Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Transistor(3861)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Condizione di prova	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
D44H11	1.1600	Richiesta di offerta	6179	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	D44H11			50 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50															80 V	10A						10 µA	NPN	1 V a 400 mA, 8 A	40 @ 4A, 1V	-
STU95N4F3	-	Richiesta di offerta	3599	STMicroelettronica	STRipFET™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STU95		MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75	CanaleN			40 V	80A (Tc)	10 V	6,5 mOhm a 40 A, 10 V	4 V a 250 µA	54 nC a 10 V	±20 V	2200 pF a 25 V	-	110 W (Tc)
STW47NM60ND	-	Richiesta di offerta	7922	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW47N		MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN			600 V	35A (Tc)	10 V	88 mOhm a 17,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±25 V	4200 pF a 50 V	-	255 W(Tc)
STB24N60DM2	3.2800	Richiesta di offerta	9906	STMicroelettronica	FDmesh™ II Plus	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB24		MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN			600 V	18A (Tc)	10 V	200 mOhm a 9 A, 10 V	5 V a 250 µA	29 nC a 10 V	±25 V	1055 pF a 100 V	-	150 W(Tc)
STLD257N4F7AG	2.1585	Richiesta di offerta	1715	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerWDFN	STLD257		MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (5x6) Doppio lato	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-STLD257N4F7AG	EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN			40 V	120A (Tc)	6,5 V, 10 V	1,1 mOhm a 60 A, 10 V	4 V a 250 µA	66,5 nC a 10 V	±20 V	5400 pF a 25 V	-	158 W(Tc)
STL12P6F6	1.1100	Richiesta di offerta	5	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™ VI	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN	STL12		MOSFET (ossido di metallo)		PowerFlat™ (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	Canale P			60 V	4A(Tc)	10 V	160 mOhm a 1,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	6,4 nC a 10 V	±20 V	340 pF a 48 V	-	75 W (Tc)
ST13009	1.8200	Richiesta di offerta	793	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	ST13009			100 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50															400 V	12A						-	NPN	2,5 V a 3 A, 12 A	10 a 8 A, 5 V	-
STF24NM65N	-	Richiesta di offerta	2416	STMicroelettronica	MDmesh™II	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF24		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN			650 V	19A(Tc)	10 V	190 mOhm a 9,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	70 nC a 10 V	±25 V	2500 pF a 50 V	-	40 W (Tc)
STB80NF55-06-1	-	Richiesta di offerta	9827	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STB80		MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN			55 V	80A (Tc)	10 V	6,5 mOhm a 40 A, 10 V	4 V a 250 µA	189 nC a 10 V	±20 V	4400 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
START499ETR	-	Richiesta di offerta	5053	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-82A, SOT-343	INIZIO499			600 mW	SOT-343	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO	0000.00.0000	3.000			15dB												4,5 V	600mA							NPN		160 a 160 mA, 4 V	1,9GHz	3,3 dB a 1,8 GHz
SUGGERIMENTO125	0,6700	Richiesta di offerta	3	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	SUGGERIMENTO125			2 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50															60 V	5A						500μA	PNP-Darlington	4 V a 20 mA, 5 A	1000 a 3 A, 3 V	-
STP8NM60N	-	Richiesta di offerta	2310	STMicroelettronica	MDmesh™II	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP8N		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN			600 V	7A(Tc)	10 V	650 mOhm a 3,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	19 nC a 10 V	±25 V	560 pF a 50 V	-	70 W (Tc)
STFI11N60M2-EP	-	Richiesta di offerta	3879	STMicroelettronica	MDmesh™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Confezione completa, I²Pak	STFI11N		MOSFET (ossido di metallo)		I2PAKFP (TO-281)	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500	CanaleN			600 V	7,5 A(Tc)	10 V	595 mOhm a 3,75 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	12,4 nC a 10 V	±25 V	390 pF a 100 V	-	25 W (Tc)
STB5NK50Z-1	-	Richiesta di offerta	9829	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STB5N		MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK (TO-262)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000	CanaleN			500 V	4,4 A(Tc)	10 V	1,5 Ohm a 2,2 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	28 nC a 10 V	±30 V	535 pF a 25 V	-	70 W (Tc)
STP6N95K5	2.5100	Richiesta di offerta	440	STMicroelettronica	SuperMESH5™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP6N95		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-12865-5	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN			950 V	9A (Tc)	10 V	1,25 Ohm a 3 A, 10 V	5 V a 100 µA	13 nC a 10 V	±30 V	450 pF a 100 V	-	90 W (Tc)
STP60NE06L-16	-	Richiesta di offerta	8465	STMicroelettronica	STRipFET™	Tubo	Obsoleto	175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP60N		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN			60 V	60A (Tc)	5 V, 10 V	14 mOhm a 30 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	70 nC a 5 V	±15 V	4150 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
STP8NM50FP	-	Richiesta di offerta	8816	STMicroelettronica	MDmesh™	Tubo	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STP8N		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN			550 V	8A (Tc)	10 V	800 mOhm a 2,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	13 nC a 10 V	±30 V	415 pF a 25 V	-	25 W (Tc)
STE60N105DK5	-	Richiesta di offerta	2229	STMicroelettronica	MDmesh™ DK5	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	ISOTOP	STE60		MOSFET (ossido di metallo)		ISOTOP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	100	CanaleN			1050 V	46A(Tc)	10 V	120 mOhm a 23 A, 10 V	5 V a 100 µA	204 nC a 10 V	±30 V	6675 pF a 100 V	-	680 W(Tc)
STD20P3H6AG	-	Richiesta di offerta	3087	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD20		MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	Canale P			30 V	20A (Tc)	10 V	50 mOhm a 10 A, 10 V	4 V a 250 µA	12,8 nC a 10 V	±20 V	635 pF a 25 V	-	40 W (Tc)
STGWA50IH65DF	4.7900	Richiesta di offerta	6567	STMicroelettronica	IH	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STGWA50	Standard		300 W	TO-247 Cavi lunghi	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-18498	EAR99	8541.29.0095	600		400 V, 50 A, 22 Ohm, 15 V												Sosta sul campo di trincea	650 V	100A	150A	2 V a 15 V, 50 A	284μJ (spento)	158 nC	-/260ns
STF22N60DM6	1.5867	Richiesta di offerta	4226	STMicroelettronica	MDmesh™ M6	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF22		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN			600 V	15A (Tc)	10 V	230 mOhm a 7,5 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	20 nC a 10 V	±25 V	800 pF a 100 V	-	30 W (Tc)
SUGGERIMENTO105	1.2700	Richiesta di offerta	3985	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	SUGGERIMENTO105			2 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50															60 V	8A						50 µA	PNP-Darlington	2,5 V a 80 mA, 8 A	2000 @ 3A, 4V	-
STW24N60M6	3.7300	Richiesta di offerta	7019	STMicroelettronica	MDmesh™ M6	Tubo	Attivo		Foro passante	TO-247-3	STW24		MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	600	CanaleN			600 V	17A(Tj)
BD534	-	Richiesta di offerta	4126	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BD534			50 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50															45 V	8A						100μA	PNP	800 mV a 600 mA, 6 A	25 @ 2A, 2V	-
STD2NK90Z-1	1.9700	Richiesta di offerta	2	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STD2		MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75	CanaleN			900 V	2,1 A(Tc)	10 V	6,5 Ohm a 1,05 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	27 nC a 10 V	±30 V	485 pF a 25 V	-	70 W (Tc)
2STA1943	2.9400	Richiesta di offerta	229	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	TO-264-3, TO-264AA	2STA			150 W	TO-264	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	25															230 V	15A						5 µA (ICBO)	PNP	3 V a 800 mA, 8 A	80 a 1 A, 5 V	30 MHz
STP3N80K5	1.5700	Richiesta di offerta	847	STMicroelettronica	SuperMESH5™	Tubo	Design non per nuovi	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP3N80		MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN			800 V	2,5 A (TC)	10 V	3,5 Ohm a 1 A, 10 V	5 V a 100 µA	9,5 nC a 10 V	±30 V	130 pF a 100 V	-	60 W (Tc)
STW78N65M5	18.9700	Richiesta di offerta	7566	STMicroelettronica	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ V	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW78		MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	CanaleN			650 V	69A(Tc)	10 V	32 mOhm a 34,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	203 nC a 10 V	±25 V	9000 pF a 100 V	-	450 W(Tc)
STB70NFS03LT4	-	Richiesta di offerta	6147	STMicroelettronica	STRipFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB70N		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	1026-STB70NFS03LT4	EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN			30 V	70A (Tc)	5 V, 10 V	9,5 mOhm a 35 A, 10 V	1 V a 250 µA	30 nC a 5 V	±18 V	1440 pF a 25 V	-	100 W (Tc)
STT4P3LLH6	0,6100	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™ H6	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6	STT4P3		MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	Canale P			30 V	4A (Ta)	4,5 V, 10 V	56 mOhm a 2 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	6 nC a 4,5 V	±20 V	639 pF a 25 V	-	1,6 W(Ta)