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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STW30NF20 | - | ![]() | 1037 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | STW30N | MOSFET (ossido di metallo) | TO-247-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-5989-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 200 V | 30A (Tc) | 10 V | 75 mOhm a 15 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 38 nC a 10 V | ±20 V | 1597 pF a 25 V | - | 125 W (Tc) | |||||||||
![]() | STW25NM60ND | - | ![]() | 5059 | 0.00000000 | STMicroelettronica | FDmesh™II | Tubo | Obsoleto | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | STW25N | MOSFET (ossido di metallo) | TO-247-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-8455-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 600 V | 21A(Tc) | 10 V | 160 mOhm a 10,5 A, 10 V | 5 V a 250 µA | 80 nC a 10 V | ±25 V | 2400 pF a 50 V | - | 160 W(Tc) | |||||||||
![]() | STW26NM50 | 11.2300 | ![]() | 578 | 0.00000000 | STMicroelettronica | MDmesh™ | Tubo | Design non per nuovi | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | STW26 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-247-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | CanaleN | 500 V | 30A (Tc) | 10 V | 120 mOhm a 13 A, 10 V | 5 V a 250 µA | 106 nC a 10 V | ±30 V | 3000 pF a 25 V | - | 313 W(Tc) | ||||||||||
![]() | STD90N02L-1 | - | ![]() | 1527 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ III | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA | STD90 | MOSFET (ossido di metallo) | I-PAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | CanaleN | 25 V | 60A (Tc) | 5 V, 10 V | 6 mOhm a 30 A, 10 V | 1,8 V a 250 µA | 22 nC a 5 V | ±20 V | 2050 pF a 16 V | - | 70 W (Tc) | ||||||||||
![]() | STS5P3LLH6 | 0,9800 | ![]() | 27 | 0.00000000 | STMicroelettronica | DeepGATE™, STripFET™ H6 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | STS5P3 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canale P | 30 V | 5A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 56 mOhm a 2,5 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 6 nC a 4,5 V | ±20 V | 639 pF a 25 V | - | 2,7 W(Ta) | ||||||||||
![]() | STB200N4F3 | - | ![]() | 9628 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | STB200N | MOSFET (ossido di metallo) | D2PAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 40 V | 120A (Tc) | 10 V | 4 mOhm a 80 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 75 nC a 10 V | ±20 V | 5100 pF a 25 V | - | 300 W(Tc) | ||||||||||
| STP80NF03L-04 | 3.7400 | ![]() | 140 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ II | Tubo | Obsoleto | 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | STP80 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 30 V | 80A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 4,5 mOhm a 40 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 110 nC a 4,5 V | ±20 V | 5500 pF a 25 V | - | 300 W(Tc) | |||||||||||
![]() | ULN2064B | 6.8000 | ![]() | 8430 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Tubo | Attivo | -20°C ~ 85°C (TA) | Foro passante | 16-PowerDIP (0,300", 7,62 mm) | ULN2064 | 1 W | 16-PowerDIP (20x7.10) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 50 V | 1,75 A | - | 4 NPN Darlington (quadruplo) | 1,4 V a 2 mA, 1,25 A | - | - | ||||||||||||||
![]() | STD150NH02LT4 | - | ![]() | 8166 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ III | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | STD15 | MOSFET (ossido di metallo) | DPAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 24 V | 150A (Tc) | 5 V, 10 V | 3,5 mOhm a 75 A, 10 V | 1,8 V a 250 µA | 93 nC a 10 V | ±20 V | 4450 pF a 15 V | - | 125 W (Tc) | ||||||||||
![]() | STDLED623 | - | ![]() | 9026 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | STDLED623 | MOSFET (ossido di metallo) | DPAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 620 V | 3A (Tc) | 10 V | 3,6 Ohm a 1,1 A, 10 V | 4,5 V a 50 µA | 15,5 nC a 10 V | ±30 V | 350 pF a 50 V | - | 45 W (Tc) | ||||||||||
![]() | STF6N65M2 | 1.6900 | ![]() | 300 | 0.00000000 | STMicroelettronica | MDmesh™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | STF6 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220FP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 650 V | 4A(Tc) | 10 V | 1,35 Ohm a 2 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 9,8 nC a 10 V | ±25 V | 226 pF a 100 V | - | 20 W (Tc) | ||||||||||
| BD537 | - | ![]() | 3883 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Tubo | Obsoleto | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | BD537 | 50 W | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 80 V | 8A | 100μA | NPN | 800 mV a 600 mA, 6 A | 15 a 2 A, 2 V | - | |||||||||||||||
| STP95N04 | - | ![]() | 2758 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | STP95 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-5132-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 40 V | 80A (Tc) | 10 V | 6,5 mOhm a 40 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 54 nC a 10 V | ±20 V | 2200 pF a 25 V | - | 110 W (Tc) | ||||||||||
![]() | STF9NK80Z | - | ![]() | 8251 | 0.00000000 | STMicroelettronica | SuperMESH™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | STF9 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220FP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 497-5108-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 800 V | 7,5 A(Tc) | 10 V | 1,2 Ohm a 3,75 A, 10 V | 4,5 V a 100 µA | 84 nC a 10 V | ±30 V | 1900 pF a 25 V | - | 35 W (Tc) | |||||||||
| STP15NM65N | - | ![]() | 9720 | 0.00000000 | STMicroelettronica | MDmesh™II | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | STP15N | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 650 V | 12A (Tc) | 10 V | 380 mOhm a 6 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 33,3 nC a 10 V | ±25 V | 983 pF a 50 V | - | 125 W (Tc) | |||||||||||
![]() | 2N3906 | - | ![]() | 3459 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Massa | Obsoleto | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 2N39 | 625 mW | TO-92 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.500 | 40 V | 200 mA | - | PNP | 400 mV a 5 mA, 50 mA | 100 a 10 mA, 1 V | 250 MHz | ||||||||||||||
| STP10N80K5 | 1.7574 | ![]() | 6104 | 0.00000000 | STMicroelettronica | MDmesh™ K5 | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | STP10 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 800 V | 9A (Tc) | 10 V | 600 mOhm a 4,5 A, 10 V | 5 V a 100 µA | 22 nC a 10 V | ±30 V | 635 pF a 100 V | - | 130 W(Tc) | ||||||||||||
| STP6NK60Z | 2.2700 | ![]() | 3208 | 0.00000000 | STMicroelettronica | SuperMESH™ | Tubo | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | STP6NK60 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 600 V | 6A (Tc) | 10 V | 1,2 Ohm a 3 A, 10 V | 4,5 V a 100 µA | 46 nC a 10 V | ±30 V | 905 pF a 25 V | - | 110 W (Tc) | |||||||||||
![]() | STH110N10F7-6 | - | ![]() | 5678 | 0.00000000 | STMicroelettronica | DeepGATE™, STripFET™VII | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta) | STH110 | MOSFET (ossido di metallo) | H2PAK-6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 100 V | 110A (Tc) | 10 V | 6,5 mOhm a 55 A, 10 V | 4,5 V a 250 µA | 72 nC a 10 V | ±20 V | 5117 pF a 50 V | - | 150 W(Tc) | ||||||||||
![]() | STP10NK60ZFP | 3.5400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | STMicroelettronica | SuperMESH™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | STP10 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220FP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 600 V | 10A (Tc) | 10 V | 750 mOhm a 4,5 A, 10 V | 4,5 V a 250 µA | 70 nC a 10 V | ±30 V | 1370 pF a 25 V | - | 35 W (Tc) | ||||||||||
![]() | STB24N60M2 | 2.9500 | ![]() | 7374 | 0.00000000 | STMicroelettronica | MDmesh™ II Plus | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | STB24 | MOSFET (ossido di metallo) | D²PAK (TO-263) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 600 V | 18A (Tc) | 10 V | 190 mOhm a 9 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 29 nC a 10 V | ±25 V | 1060 pF a 100 V | - | 150 W(Tc) | ||||||||||
![]() | STI14NM65N | - | ![]() | 9557 | 0.00000000 | STMicroelettronica | MDmesh™II | Tubo | Obsoleto | 150°C (TJ) | Foro passante | TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA | STI14N | MOSFET (ossido di metallo) | I2PAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 650 V | 12A (Tc) | 10 V | 380 mOhm a 6 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 45 nC a 10 V | ±25 V | 1300 pF a 50 V | - | 125 W (Tc) | ||||||||||
![]() | STU7NF25 | 1.6000 | ![]() | 5902 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ II | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA | STU7NF25 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-251 (IPAK) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | CanaleN | 250 V | 8A (Tc) | 10 V | 420 mOhm a 4 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 16 nC a 10 V | ±20 V | 500 pF a 25 V | - | 72 W (Tc) | ||||||||||
![]() | STW68N65DM6 | 7.7157 | ![]() | 5334 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-247-3 | STW68 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-247-3 | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 497-STW68N65DM6 | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | CanaleN | 650 V | 55A (Tc) | 10 V | 59 mOhm a 24 A, 10 V | 4,75 V a 250 µA | 80 nC a 10 V | ±25 V | 3528 pF a 100 V | - | 431W(Tc) | ||||||||||
![]() | STP9NK60ZFP | 1.6300 | ![]() | 4682 | 0.00000000 | STMicroelettronica | SuperMESH™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | STP9NK60 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220FP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-5983-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 600 V | 7A(Tc) | 10 V | 950 mOhm a 3,5 A, 10 V | 4,5 V a 100 µA | 53 nC a 10 V | ±30 V | 1110 pF a 25 V | - | 30 W (Tc) | |||||||||
![]() | STL7N6F7 | 0,7300 | ![]() | 9097 | 0.00000000 | STMicroelettronica | STRipFET™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-PowerWDFN | STL7 | MOSFET (ossido di metallo) | PowerFlat™ (2x2) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 60 V | 7A(Tc) | 10 V | 25 mOhm a 3,5 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 8 nC a 10 V | ±20 V | 450 pF a 25 V | - | 2,4 W(Ta) | ||||||||||
![]() | STD7NM60N | 2.1700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | STMicroelettronica | MDmesh™II | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | STD7NM60 | MOSFET (ossido di metallo) | DPAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 600 V | 5A (Tc) | 10 V | 900 mOhm a 2,5 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 14 nC a 10 V | ±25 V | 363 pF a 50 V | - | 45 W (Tc) | ||||||||||
![]() | STD10NM50N | - | ![]() | 1757 | 0.00000000 | STMicroelettronica | MDmesh™II | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | STD10 | MOSFET (ossido di metallo) | DPAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 500 V | 7A(Tc) | 10 V | 630 mOhm a 3,5 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 17 nC a 10 V | ±25 V | 450 pF a 50 V | - | 70 W (Tc) | ||||||||||
![]() | STF12N65M2 | 1.9400 | ![]() | 886 | 0.00000000 | STMicroelettronica | MDmesh™ M2 | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | STF12 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220FP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-15531-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 650 V | 8A (Tc) | 10 V | 500 mOhm a 4 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 16,5 nC a 10 V | ±25 V | 535 pF a 100 V | - | 25 W (Tc) | |||||||||
![]() | STU95N3LLH6 | - | ![]() | 2982 | 0.00000000 | STMicroelettronica | DeepGATE™, STripFET™ VI | Tubo | Obsoleto | 175°C (TJ) | Foro passante | TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA | STU95 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-251 (IPAK) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | CanaleN | 30 V | 80A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 4,7 mOhm a 40 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 20 nC a 4,5 V | ±25 V | 2200 pF a 25 V | - | 70 W (Tc) |

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