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Transistor(3861)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
2STW100	2.8800	Richiesta di offerta	260	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	2STW100				130 W	TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-11084-5	EAR99	8541.29.0095	30																					80 V	25A							500μA	NPN-Darlington	3,5 V a 80 mA, 20 A	500 a 10 A, 3 V	-
STF18N55M5	3.2100	Richiesta di offerta	142	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF18			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						550 V	16A (Tc)	10 V	192 mOhm a 8 A, 10 V	5 V a 250 µA	31 nC a 10 V	±25 V	1260 pF a 100 V	-	25 W (Tc)
STD2NK60Z-1	1.0400	Richiesta di offerta	3	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STD2N			MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN						600 V	1,4 A(Tc)	10 V	8 Ohm a 700 mA, 10 V	4,5 V a 50 µA	10 nC a 10 V	±30 V	170 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
BUL59	-	Richiesta di offerta	1703	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BUL59				90 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000																					400 V	8A							200μA	NPN	1,5 V a 1 A, 5 A	6 @ 5A, 5V	-
STW43NM60N	-	Richiesta di offerta	9252	STMicroelettronica	MDmesh™II	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW43N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						600 V	35A (Tc)	10 V	88 mOhm a 17,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	130 nC a 10 V	±30 V	4200 pF a 50 V	-	255 W(Tc)
STW77N65M5	17.7300	Richiesta di offerta	565	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW77			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						650 V	69A(Tc)	10 V	38 mOhm a 34,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	200 nC a 10 V	25 V	9800 pF a 100 V	-	400 W(Tc)
STGD5NB120SZ-1	-	Richiesta di offerta	4140	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STGD5	Standard			75 W	TO-251 (IPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75				960 V, 5 A, 1 kOhm, 15 V																-	1200 V	10A	10A	2 V a 15 V, 5 A	2,59 mJ (acceso), 9 mJ (spento)		690ns/12,1μs
STW13N60M2	-	Richiesta di offerta	1427	STMicroelettronica	MDmesh™ II Plus	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW13N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						600 V	11A(Tc)	10 V	380 mOhm a 5,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	17 nC a 10 V	±25 V	580 pF a 100 V	-	110 W (Tc)
STW50N65DM6	9.2200	Richiesta di offerta	8855	STMicroelettronica	MDmesh™DM6	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW50			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247 Cavi lunghi	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-STW50N65DM6	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						650 V	33A(Tc)	10 V	91 mOhm a 16,5 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	52,5 nC a 10 V	±25 V	52500 pF a 100 V	-	250 W(Tc)
SD2933-03	-	Richiesta di offerta	6460	STMicroelettronica	-	Vassoio	Obsoleto	125 V			M177	SD2933		30 MHz	MOSFET		M177	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25	CanaleN		40A		250 mA	300W	23,5dB											-										50 V
STGW35NC120HD	-	Richiesta di offerta	7005	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STGW35	Standard			235 W	TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30				960 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V															152 nn	-	1200 V	60A	135A	2,75 V a 15 V, 20 A	1,66 mJ (acceso), 4,44 mJ (spento)	110 nC	29ns/275ns
STP15N95K5	4.8100	Richiesta di offerta	9213	STMicroelettronica	SuperMESH5™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP15			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						950 V	12A (Tc)	10 V	500 mOhm a 6 A, 10 V	5 V a 100 µA	40 nC a 10 V	±30 V	900 pF a 100 V	-	170 W(Tc)
BD678	1.0600	Richiesta di offerta	1032	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-225AA, TO-126-3	BD678				40 W	SOT-32-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																					60 V	4A							500μA	PNP-Darlington	2,5 V a 30 mA, 1,5 A	750 a 1,5 A, 3 V	-
STD50N03L	-	Richiesta di offerta	8826	STMicroelettronica	STRipFET™ III	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD50N			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						30 V	40A (Tc)	5 V, 10 V	10,5 mOhm a 20 A, 10 V	1 V a 250 µA	14 nC a 5 V	±20 V	1434 pF a 25 V	-	60 W (Tc)
STL4P3LLH6	0,6200	Richiesta di offerta	4	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™ H6	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-PowerWDFN	STL4P3			MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (2x2)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-15510-2	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P						30 V	4A (Ta)	4,5 V, 10 V	56 mOhm a 2 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	6 nC a 4,5 V	±20 V	639 pF a 25 V	-	2,4 W(Ta)
STD8N80K5	2.6200	Richiesta di offerta	1928	STMicroelettronica	SuperMESH5™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD8N80			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						800 V	6A (Tc)	10 V	950 mOhm a 3 A, 10 V	5 V a 100 µA	16,5 nC a 10 V	±30 V	450 pF a 100 V	-	110 W (Tc)
STI18N65M2	2.7700	Richiesta di offerta	829	STMicroelettronica	MDmesh™ M2	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STI18			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						650 V	12A (Tc)	10 V	330 mOhm a 6 A, 10 V	4 V a 250 µA	20 nC a 10 V	±25 V	770 pF a 100 V	-	110 W (Tc)
RF5L051K5CB4	187.5000	Richiesta di offerta	8349	STMicroelettronica	-	Massa	Attivo	110 V		Montaggio su telaio	D4E	RF5L051K5		500 MHz	LDMOS		D4E	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-RF5L051K5CB4			100	-		1μA		200 mA	1500 W	22dB											-										50 V
PD57018S	-	Richiesta di offerta	4601	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto	65 V			Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10	PD57018		945 MHz	LDMOS		10-PowerSO	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			2,5 A		100 mA	18 W	16,5dB											-										28 V
STP120NH03L	-	Richiesta di offerta	2346	STMicroelettronica	STRipFET™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP120			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						30 V	60A (Tc)	5 V, 10 V	5,5 mOhm a 30 A, 10 V	3 V a 250 µA	77 nC a 10 V	±20 V	4100 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
STD16N60M2	2.0000	Richiesta di offerta	9521	STMicroelettronica	MDmesh™ M2	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD16			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						600 V	12A (Tc)	10 V	320 mOhm a 6 A, 10 V	4 V a 250 µA	19 nC a 10 V	±25 V	700 pF a 100 V	-	110 W (Tc)
STFI26NM60N	-	Richiesta di offerta	2529	STMicroelettronica	MDmesh™II	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Confezione completa, I²Pak	STFI26N			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAKFP (TO-281)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						600 V	20A (Tc)	10 V	165 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 250 µA	60 nC a 10 V	±25 V	1800 pF a 50 V	-	35 W (Tc)
STGB10NC60HDT4	1.8000	Richiesta di offerta	888	STMicroelettronica	PowerMESH™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STGB10	Standard			65 W	D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000				390 V, 5 A, 10 Ohm, 15 V															22 ns	-	600 V	20A	30A	2,5 V a 15 V, 5 A	31,8 µJ (acceso), 95 µJ (spento)	19,2 nC	14,2 n/72 n
LET9045TR	-	Richiesta di offerta	8770	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	80 V			Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10RF (2 conduttori formati)	LET9045		960 MHz	LDMOS		PowerSO-10RF (formato piombo)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	600			1μA		300 mA	45 W	18,5dB											-										28 V
STP3LN62K3	0,9800	Richiesta di offerta	964	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP3LN			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						620 V	2,5 A (TC)	10 V	3 Ohm a 1,25 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	17 nC a 10 V	±30 V	386 pF a 50 V	-	45 W (Tc)
STP140N4F6	-	Richiesta di offerta	8730	STMicroelettronica	STRipFET™ F6	Tubo	Attivo		-	Foro passante	TO-220-3	STP140			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						40 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	-	-		±20 V		-	168 W(Tc)
PD54008-E	14.7400	Richiesta di offerta	7042	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo	25 V			Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10	PD54008		500 MHz	LDMOS		10-PowerSO	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			5A		150 mA	8 W	11,5dB											-										7,5 V
STD6NM60N	-	Richiesta di offerta	3679	STMicroelettronica	MDmesh™II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD6N			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						600 V	4,6 A(Tc)	10 V	920 mOhm a 2,3 A, 10 V	4 V a 250 µA	13 nC a 10 V	±25 V	420 pF a 50 V	-	45 W (Tc)
STAC4933	113.3700	Richiesta di offerta	53	STMicroelettronica	-	Scatola	Obsoleto	200 V			STAC177B	STAC4933		30 MHz	MOSFET		STAC177B	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	25	CanaleN		40A		250 mA	300W	24dB											-										50 V
STF715	-	Richiesta di offerta	2581	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-	Montaggio superficiale	TO-243AA	STF715				1,4 W	SOT-89-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	2.500																					80 V	1,5 A							1mA	NPN	500 mV a 100 mA, 1 A	40 a 1 A, 2 V	50 MHz