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Transistor(3861)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
STGW15H120F2	2.1291	Richiesta di offerta	4248	STMicroelettronica	-	Tubo	Acquisto per l'ultima volta	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STGW15	Standard		259 W	TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		600 V, 15 A, 10 Ohm, 15 V												Sosta sul campo di trincea	1200 V	30A	60A	2,6 V a 15 V, 15 A	380μJ (acceso), 370μJ (spento)	67 nC	23ns/111ns
STFI9N60M2	-	Richiesta di offerta	7103	STMicroelettronica	MDmesh™ II Plus	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STFI9		MOSFET (ossido di metallo)		I2PAKFP (TO-281)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN		600 V	5,5 A (TC)	10 V	780 mOhm a 3 A, 10 V	4 V a 250 µA	10 nC a 10 V	±25 V	320 pF a 100 V	-	20 W (Tc)
D45H11FP	1.7700	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	D45H11			36 W	TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50															80 V	10A						10μA	PNP	1 V a 400 mA, 8 A	40 @ 4A, 1V	-
STP10LN80K5	3.3400	Richiesta di offerta	9732	STMicroelettronica	MDmesh™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP10		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-16500-5	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN		800 V	8A (Tc)	10 V	630 mOhm a 4 A, 10 V	5 V a 100 µA	15 nC a 10 V	±30 V	427 pF a 100 V	-	110 W (Tc)
STD46N6F7	-	Richiesta di offerta	1954	STMicroelettronica	STRipFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD46		MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN		60 V	15A (Tc)	10 V	14 mOhm a 7,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	17 nC a 10 V	±20 V	1065 pF a 30 V	-	60 W (Tc)
SCTWA40N120G2V	15.0645	Richiesta di offerta	5994	STMicroelettronica	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	SCTWA40		MOSFET (ossido di metallo)		TO-247 Cavi lunghi	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-SCTWA40N120G2V	EAR99	8541.29.0095	600	CanaleN		1200 V	36A(Tc)	18 V	100 mOhm a 20 A, 18 V	4,9 V a 1 mA	61 nC a 18 V	+18 V, -5 V	1233 pF a 800 V	-	278 W(Tc)
STB100NH02LT4	-	Richiesta di offerta	2487	STMicroelettronica	STRipFET™ III	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB100N		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN		24 V	60A (Tc)	5 V, 10 V	6 mOhm a 30 A, 10 V	1,8 V a 250 µA	64 nC a 10 V	±20 V	2850 pF a 15 V	-	100 W (Tc)
STFU13N80K5	4.3000	Richiesta di offerta	3282	STMicroelettronica	MDmesh™ K5	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STFU13		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-17144	EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN		800 V	12A (Tc)	10 V	450 mOhm a 6 A, 10 V	5 V a 100 µA	29 nC a 10 V	±30 V	870 pF a 100 V	-	35 W (Tc)
STGP19NC60H	5.4300	Richiesta di offerta	957	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STGP19	Standard		130 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		390 V, 12 A, 10 Ohm, 15 V												-	600 V	40A	60A	2,5 V a 15 V, 12 A	85μJ (acceso), 189μJ (spento)	53 nC	25ns/97ns
STU2N80K5	1.3500	Richiesta di offerta	994	STMicroelettronica	SuperMESH5™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STU2N80		MOSFET (ossido di metallo)		TO-251 (IPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-15022-5	EAR99	8541.29.0095	75	CanaleN		800 V	2A(Tc)	10 V	4,5 Ohm a 1 A, 10 V	5 V a 100 µA	9,5 nC a 10 V	30 V	105 pF a 100 V	-	45 W (Tc)
MJD45H11T4	0,9900	Richiesta di offerta	5260	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	MJD45			20 W	DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500															80 V	8A						10μA	PNP	1 V a 400 mA, 8 A	40 @ 4A, 1V	-
STU6N90K5	2.1600	Richiesta di offerta	182	STMicroelettronica	MDmesh™ K5	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi lunghi, IPak, TO-251AB	STU6N90		MOSFET (ossido di metallo)		IPAK (TO-251)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-17076	EAR99	8541.29.0095	75	CanaleN		900 V	6A (Tc)	10 V	1,1 Ohm a 3 A, 10 V	5 V a 100 µA		±30 V		-	110 W (Tc)
STGWT20V60DF	3.1300	Richiesta di offerta	235	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3	STGWT20	Standard		167 W	TO-3P	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		400 V, 20 A, 15 V											40 ns	Sosta sul campo di trincea	600 V	40A	80A	2,2 V a 15 V, 20 A	200μJ (acceso), 130μJ (spento)	116 nC	38ns/149ns
STL5N80K5	0,8730	Richiesta di offerta	3666	STMicroelettronica	MDmesh™ K5	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL5N80		MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (5x6) VHV	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN		800 V	3A (Tc)	10 V	1,75 Ohm a 2 A, 10 V	5 V a 100 µA	5 nC a 10 V	±30 V	177 pF a 100 V	-	38 W (Tc)
2N5416	-	Richiesta di offerta	3141	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto	-	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N54			1 W	TO-39	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	100															300 V	1A						50μA	PNP	2,5 V a 5 mA, 50 mA	30 a 50 mA, 10 V	15 MHz
STF6N90K5	2.2800	Richiesta di offerta	329	STMicroelettronica	MDmesh™ K5	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF6		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-17073	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN		900 V	6A (Tc)	10 V	1,1 Ohm a 3 A, 10 V	5 V a 100 µA		±30 V		-	25 W (Tc)
STP50NE08	-	Richiesta di offerta	3236	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto	175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP50N		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-2787-5	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN		80 V	50A (Tc)	10 V	24 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V	5100 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
STLD128DNT4	0,9400	Richiesta di offerta	37	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STLD128			20 W	DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-8786-2	EAR99	8541.29.0095	2.500															400 V	4A						250μA	NPN	1 V a 400 mA, 2 A	8 a 2 A, 5 V	-
BD438	0,8500	Richiesta di offerta	3	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-225AA, TO-126-3	BD438			36 W	SOT-32-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50															45 V	4A						100μA	PNP	600 mV a 200 mA, 2 A	30 a 10 mA, 5 V	3 MHz
STW11NM80	5.8800	Richiesta di offerta	6851	STMicroelettronica	MDmesh™	Tubo	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW11		MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN		800 V	11A(Tc)	10 V	400 mOhm a 5,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	43,6 nC a 10 V	±30 V	1630 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
STP100N8F6	1.6100	Richiesta di offerta	41	STMicroelettronica	STRipFET™ F6	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP100		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-15553-5	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN		80 V	100A (Tc)	10 V	9 mOhm a 50 A, 10 V	4 V a 250 µA	100 nC a 10 V	±20 V	5955 pF a 25 V	-	176 W(Tc)
STL195N4F7AG	1.0548	Richiesta di offerta	2614	STMicroelettronica	-	Massa	Attivo				STL195					-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-STL195N4F7AG			3.000
STF23N80K5	5.4700	Richiesta di offerta	43	STMicroelettronica	MDmesh™ K5	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF23		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-16305-5	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN		800 V	16A (Tc)	10 V	280 mOhm a 8 A, 10 V	5 V a 100 µA	33 nC a 10 V	±30 V	1000 pF a 100 V	-	35 W (Tc)
STP7NK40ZFP	-	Richiesta di offerta	5336	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STP7N		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN		400 V	5,4 A(Tc)	10 V	1 Ohm a 2,7 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	26 nC a 10 V	±30 V	535 pF a 25 V	-	25 W (Tc)
BUL58D	1.4400	Richiesta di offerta	5378	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BUL58			85 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50															450 V	8A						200μA	NPN	2 V a 1 A, 5 A	5 @ 5A, 5V	-
STBV45G-AP	0,5100	Richiesta di offerta	5	STMicroelettronica	-	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	STBV45			950 mW	TO-92AP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	2.000															400 V	750 mA						250μA	NPN	1,5 V a 135 mA, 400 mA	5 a 400 mA, 5 V	-
STW30NM50N	8.6200	Richiesta di offerta	222	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW30N		MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN		500 V	27A(Tc)	10 V	115 mOhm a 13,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	94 nC a 10 V	±25 V	2740 pF a 50 V	-	190 W(Tc)
STGFW40H65FB	-	Richiesta di offerta	4066	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	Pacchetto completo TO-3P-3	STGFW40	Standard		62,5 W	TO-3PF-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		400 V, 40 A, 5 Ohm, 15 V												Sosta sul campo di trincea	650 V	80A	160A	2 V a 15 V, 40 A	498μJ (acceso), 363μJ (spento)	210 nC	40ns/142ns
STL24NM60N	4.4400	Richiesta di offerta	6	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL24		MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (8x8) Alta tensione	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN		600 V	3,3 A (Ta), 16 A (Tc)	10 V	215 mOhm a 8 A, 10 V	5 V a 250 µA	46 nC a 10 V	±25 V	1400 pF a 50 V	-	3 W (Ta), 125 W (Tc)
STT3P2UH7	-	Richiesta di offerta	7168	STMicroelettronica	STRipFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	STT3P		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	Canale P		20 V	3A (Tc)	1,8 V, 4,5 V	100 mOhm a 1,5 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	4,8 nC a 4,5 V	±8 V	510 pF a 10 V	-	1,6 W (TC)