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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Voltaggio: nominale Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Frequenza Tecnologia Potenza: max Ingresso Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Corrente nominale (Amp) Condizione di prova Corrente - Prova Potenza-Uscita Guadagno Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Figura di rumore Tempo di recupero inverso (trr) Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Tensione - Prova Corrente - Interruzione collettore (max) Termistore NTC Capacità di ingresso (Cies) @ Vce Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione
STFH24N60M2 STMicroelectronics STFH24N60M2 2.9500
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ECAD 905 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STFH24 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-16596-5 EAR99 8541.29.0095 46 CanaleN 600 V 18A (Tc) 10 V 190 mOhm a 9 A, 10 V 4 V a 250 µA 29 nC a 10 V ±25 V 1060 pF a 100 V - 35 W (Tc)
STGW45HF60WDI STMicroelectronics STGW45HF60WDI -
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ECAD 1412 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STGW45 Standard 250 W TO-247 Cavi lunghi scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-10402-5 EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 30 A, 4,7 Ohm, 15 V 90 ns - 600 V 70A 150A 2,5 V a 15 V, 30 A 330μJ (spento) 160 nC -/145ns
TIP36CW STMicroelectronics TIP36CW 2.8300
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ECAD 1905 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 SUGGERIMENTO36 125 W TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-4634-5 EAR99 8541.29.0095 30 100 V 25A 1mA PNP 4 V a 5 A, 25 A 10 a 15 A, 4 V 3 MHz
STGW50HF60S STMicroelectronics STGW50HF60S 6.0000
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ECAD 408 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STGW50 Standard 284 W TO-247-3 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V - 600 V 110A 130A 1,45 V a 15 V, 30 A 250 µJ (acceso), 4,2 mJ (spento) 200 nC 50ns/220ns
STS2DNF30L STMicroelectronics STS2DNF30L 0,8800
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ECAD 7207 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) STS2DNF30 MOSFET (ossido di metallo) 2 W 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canali N (doppio) 30 V 3A 110 mOhm a 1 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 4,5 nC a 10 V 121 pF a 25 V Porta a livello logico
STGP15H60DF STMicroelectronics STGP15H60DF 2.1700
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ECAD 8067 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STGP15 Standard 115 W TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 400 V, 15 A, 10 Ohm, 15 V 103 nn Sosta sul campo di trincea 600 V 30A 60A 2 V a 15 V, 15 A 136μJ (acceso), 207μJ (spento) 81 nC 24,5 n/118 n
STGWT40HP65FB STMicroelectronics STGWT40HP65FB 3.2900
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ECAD 366 0.00000000 STMicroelettronica HB Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-3P-3, SC-65-3 STGWT40 Standard 283 W TO-3P scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-16972 EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 40 A, 5 Ohm, 15 V 140 n Sosta sul campo di trincea 650 V 80A 160A 2 V a 15 V, 40 A 363μJ (spento) 210 nC -/142ns
A1P50S65M2-F STMicroelectronics A1P50S65M2-F 45.9683
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ECAD 2395 0.00000000 STMicroelettronica - Vassoio Attivo -40°C ~ 150°C (TJ) Montaggio su telaio Modulo A1P50 208 W Standard ACEPACKTM1 scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 36 Invertitore trifase Sosta sul campo di trincea 650 V 50A 2,3 V a 15 V, 50 A 100 µA 4,15 nF a 25 V
STN4NF20L STMicroelectronics STN4NF20L 0,7500
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ECAD 3 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ II Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA STN4NF20 MOSFET (ossido di metallo) SOT-223 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 4.000 CanaleN 200 V 1A(Tc) 5 V, 10 V 1,5 Ohm a 500 mA, 10 V 3 V a 250 µA 0,9 nC a 10 V ±20 V 150 pF a 25 V - 3,3 W(Tc)
STP14NM50N STMicroelectronics STP14NM50N 4.0100
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ECAD 919 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ II Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP14 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-10650-5 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 500 V 12A (Tc) 10 V 320 mOhm a 6 A, 10 V 4 V a 100 µA 27 nC a 10 V ±25 V 816 pF a 50 V - 90 W (Tc)
A2F12M12W2-F1 STMicroelectronics A2F12M12W2-F1 225.7800
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ECAD 19 0.00000000 STMicroelettronica - Vassoio Attivo 175°C (TJ) Montaggio su telaio Modulo A2F12M12 Standard ACEPACK™2 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 18 Ponte completo - - 7 nF a 800 V
STGW30NC60VD STMicroelectronics STGW30NC60VD 4.6400
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ECAD 205 0.00000000 STMicroelettronica PowerMESH™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STGW30 Standard 250 W TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 390 V, 20 A, 3,3 Ohm, 15 V 44 ns - 600 V 80A 150A 2,5 V a 15 V, 20 A 220μJ (acceso), 330μJ (spento) 100 nC 31ns/100ns
SD57045-01 STMicroelectronics SD57045-01 67.1550
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ECAD 5906 0.00000000 STMicroelettronica - Scatola Attivo 65 V M250 SD57045 945 MHz LDMOS M250 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 25 5A 250 mA 45 W 15dB - 28 V
STN9260 STMicroelectronics STN9260 0,9600
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ECAD 8995 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA STN9260 1,6 W SOT-223 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 600 V 500 mA 10μA PNP 1 V a 10 mA, 100 mA 50 a 20 mA, 5 V -
STP75NF20 STMicroelectronics STP75NF20 4.5100
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ECAD 5472 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP75 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-5958-5 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 200 V 75A (Tc) 10 V 34 mOhm a 37 A, 10 V 4 V a 250 µA 84 nC a 10 V ±20 V 3260 pF a 25 V - 190 W(Tc)
STS9P3LLH6 STMicroelectronics STS9P3LLH6 -
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ECAD 8251 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ H6 Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) STS9P MOSFET (ossido di metallo) 8-SO scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 Canale P 30 V 9A (Ta) 4,5 V, 10 V 15 mOhm a 4,5 A, 10 V 2 V a 250 µA 24 nC a 4,5 V ±20 V 2615 pF a 25 V - 2,7 W(Ta)
STGF8NC60KD STMicroelectronics STGF8NC60KD 1.4800
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ECAD 49 0.00000000 STMicroelettronica PowerMESH™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STGF8 Standard 24 W TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 390 V, 3 A, 10 Ohm, 15 V 23,5 ns - 600 V 7A 30A 2,75 V a 15 V, 3 A 55μJ (acceso), 85μJ (spento) 19 nC 17ns/72ns
MJB44H11T4 STMicroelectronics MJB44H11T4 -
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ECAD 5443 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB MJB44 50 W D²PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 80 V 10A 10μA NPN 1 V a 400 mA, 8 A 40 @ 4A, 1V -
STP11N65M5 STMicroelectronics STP11N65M5 2.0700
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ECAD 6941 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ V Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP11 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 650 V 9A (Tc) 10 V 480 mOhm a 4,5 A, 10 V 5 V a 250 µA 17 nC a 10 V ±25 V 644 pF a 100 V - 85 W (Tc)
STD5NK50Z-1 STMicroelectronics STD5NK50Z-1 -
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ECAD 3812 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA STD5N MOSFET (ossido di metallo) I-PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 75 CanaleN 500 V 4,4 A(Tc) 10 V 1,5 Ohm a 2,2 A, 10 V 4,5 V a 50 µA 28 nC a 10 V ±30 V 535 pF a 25 V - 70 W (Tc)
STF140N6F7 STMicroelectronics STF140N6F7 2.2100
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ECAD 4258 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ Tubo Attivo 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF140 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-16970 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 60 V 70A (Tc) 10 V 3,5 mOhm a 35 A, 10 V 4 V a 250 µA 55 nC a 10 V ±20 V 3100 pF a 25 V - 33 W (Tc)
STGD6M65DF2 STMicroelectronics STGD6M65DF2 1.4000
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ECAD 2 0.00000000 STMicroelettronica M Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 STGD6 Standard 88 W DPAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 400 V, 6 A, 22 Ohm, 15 V 140 n Sosta sul campo di trincea 650 V 12A 24A 2 V a 15 V, 6 A 36μJ (acceso), 200μJ (spento) 21,2 nC 15ns/90ns
TD134N4F7AG STMicroelectronics TD134N4F7AG -
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ECAD 2115 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 MOSFET (ossido di metallo) D-PAK (TO-252) - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 497-TD134N4F7AGTR 1 CanaleN 40 V 80A (Tc) 10 V 3,5 mOhm a 40 A, 10 V 4 V a 250 µA 41 nC a 10 V ±20 V 2790 pF a 25 V - 134 W(Tc)
RF5L08600CB4 STMicroelectronics RF5L08600CB4 217.8000
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ECAD 2734 0.00000000 STMicroelettronica - Massa Attivo 115 V Montaggio su telaio D4E RF5L08600 400 MHz~1 GHz LDMOS D4E - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 497-RF5L08600CB4 100 - 1μA 110 mA 650W 19,5dB - 50 V
STL26N60DM6 STMicroelectronics STL26N60DM6 3.8900
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ECAD 1 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™DM6 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-PowerVDFN STL26 MOSFET (ossido di metallo) PowerFlat™ (8x8) Alta tensione scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 600 V 15A (Tc) 10 V 215 mOhm a 7,5 A, 10 V 4,75 V a 250 µA 24 nC a 10 V ±25 V 940 pF a 100 V - 110 W (Tc)
STP16NF06 STMicroelectronics STP16NF06 1.3500
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ECAD 1 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ II Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP16 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 60 V 16A (Tc) 10 V 100 mOhm a 8 A, 10 V 4 V a 250 µA 13 nC a 10 V ±20 V 315 pF a 25 V - 45 W (Tc)
STGW30H60DF STMicroelectronics STGW30H60DF -
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ECAD 9421 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STGW30 Standard 260 W TO-247 scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V 110 n Sosta sul campo di trincea 600 V 60A 120A 2,4 V a 15 V, 30 A 350μJ (acceso), 400μJ (spento) 105 nC 50ns/160ns
STGB30H60DLFB STMicroelectronics STGB30H60DLFB -
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ECAD 8223 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB STGB30 Standard 260 W D²PAK (TO-263) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V Sosta sul campo di trincea 600 V 60A 120A 2 V a 15 V, 30 A 393μJ (spento) 149 nC -/146ns
STD4N62K3 STMicroelectronics STD4N62K3 1.9100
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ECAD 433 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH3™ Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 STD4N62 MOSFET (ossido di metallo) DPAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 620 V 3,8 A(Tc) 10 V 1,95 Ohm a 1,9 A, 10 V 4,5 V a 50 µA 14 nC a 10 V ±30 V 450 pF a 50 V - 70 W (Tc)
STP24N65M2 STMicroelectronics STP24N65M2 -
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ECAD 4368 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ M2 Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP24N MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 650 V 16A (Tc) 10 V 230 mOhm a 8 A, 10 V 4 V a 250 µA 29 nC a 10 V ±25 V 1060 pF a 100 V - 150 W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock