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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Voltaggio: nominale | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Frequenza | Tecnologia | Potenza: max | Ingresso | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Corrente nominale (Amp) | Condizione di prova | Corrente - Prova | Potenza-Uscita | Guadagno | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Figura di rumore | Tempo di recupero inverso (trr) | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Collettore pulsato (Icm) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Cambiare energia | Carica di cancello | Td (acceso/spento) @ 25°C | Tensione - Prova | Corrente - Interruzione collettore (max) | Termistore NTC | Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STFH24N60M2 | 2.9500 | ![]() | 905 | 0.00000000 | STMicroelettronica | MDmesh™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | STFH24 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220FP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-16596-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 46 | CanaleN | 600 V | 18A (Tc) | 10 V | 190 mOhm a 9 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 29 nC a 10 V | ±25 V | 1060 pF a 100 V | - | 35 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGW45HF60WDI | - | ![]() | 1412 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | STGW45 | Standard | 250 W | TO-247 Cavi lunghi | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-10402-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 30 A, 4,7 Ohm, 15 V | 90 ns | - | 600 V | 70A | 150A | 2,5 V a 15 V, 30 A | 330μJ (spento) | 160 nC | -/145ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP36CW | 2.8300 | ![]() | 1905 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Tubo | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | SUGGERIMENTO36 | 125 W | TO-247-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-4634-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 100 V | 25A | 1mA | PNP | 4 V a 5 A, 25 A | 10 a 15 A, 4 V | 3 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGW50HF60S | 6.0000 | ![]() | 408 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | STGW50 | Standard | 284 W | TO-247-3 | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V | - | 600 V | 110A | 130A | 1,45 V a 15 V, 30 A | 250 µJ (acceso), 4,2 mJ (spento) | 200 nC | 50ns/220ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STS2DNF30L | 0,8800 | ![]() | 7207 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | STS2DNF30 | MOSFET (ossido di metallo) | 2 W | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canali N (doppio) | 30 V | 3A | 110 mOhm a 1 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 4,5 nC a 10 V | 121 pF a 25 V | Porta a livello logico | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| STGP15H60DF | 2.1700 | ![]() | 8067 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | STGP15 | Standard | 115 W | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 V, 15 A, 10 Ohm, 15 V | 103 nn | Sosta sul campo di trincea | 600 V | 30A | 60A | 2 V a 15 V, 15 A | 136μJ (acceso), 207μJ (spento) | 81 nC | 24,5 n/118 n | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGWT40HP65FB | 3.2900 | ![]() | 366 | 0.00000000 | STMicroelettronica | HB | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-3P-3, SC-65-3 | STGWT40 | Standard | 283 W | TO-3P | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-16972 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 40 A, 5 Ohm, 15 V | 140 n | Sosta sul campo di trincea | 650 V | 80A | 160A | 2 V a 15 V, 40 A | 363μJ (spento) | 210 nC | -/142ns | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A1P50S65M2-F | 45.9683 | ![]() | 2395 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio su telaio | Modulo | A1P50 | 208 W | Standard | ACEPACKTM1 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 36 | Invertitore trifase | Sosta sul campo di trincea | 650 V | 50A | 2,3 V a 15 V, 50 A | 100 µA | SÌ | 4,15 nF a 25 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STN4NF20L | 0,7500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ II | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | STN4NF20 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-223 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | CanaleN | 200 V | 1A(Tc) | 5 V, 10 V | 1,5 Ohm a 500 mA, 10 V | 3 V a 250 µA | 0,9 nC a 10 V | ±20 V | 150 pF a 25 V | - | 3,3 W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| STP14NM50N | 4.0100 | ![]() | 919 | 0.00000000 | STMicroelettronica | MDmesh™ II | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | STP14 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-10650-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 500 V | 12A (Tc) | 10 V | 320 mOhm a 6 A, 10 V | 4 V a 100 µA | 27 nC a 10 V | ±25 V | 816 pF a 50 V | - | 90 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2F12M12W2-F1 | 225.7800 | ![]() | 19 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Vassoio | Attivo | 175°C (TJ) | Montaggio su telaio | Modulo | A2F12M12 | Standard | ACEPACK™2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 18 | Ponte completo | - | - | SÌ | 7 nF a 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGW30NC60VD | 4.6400 | ![]() | 205 | 0.00000000 | STMicroelettronica | PowerMESH™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | STGW30 | Standard | 250 W | TO-247-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 390 V, 20 A, 3,3 Ohm, 15 V | 44 ns | - | 600 V | 80A | 150A | 2,5 V a 15 V, 20 A | 220μJ (acceso), 330μJ (spento) | 100 nC | 31ns/100ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SD57045-01 | 67.1550 | ![]() | 5906 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Scatola | Attivo | 65 V | M250 | SD57045 | 945 MHz | LDMOS | M250 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 5A | 250 mA | 45 W | 15dB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STN9260 | 0,9600 | ![]() | 8995 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | STN9260 | 1,6 W | SOT-223 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 600 V | 500 mA | 10μA | PNP | 1 V a 10 mA, 100 mA | 50 a 20 mA, 5 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP75NF20 | 4.5100 | ![]() | 5472 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | STP75 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-5958-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 200 V | 75A (Tc) | 10 V | 34 mOhm a 37 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 84 nC a 10 V | ±20 V | 3260 pF a 25 V | - | 190 W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STS9P3LLH6 | - | ![]() | 8251 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ H6 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | STS9P | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canale P | 30 V | 9A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 15 mOhm a 4,5 A, 10 V | 2 V a 250 µA | 24 nC a 4,5 V | ±20 V | 2615 pF a 25 V | - | 2,7 W(Ta) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGF8NC60KD | 1.4800 | ![]() | 49 | 0.00000000 | STMicroelettronica | PowerMESH™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | STGF8 | Standard | 24 W | TO-220FP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 390 V, 3 A, 10 Ohm, 15 V | 23,5 ns | - | 600 V | 7A | 30A | 2,75 V a 15 V, 3 A | 55μJ (acceso), 85μJ (spento) | 19 nC | 17ns/72ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MJB44H11T4 | - | ![]() | 5443 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | MJB44 | 50 W | D²PAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 80 V | 10A | 10μA | NPN | 1 V a 400 mA, 8 A | 40 @ 4A, 1V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP11N65M5 | 2.0700 | ![]() | 6941 | 0.00000000 | STMicroelettronica | MDmesh™ V | Tubo | Attivo | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | STP11 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 650 V | 9A (Tc) | 10 V | 480 mOhm a 4,5 A, 10 V | 5 V a 250 µA | 17 nC a 10 V | ±25 V | 644 pF a 100 V | - | 85 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD5NK50Z-1 | - | ![]() | 3812 | 0.00000000 | STMicroelettronica | SuperMESH™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA | STD5N | MOSFET (ossido di metallo) | I-PAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | CanaleN | 500 V | 4,4 A(Tc) | 10 V | 1,5 Ohm a 2,2 A, 10 V | 4,5 V a 50 µA | 28 nC a 10 V | ±30 V | 535 pF a 25 V | - | 70 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF140N6F7 | 2.2100 | ![]() | 4258 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ | Tubo | Attivo | 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | STF140 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220FP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-16970 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 60 V | 70A (Tc) | 10 V | 3,5 mOhm a 35 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 55 nC a 10 V | ±20 V | 3100 pF a 25 V | - | 33 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGD6M65DF2 | 1.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | STMicroelettronica | M | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | STGD6 | Standard | 88 W | DPAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V, 6 A, 22 Ohm, 15 V | 140 n | Sosta sul campo di trincea | 650 V | 12A | 24A | 2 V a 15 V, 6 A | 36μJ (acceso), 200μJ (spento) | 21,2 nC | 15ns/90ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TD134N4F7AG | - | ![]() | 2115 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | MOSFET (ossido di metallo) | D-PAK (TO-252) | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 497-TD134N4F7AGTR | 1 | CanaleN | 40 V | 80A (Tc) | 10 V | 3,5 mOhm a 40 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 41 nC a 10 V | ±20 V | 2790 pF a 25 V | - | 134 W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF5L08600CB4 | 217.8000 | ![]() | 2734 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Massa | Attivo | 115 V | Montaggio su telaio | D4E | RF5L08600 | 400 MHz~1 GHz | LDMOS | D4E | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 497-RF5L08600CB4 | 100 | - | 1μA | 110 mA | 650W | 19,5dB | - | 50 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STL26N60DM6 | 3.8900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | STMicroelettronica | MDmesh™DM6 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | STL26 | MOSFET (ossido di metallo) | PowerFlat™ (8x8) Alta tensione | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 600 V | 15A (Tc) | 10 V | 215 mOhm a 7,5 A, 10 V | 4,75 V a 250 µA | 24 nC a 10 V | ±25 V | 940 pF a 100 V | - | 110 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| STP16NF06 | 1.3500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ II | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | STP16 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 60 V | 16A (Tc) | 10 V | 100 mOhm a 8 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 13 nC a 10 V | ±20 V | 315 pF a 25 V | - | 45 W (Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGW30H60DF | - | ![]() | 9421 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | STGW30 | Standard | 260 W | TO-247 | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V | 110 n | Sosta sul campo di trincea | 600 V | 60A | 120A | 2,4 V a 15 V, 30 A | 350μJ (acceso), 400μJ (spento) | 105 nC | 50ns/160ns | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGB30H60DLFB | - | ![]() | 8223 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | STGB30 | Standard | 260 W | D²PAK (TO-263) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V | Sosta sul campo di trincea | 600 V | 60A | 120A | 2 V a 15 V, 30 A | 393μJ (spento) | 149 nC | -/146ns | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD4N62K3 | 1.9100 | ![]() | 433 | 0.00000000 | STMicroelettronica | SuperMESH3™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | STD4N62 | MOSFET (ossido di metallo) | DPAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 620 V | 3,8 A(Tc) | 10 V | 1,95 Ohm a 1,9 A, 10 V | 4,5 V a 50 µA | 14 nC a 10 V | ±30 V | 450 pF a 50 V | - | 70 W (Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
| STP24N65M2 | - | ![]() | 4368 | 0.00000000 | STMicroelettronica | MDmesh™ M2 | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | STP24N | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 650 V | 16A (Tc) | 10 V | 230 mOhm a 8 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 29 nC a 10 V | ±25 V | 1060 pF a 100 V | - | 150 W(Tc) |

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