Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Transistor(3861)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
STD6N60M2	1.4800	Richiesta di offerta	1687	STMicroelettronica	MDmesh™ II Plus	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD6N60			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN						600 V	4,5 A(Tc)	10 V	1,2 Ohm a 2,25 A, 10 V	4 V a 250 µA	8 nC a 10 V	±25 V	232 pF a 100 V	-	60 W (Tc)
BD138	0,5000	Richiesta di offerta	11	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-225AA, TO-126-3	BD138				1,25 W	SOT-32-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																				60 V	1,5 A							100nA (ICBO)	PNP	500mV a 50mA, 500mA	40 a 150 mA, 2 V	-
STW60N65M5	11.3600	Richiesta di offerta	577	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW60N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN						650 V	46A(Tc)	10 V	59 mOhm a 23 A, 10 V	5 V a 250 µA	139 nC a 10 V	±25 V	6810 pF a 100 V	-	255 W(Tc)
STB9NK80Z	2.4000	Richiesta di offerta	5734	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, SuperMESH™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB9			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN						800 V	5,2 A(Tc)	10 V	1,8 Ohm a 2,6 A, 10 V	4,5 V a 100 µA	40 nC a 10 V	±30 V	1138 pF a 25 V	-	125 W (Tc)
STGP12NB60HD	-	Richiesta di offerta	9172	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STGP12	Standard			125 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			480 V, 12 A, 10 Ohm, 15 V															80 ns	-	600 V	30A	60A	2,8 V a 15 V, 12 A	210μJ (spento)	68 nC	5ns/91ns
STP20NM50	5.9600	Richiesta di offerta	4596	STMicroelettronica	MDmesh™	Tubo	Attivo		-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP20			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN						500 V	20A (Tc)	10 V	250 mOhm a 10 A, 10 V	5 V a 250 µA	56 nC a 10 V	±30 V	1480 pF a 25 V	-	192 W(Tc)
STU8NM50N	1.7300	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STU8N			MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75	CanaleN						500 V	5A (Tc)	10 V	790 mOhm a 2,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	14 nC a 10 V	±25 V	364 pF a 50 V	-	45 W (Tc)
STW20NM60	6.3500	Richiesta di offerta	7417	STMicroelettronica	MDmesh™	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW20			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN						600 V	20A (Tc)	10 V	290 mOhm a 10 A, 10 V	5 V a 250 µA	54 nC a 10 V	±30 V	1500 pF a 25 V	-	192 W(Tc)
ESM6045DV	-	Richiesta di offerta	9088	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio su telaio	ISOTOP	ESM6045				250 W	ISOTOP®	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10																				450 V	84A							-	NPN-Darlington	1,35 V a 4 A, 70 A	120 a 70 A, 5 V	-
STP32NM50N	7.9000	Richiesta di offerta	105	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP32			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN						500 V	22A(Tc)	10 V	130 mOhm a 11 A, 10 V	4 V a 250 µA	62,5 nC a 10 V	±25 V	1973 pF a 50 V	-	190 W(Tc)
STD5NK40ZT4	0,6123	Richiesta di offerta	9929	STMicroelettronica	SuperMESH™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD5NK40			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN						400 V	3A (Tc)	10 V	1,8 Ohm a 1,5 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	17 nC a 10 V	±30 V	305 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
STY139N65M5	35.9200	Richiesta di offerta	3878	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STY139			MOSFET (ossido di metallo)		MAX247™	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-13043-5	EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN						650 V	130A (Tc)	10 V	17 mOhm a 65 A, 10 V	5 V a 250 µA	363 nC a 10 V	±25 V	15.600 pF a 100 V	-	625 W(Tc)
STGB30V60DF	3.1700	Richiesta di offerta	2532	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STGB30	Standard			258 W	D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V															53 ns	Sosta sul campo di trincea	600 V	60A	120A	2,3 V a 15 V, 30 A	383μJ (acceso), 233μJ (spento)	163 nC	45ns/189ns
STGD7NB60KT4	1.5900	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	PowerMESH™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STGD7	Standard			70 W	DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500			480 V, 7 A, 10 Ohm, 15 V																-	600 V	14A	56A	2,8 V a 15 V, 7 A	95μJ (acceso), 140μJ (spento)	32,7 nC	15ns/50ns
BUL654	1.4200	Richiesta di offerta	62	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BUL654				80 W	TO-220	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																				400 V	12A							100μA	NPN	700 mV a 1,4 A, 7 A	7 @ 6A, 2V	-
STF19NM50N	4.5600	Richiesta di offerta	996	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF19			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN						500 V	14A (Tc)	10 V	250 mOhm a 7 A, 10 V	4 V a 250 µA	34 nC a 10 V	±25 V	1000 pF a 50 V	-	30 W (Tc)
STGB10NC60KDT4	1.6300	Richiesta di offerta	6371	STMicroelettronica	PowerMESH™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STGB10	Standard			65 W	D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			390 V, 5 A, 10 Ohm, 15 V															22 ns	-	600 V	20A	30A	2,5 V a 15 V, 5 A	55μJ (acceso), 85μJ (spento)	19 nC	17ns/72ns
STGI25N36LZAG	1.1903	Richiesta di offerta	3260	STMicroelettronica	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STGI25	Logica			150 W	I2PAK (TO-262)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-STGI25N36LZAG	EAR99	8541.29.0095	1.000			-																-	350 V	25A	50A	1,25 V a 4 V, 6 A	-	25,7 nC	1,1 µs/7,4 µs
STB14N80K5	3.9800	Richiesta di offerta	7847	STMicroelettronica	MDmesh™ K5	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB14			MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN						800 V	12A (Tc)	10 V	445 mOhm a 6 A, 10 V	5 V a 100 µA	22 nC a 10 V	±30 V	620 pF a 100 V	-	130 W(Tc)
STGF30NC60S	-	Richiesta di offerta	3332	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STGF30	Standard			40 W	TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			480 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V																-	600 V	22A	150A	1,9 V a 15 V, 20 A	300 µJ (acceso), 1,28 mJ (spento)	96 nC	21,5 n/180 n
STF13N60DM2	2.0000	Richiesta di offerta	305	STMicroelettronica	MDmesh™DM2	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF13			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-16961	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN						600 V	11A(Tc)	10 V	365 mOhm a 5,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	19 nC a 10 V	±25 V	730 pF a 100 V	-	25 W (Tc)
STD3NK50ZT4	1.2800	Richiesta di offerta	3409	STMicroelettronica	SuperMESH™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD3NK50			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN						500 V	2,3 A(Tc)	10 V	3,3 Ohm a 1,15 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	15 nC a 10 V	±30 V	280 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
STD38NH02LT4	-	Richiesta di offerta	1292	STMicroelettronica	STRipFET™ III	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD38			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN						24 V	38A(Tc)	5 V, 10 V	13,5 mOhm a 19 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	24 nC a 10 V	±20 V	1070 pF a 25 V	-	40 W (Tc)
STN3NF06L	1.0300	Richiesta di offerta	25	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	STN3			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000	CanaleN						60 V	4A(Tc)	5 V, 10 V	100 mOhm a 1,5 A, 10 V	2,8 V a 250 µA	9 nC a 5 V	±16V	340 pF a 25 V	-	3,3 W(Tc)
PD55003STR-E	-	Richiesta di offerta	1427	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	40 V			Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10	PD55003		500 MHz	LDMOS		PowerSO-10RF (cavo dritto)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	600		2,5 A		50 mA	3 W	17dB											-										12,5 V
STFW1N105K3	2.5098	Richiesta di offerta	5044	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Tubo	Design non per nuovi		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Pacchetto completo TO-3P-3	STFW1			MOSFET (ossido di metallo)		TO-3PF	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN						1050 V	1,4 A(Tc)	10 V	11 Ohm a 600 mA, 10 V	4,5 V a 50 µA	13 nC a 10 V	±30 V	180 pF a 100 V	-	20 W (Tc)
STD7NM64N	2.0700	Richiesta di offerta	2	STMicroelettronica	MDmesh™ II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD7			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN						640 V	5A (Tc)	10 V	1,05 Ohm a 2,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	14 nC a 10 V	±25 V	363 pF a 50 V	-	60 W (Tc)
STI15NM60ND	-	Richiesta di offerta	4117	STMicroelettronica	FDmesh™II	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STI15N			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN						600 V	14A (Tc)	10 V	299 mOhm a 7 A, 10 V	5 V a 250 µA	40 nC a 10 V	±25 V	1250 pF a 50 V	-	125 W (Tc)
STH200N10WF7-2	6.9100	Richiesta di offerta	4503	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB				MOSFET (ossido di metallo)		H2Pak-2	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN						100 V	180A(Tc)	10 V	4 mOhm a 90 A, 10 V	4,5 V a 250 µA	93 nC a 10 V	±20 V	4430 pF a 25 V	-	340 W(Tc)
STL16N1VH5	-	Richiesta di offerta	4539	STMicroelettronica	STRipFET™ V	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL16			MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (3,3x3,3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN						12 V	16A (Tc)	2,5 V, 4,5 V	3 mOhm a 8 A, 4,5 V	500 mV a 250 µA (min)	26,5 nC a 4,5 V	±8 V	2085 pF a 12 V	-	2 W (Ta), 50 W (Tc)