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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Tipo FET Condizione di prova Guadagno Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tempo di recupero inverso (trr) Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Figura di rumore (dB tipo @ f)
STFI9N60M2 STMicroelectronics STFI9N60M2 -
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ECAD 7103 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ II Plus Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA STFI9 MOSFET (ossido di metallo) I2PAKFP (TO-281) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 600 V 5,5 A (TC) 10 V 780 mOhm a 3 A, 10 V 4 V a 250 µA 10 nC a 10 V ±25 V 320 pF a 100 V - 20 W (Tc)
STF20N60M2-EP STMicroelectronics STF20N60M2-EP 1.1772
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ECAD 6860 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ M2-EP Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF20 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 600 V 13A(Tc) 10 V - 4,75 V a 250 µA 22 nC a 10 V ±25 V - -
STD46N6F7 STMicroelectronics STD46N6F7 -
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ECAD 1954 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 STD46 MOSFET (ossido di metallo) DPAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 60 V 15A (Tc) 10 V 14 mOhm a 7,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 17 nC a 10 V ±20 V 1065 pF a 30 V - 60 W (Tc)
ST83003 STMicroelectronics ST83003 -
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ECAD 6622 0.00000000 STMicroelettronica - Massa Obsoleto - Foro passante TO-225AA, TO-126-3 ST83 40 W SOT-32-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 500 400 V 1,5 A 1mA NPN 500mV a 100mA, 500mA 16 a 350 mA, 5 V -
SD1728 STMicroelectronics SD1728 -
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ECAD 2897 0.00000000 STMicroelettronica - Scatola Obsoleto 200°C (TJ) Montaggio superficiale M177 SD1728 330W M177 scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 25 15dB~17dB 55 V 40A NPN 23 a 10 A, 6 V - -
D45H11FP STMicroelectronics D45H11FP 1.7700
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ECAD 1 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo D45H11 36 W TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 80 V 10A 10μA PNP 1 V a 400 mA, 8 A 40 @ 4A, 1V -
STW48NM60N STMicroelectronics STW48NM60N 15.6100
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ECAD 2641 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ II Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STW48 MOSFET (ossido di metallo) TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-11367-5 EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 600 V 44A(Tc) 10 V 70 mOhm a 20 A, 10 V 4 V a 250 µA 124 nC a 10 V ±25 V 4285 pF a 50 V - 330 W(Tc)
STGW15H120F2 STMicroelectronics STGW15H120F2 2.1291
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ECAD 4248 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Acquisto per l'ultima volta -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STGW15 Standard 259 W TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 600 V, 15 A, 10 Ohm, 15 V Sosta sul campo di trincea 1200 V 30A 60A 2,6 V a 15 V, 15 A 380μJ (acceso), 370μJ (spento) 67 nC 23ns/111ns
STP10LN80K5 STMicroelectronics STP10LN80K5 3.3400
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ECAD 9732 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP10 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-16500-5 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 800 V 8A (Tc) 10 V 630 mOhm a 4 A, 10 V 5 V a 100 µA 15 nC a 10 V ±30 V 427 pF a 100 V - 110 W (Tc)
STW30N80K5 STMicroelectronics STW30N80K5 8.4700
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ECAD 6366 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ K5 Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STW30 MOSFET (ossido di metallo) TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 600 CanaleN 800 V 24A (Tc) 10 V 180 mOhm a 12 A, 10 V 5 V a 100 µA 43 nC a 10 V ±30 V 1530 pF a 100 V - 250 W(Tc)
STGWT20V60DF STMicroelectronics STGWT20V60DF 3.1300
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ECAD 235 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-3P-3, SC-65-3 STGWT20 Standard 167 W TO-3P scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 20 A, 15 V 40 ns Sosta sul campo di trincea 600 V 40A 80A 2,2 V a 15 V, 20 A 200μJ (acceso), 130μJ (spento) 116 nC 38ns/149ns
STF16N65M5 STMicroelectronics STF16N65M5 3.2500
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ECAD 1911 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ V Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF16 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 650 V 12A (Tc) 10 V 299 mOhm a 6 A, 10 V 5 V a 250 µA 45 nC a 10 V ±25 V 1250 pF a 100 V - 25 W (Tc)
STFU13N80K5 STMicroelectronics STFU13N80K5 4.3000
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ECAD 3282 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ K5 Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STFU13 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-17144 EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 800 V 12A (Tc) 10 V 450 mOhm a 6 A, 10 V 5 V a 100 µA 29 nC a 10 V ±30 V 870 pF a 100 V - 35 W (Tc)
MJD45H11T4 STMicroelectronics MJD45H11T4 0,9900
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ECAD 5260 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 MJD45 20 W DPAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 80 V 8A 10μA PNP 1 V a 400 mA, 8 A 40 @ 4A, 1V -
STGP19NC60H STMicroelectronics STGP19NC60H 5.4300
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ECAD 957 0.00000000 STMicroelettronica PowerMESH™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STGP19 Standard 130 W TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 390 V, 12 A, 10 Ohm, 15 V - 600 V 40A 60A 2,5 V a 15 V, 12 A 85μJ (acceso), 189μJ (spento) 53 nC 25ns/97ns
STU2N80K5 STMicroelectronics STU2N80K5 1.3500
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ECAD 994 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH5™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA STU2N80 MOSFET (ossido di metallo) TO-251 (IPAK) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-15022-5 EAR99 8541.29.0095 75 CanaleN 800 V 2A(Tc) 10 V 4,5 Ohm a 1 A, 10 V 5 V a 100 µA 9,5 nC a 10 V 30 V 105 pF a 100 V - 45 W (Tc)
STB100NH02LT4 STMicroelectronics STB100NH02LT4 -
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ECAD 2487 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ III Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB STB100N MOSFET (ossido di metallo) D2PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 24 V 60A (Tc) 5 V, 10 V 6 mOhm a 30 A, 10 V 1,8 V a 250 µA 64 nC a 10 V ±20 V 2850 pF a 15 V - 100 W (Tc)
STL5N80K5 STMicroelectronics STL5N80K5 0,8730
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ECAD 3666 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ K5 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN STL5N80 MOSFET (ossido di metallo) PowerFlat™ (5x6) VHV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 800 V 3A (Tc) 10 V 1,75 Ohm a 2 A, 10 V 5 V a 100 µA 5 nC a 10 V ±30 V 177 pF a 100 V - 38 W (Tc)
STU6N90K5 STMicroelectronics STU6N90K5 2.1600
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ECAD 182 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ K5 Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Cavi lunghi, IPak, TO-251AB STU6N90 MOSFET (ossido di metallo) IPAK (TO-251) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-17076 EAR99 8541.29.0095 75 CanaleN 900 V 6A (Tc) 10 V 1,1 Ohm a 3 A, 10 V 5 V a 100 µA ±30 V - 110 W (Tc)
SCTWA40N120G2V STMicroelectronics SCTWA40N120G2V 15.0645
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ECAD 5994 0.00000000 STMicroelettronica - Massa Attivo -55°C ~ 200°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SCTWA40 MOSFET (ossido di metallo) TO-247 Cavi lunghi - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 497-SCTWA40N120G2V EAR99 8541.29.0095 600 CanaleN 1200 V 36A(Tc) 18 V 100 mOhm a 20 A, 18 V 4,9 V a 1 mA 61 nC a 18 V +18 V, -5 V 1233 pF a 800 V - 278 W(Tc)
STD20NF20 STMicroelectronics STD20NF20 2.3200
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ECAD 4626 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 STD20 MOSFET (ossido di metallo) DPAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 200 V 18A (Tc) 10 V 125 mOhm a 10 A, 10 V 4 V a 250 µA 39 nC a 10 V ±20 V 940 pF a 25 V - 110 W (Tc)
STP3NK80Z STMicroelectronics STP3NK80Z 1.8700
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ECAD 995 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP3NK80 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-4379-5 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 800 V 2,5 A (TC) 10 V 4,5 Ohm a 1,25 A, 10 V 4,5 V a 50 µA 19 nC a 10 V ±30 V 485 pF a 25 V - 70 W (Tc)
STH315N10F7-6 STMicroelectronics STH315N10F7-6 6.1000
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ECAD 1092 0.00000000 STMicroelettronica Settore automobilistico, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VII Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta) STH315 MOSFET (ossido di metallo) H2PAK-6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-14719-2 EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 100 V 180A(Tc) 10 V 2,3 mOhm a 60 A, 10 V 4,5 V a 250 µA 180 nC a 10 V ±20 V 12.800 pF a 25 V - 315 W(Tc)
ST13007DFP STMicroelectronics ST13007DFP 1.4100
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ECAD 490 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo ST13007 36 W TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 400 V 8A 100μA NPN 2 V a 2 A, 8 A 8 a 5 A, 5 V -
STPLED627 STMicroelectronics STPLED627 -
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ECAD 4443 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STPLED627 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 620 V 7A(Tc) 10 V 1,2 Ohm a 2,8 A, 10 V 4,5 V a 50 µA 35 nC a 10 V ±30 V 890 pF a 50 V - 90 W (Tc)
STL9N80K5 STMicroelectronics STL9N80K5 -
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ECAD 4890 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ K5 Nastro e bobina (TR) Attivo - Montaggio superficiale 8-PowerVDFN STL9N80 MOSFET (ossido di metallo) PowerFlat™ (5x6) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 800 V 7A(Tc) 10 V - - - - 110 W (Tc)
STB7NK80Z-1 STMicroelectronics STB7NK80Z-1 1.7752
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ECAD 7097 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA STB7NK80 MOSFET (ossido di metallo) I2PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 800 V 5,2 A(Tc) 10 V 1,8 Ohm a 2,6 A, 10 V 4,5 V a 100 µA 56 nC a 10 V ±30 V 1138 pF a 25 V - 125 W (Tc)
BD140-16 STMicroelectronics BD140-16 0,4200
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ECAD 2547 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-225AA, TO-126-3 BD140 1,25 W SOT-32 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 80 V 1,5 A 100nA (ICBO) PNP 500mV a 50mA, 500mA 40 a 2 V, 150 MA -
STGY50NC60WD STMicroelectronics STGY50NC60WD 16.9700
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ECAD 1459 0.00000000 STMicroelettronica PowerMESH™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STGY50 Standard 278 W MAX247™ scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 390 V, 40 A, 10 Ohm, 15 V 55 nn - 600 V 110A 180A 2,6 V a 15 V, 40 A 365μJ (acceso), 560μJ (spento) 195 nC 52ns/240ns
STF40NF20 STMicroelectronics STF40NF20 3.7700
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ECAD 1569 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF40 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-5805-5 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 200 V 40A (Tc) 10 V 45 mOhm a 20 A, 10 V 4 V a 250 µA 75 nC a 10 V ±20 V 2500 pF a 25 V - 40 W (Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock