc)
STE40NC60	42.1900	Richiesta di offerta	3999	STMicroelettronica	PowerMESH™II	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio su telaio	ISOTOP	STE40		MOSFET (ossido di metallo)		ISOTOP®	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	CanaleN					600 V	40A (Tc)	10 V	130 mOhm a 20 A, 10 V	4 V a 250 µA	430 nC a 10 V	±30 V	11.100 pF a 25 V	-	460 W(Tc)
STW12N120K5	10.6600	Richiesta di offerta	267	STMicroelettronica	MDmesh™ K5	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW12		MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-15446-5	EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN					1200 V	12A (Tc)	10 V	690 mOhm a 6 A, 10 V	5 V a 100 µA	44,2 nC a 10 V	±30 V	1370 pF a 100 V	-	250 W(Tc)
STH12N120K5-2AG	12.1100	Richiesta di offerta	4288	STMicroelettronica	MDmesh™ K5	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STH12		MOSFET (ossido di metallo)		H2Pak-2	scaricamento		1 (illimitato)			EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN					1200 V	12A (Tc)	10 V	690 mOhm a 6 A, 10 V	5 V a 100 µA	44,2 nC a 10 V	±30 V	1370 pF a 100 V	-	250 W(Tc)
STP26N60DM6	4.0100	Richiesta di offerta	2354	STMicroelettronica	MDmesh™DM6	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP26		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-18499	EAR99	8541.29.0095	350	CanaleN					600 V	18A (Tc)	10 V	195 mOhm a 9 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	24 nC a 10 V	±25 V	940 pF a 100 V	-	130 W(Tc)
STP4NK50Z	-	Richiesta di offerta	5459	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP4N		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN					500 V	3A (Tc)	10 V	2,7 Ohm a 1,5 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	12 nC a 10 V	±30 V	310 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
BUL128FP	-	Richiesta di offerta	5799	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	BUL128			31 W	TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																	400 V	4A		100μA	NPN	500 mV a 1 A, 4 A	14 a 2 A, 5 V	-
BU941P	-	Richiesta di offerta	6463	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	BU941			155 W	TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30																	400 V	15A		100μA	NPN-Darlington	2 V a 300 mA, 12 A	300 a 5 A, 10 V	-
STB6NK60ZT4	2.6800	Richiesta di offerta	63	STMicroelettronica	SuperMESH™	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB6NK60		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN					600 V	6A (Tc)	10 V	1,2 Ohm a 3 A, 10 V	4,5 V a 100 µA	46 nC a 10 V	±30 V	905 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
STW88N65M5-4	17.7800	Richiesta di offerta	600	STMicroelettronica	MDmesh™ M5	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-4	STW88		MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN					650 V	84A(Tc)	10 V	29 mOhm a 42 A, 10 V	5 V a 250 µA	204 nC a 10 V	±25 V	8825 pF a 100 V	-	450 W(Tc)
STN3NF06	1.0700	Richiesta di offerta	8532	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	STN3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000	CanaleN					60 V	4A(Tc)	10 V	100 mOhm a 1,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	13 nC a 10 V	±20 V	315 pF a 25 V	-	3,3 W(Tc)
BUL128-K	-	Richiesta di offerta	9546	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BUL128			70 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	250																	400 V	4A		200μA	NPN	500 mV a 1 A, 4 A	14 a 2 A, 5 V	-
STP150N10F7	2.9200	Richiesta di offerta	3915	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™ VII	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP150		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN					100 V	110A (Tc)	10 V	4,2 mOhm a 55 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	117 nC a 10 V	±20 V	8115 pF a 50 V	-	250 W(Tc)
LAMPADINA39D-1	-	Richiesta di offerta	2383	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	LAMPADINA39			70 W	D²PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																	450 V	4A		100μA	NPN	1,1 V a 500 mA, 2,5 A	10 a 10 mA, 5 V	-
STH265N6F6-2AG	-	Richiesta di offerta	5012	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STH265		MOSFET (ossido di metallo)		H2Pak-2	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN					60 V	180A(Tc)	10 V	2,1 mOhm a 60 A, 10 V	4 V a 250 µA	183 nC a 10 V	±20 V	11.800 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
PD55025	-	Richiesta di offerta	3020	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto	40 V			Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10	PD55025	500 MHz	LDMOS		10-PowerSO	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		7A	200 mA	25 W	14,5dB											-			12,5 V
STB24N60M6	3.0700	Richiesta di offerta	7172	STMicroelettronica	MDmesh™ M6	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB24		MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN					600 V	17A(Tc)	10 V	190 mOhm a 8,5 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	23 nC a 10 V	±25 V	960 pF a 100 V	-	130 W(Tc)
STL19N60M2	1.3035	Richiesta di offerta	6010	STMicroelettronica	MDmesh™ M2	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL19		MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (8x8) Alta tensione	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN					600 V	11A(Tc)	10 V		4 V a 250 µA	21,5 nC a 10 V	±25 V	791 pF a 100 V	-	90 W (Tc)
STBV45-AP	0,5100	Richiesta di offerta	3	STMicroelettronica	-	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	STBV45			950 mW	TO-92AP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.000																	400 V	750 mA		250μA	NPN	1,5 V a 135 mA, 400 mA	5 a 400 mA, 5 V	-
STW24N60M2	-	Richiesta di offerta	3726	STMicroelettronica	MDmesh™ II Plus	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW24		MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN					600 V	18A (Tc)	10 V	190 mOhm a 9 A, 10 V	4 V a 250 µA	29 nC a 10 V	±25 V	1060 pF a 100 V	-	150 W(Tc)
SUGGERIMENTO126	-	Richiesta di offerta	1039	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	SUGGERIMENTO126			2 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																	80 V	5A		500 µA	PNP-Darlington	4 V a 20 mA, 5 A	1000 a 3 A, 3 V	-
STU3N45K3	0,3913	Richiesta di offerta	8923	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Tubo	Attivo		-	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STU3N45		MOSFET (ossido di metallo)		TO-251 (IPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75	CanaleN					450 V	1,8 A(Tc)	10 V	3,8 Ohm a 500 mA, 10 V	4,5 V a 50 µA	6 nC a 10 V	±30 V	150 pF a 25 V	-	27 W (Tc)
STP3N150	5.2200	Richiesta di offerta	8470	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP3N150		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-6327-5	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN					1500 V	2,5 A (TC)	10 V	9 Ohm a 1,3 A, 10 V	5 V a 250 µA	29,3 nC a 10 V	±30 V	939 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
STSJ50NH3LL	-	Richiesta di offerta	9546	STMicroelettronica	STRipFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	Platorello esposto 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm).	STSJ50		MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN					30 V	50A (Tc)	4,5 V, 10 V	10,5 mOhm a 6 A, 10 V	1 V a 250 µA	12 nC a 4,5 V	±16V	965 pF a 25 V	-	3 W (Ta), 50 W (Tc)
STF12NM60N	-	Richiesta di offerta	9351	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF12		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN					600 V	10A (Tc)	10 V	410 mOhm a 5 A, 10 V	4 V a 250 µA	30,5 nC a 10 V	±25 V	960 pF a 50 V	-	25 W (Tc)