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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione
STW30NF20 STMicroelectronics STW30NF20 -
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ECAD 1037 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STW30N MOSFET (ossido di metallo) TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-5989-5 EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 200 V 30A (Tc) 10 V 75 mOhm a 15 A, 10 V 4 V a 250 µA 38 nC a 10 V ±20 V 1597 pF a 25 V - 125 W (Tc)
STW25NM60ND STMicroelectronics STW25NM60ND -
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ECAD 5059 0.00000000 STMicroelettronica FDmesh™II Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STW25N MOSFET (ossido di metallo) TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-8455-5 EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 600 V 21A(Tc) 10 V 160 mOhm a 10,5 A, 10 V 5 V a 250 µA 80 nC a 10 V ±25 V 2400 pF a 50 V - 160 W(Tc)
STW26NM50 STMicroelectronics STW26NM50 11.2300
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ECAD 578 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ Tubo Design non per nuovi 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STW26 MOSFET (ossido di metallo) TO-247-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 500 V 30A (Tc) 10 V 120 mOhm a 13 A, 10 V 5 V a 250 µA 106 nC a 10 V ±30 V 3000 pF a 25 V - 313 W(Tc)
STD90N02L-1 STMicroelectronics STD90N02L-1 -
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ECAD 1527 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ III Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA STD90 MOSFET (ossido di metallo) I-PAK scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 75 CanaleN 25 V 60A (Tc) 5 V, 10 V 6 mOhm a 30 A, 10 V 1,8 V a 250 µA 22 nC a 5 V ±20 V 2050 pF a 16 V - 70 W (Tc)
STS5P3LLH6 STMicroelectronics STS5P3LLH6 0,9800
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ECAD 27 0.00000000 STMicroelettronica DeepGATE™, STripFET™ H6 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) STS5P3 MOSFET (ossido di metallo) 8-SOIC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 Canale P 30 V 5A (Ta) 4,5 V, 10 V 56 mOhm a 2,5 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 6 nC a 4,5 V ±20 V 639 pF a 25 V - 2,7 W(Ta)
STB200N4F3 STMicroelectronics STB200N4F3 -
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ECAD 9628 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB STB200N MOSFET (ossido di metallo) D2PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 40 V 120A (Tc) 10 V 4 mOhm a 80 A, 10 V 4 V a 250 µA 75 nC a 10 V ±20 V 5100 pF a 25 V - 300 W(Tc)
STP80NF03L-04 STMicroelectronics STP80NF03L-04 3.7400
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ECAD 140 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ II Tubo Obsoleto 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP80 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 30 V 80A (Tc) 4,5 V, 10 V 4,5 mOhm a 40 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 110 nC a 4,5 V ±20 V 5500 pF a 25 V - 300 W(Tc)
ULN2064B STMicroelectronics ULN2064B 6.8000
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ECAD 8430 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Attivo -20°C ~ 85°C (TA) Foro passante 16-PowerDIP (0,300", 7,62 mm) ULN2064 1 W 16-PowerDIP (20x7.10) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 25 50 V 1,75 A - 4 NPN Darlington (quadruplo) 1,4 V a 2 mA, 1,25 A - -
STD150NH02LT4 STMicroelectronics STD150NH02LT4 -
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ECAD 8166 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ III Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 STD15 MOSFET (ossido di metallo) DPAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 24 V 150A (Tc) 5 V, 10 V 3,5 mOhm a 75 A, 10 V 1,8 V a 250 µA 93 nC a 10 V ±20 V 4450 pF a 15 V - 125 W (Tc)
STDLED623 STMicroelectronics STDLED623 -
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ECAD 9026 0.00000000 STMicroelettronica - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 STDLED623 MOSFET (ossido di metallo) DPAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 620 V 3A (Tc) 10 V 3,6 Ohm a 1,1 A, 10 V 4,5 V a 50 µA 15,5 nC a 10 V ±30 V 350 pF a 50 V - 45 W (Tc)
STF6N65M2 STMicroelectronics STF6N65M2 1.6900
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ECAD 300 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF6 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 650 V 4A(Tc) 10 V 1,35 Ohm a 2 A, 10 V 4 V a 250 µA 9,8 nC a 10 V ±25 V 226 pF a 100 V - 20 W (Tc)
BD537 STMicroelectronics BD537 -
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ECAD 3883 0.00000000 STMicroelettronica - Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 BD537 50 W TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 80 V 8A 100μA NPN 800 mV a 600 mA, 6 A 15 a 2 A, 2 V -
STP95N04 STMicroelectronics STP95N04 -
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ECAD 2758 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP95 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-5132-5 EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 40 V 80A (Tc) 10 V 6,5 mOhm a 40 A, 10 V 4 V a 250 µA 54 nC a 10 V ±20 V 2200 pF a 25 V - 110 W (Tc)
STF9NK80Z STMicroelectronics STF9NK80Z -
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ECAD 8251 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF9 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP - Conformità ROHS3 3 (168 ore) REACH Inalterato 497-5108-5 EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 800 V 7,5 A(Tc) 10 V 1,2 Ohm a 3,75 A, 10 V 4,5 V a 100 µA 84 nC a 10 V ±30 V 1900 pF a 25 V - 35 W (Tc)
STP15NM65N STMicroelectronics STP15NM65N -
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ECAD 9720 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™II Tubo Obsoleto -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP15N MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 650 V 12A (Tc) 10 V 380 mOhm a 6 A, 10 V 4 V a 250 µA 33,3 nC a 10 V ±25 V 983 pF a 50 V - 125 W (Tc)
2N3906 STMicroelectronics 2N3906 -
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ECAD 3459 0.00000000 STMicroelettronica - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N39 625 mW TO-92 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 2.500 40 V 200 mA - PNP 400 mV a 5 mA, 50 mA 100 a 10 mA, 1 V 250 MHz
STP10N80K5 STMicroelectronics STP10N80K5 1.7574
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ECAD 6104 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ K5 Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP10 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 800 V 9A (Tc) 10 V 600 mOhm a 4,5 A, 10 V 5 V a 100 µA 22 nC a 10 V ±30 V 635 pF a 100 V - 130 W(Tc)
STP6NK60Z STMicroelectronics STP6NK60Z 2.2700
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ECAD 3208 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH™ Tubo Design non per nuovi -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 STP6NK60 MOSFET (ossido di metallo) TO-220 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 600 V 6A (Tc) 10 V 1,2 Ohm a 3 A, 10 V 4,5 V a 100 µA 46 nC a 10 V ±30 V 905 pF a 25 V - 110 W (Tc)
STH110N10F7-6 STMicroelectronics STH110N10F7-6 -
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ECAD 5678 0.00000000 STMicroelettronica DeepGATE™, STripFET™VII Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta) STH110 MOSFET (ossido di metallo) H2PAK-6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 100 V 110A (Tc) 10 V 6,5 mOhm a 55 A, 10 V 4,5 V a 250 µA 72 nC a 10 V ±20 V 5117 pF a 50 V - 150 W(Tc)
STP10NK60ZFP STMicroelectronics STP10NK60ZFP 3.5400
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ECAD 1 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STP10 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 600 V 10A (Tc) 10 V 750 mOhm a 4,5 A, 10 V 4,5 V a 250 µA 70 nC a 10 V ±30 V 1370 pF a 25 V - 35 W (Tc)
STB24N60M2 STMicroelectronics STB24N60M2 2.9500
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ECAD 7374 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ II Plus Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB STB24 MOSFET (ossido di metallo) D²PAK (TO-263) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 600 V 18A (Tc) 10 V 190 mOhm a 9 A, 10 V 4 V a 250 µA 29 nC a 10 V ±25 V 1060 pF a 100 V - 150 W(Tc)
STI14NM65N STMicroelectronics STI14NM65N -
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ECAD 9557 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™II Tubo Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA STI14N MOSFET (ossido di metallo) I2PAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 650 V 12A (Tc) 10 V 380 mOhm a 6 A, 10 V 4 V a 250 µA 45 nC a 10 V ±25 V 1300 pF a 50 V - 125 W (Tc)
STU7NF25 STMicroelectronics STU7NF25 1.6000
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ECAD 5902 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ II Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA STU7NF25 MOSFET (ossido di metallo) TO-251 (IPAK) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 75 CanaleN 250 V 8A (Tc) 10 V 420 mOhm a 4 A, 10 V 4 V a 250 µA 16 nC a 10 V ±20 V 500 pF a 25 V - 72 W (Tc)
STW68N65DM6 STMicroelectronics STW68N65DM6 7.7157
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ECAD 5334 0.00000000 STMicroelettronica - Massa Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 STW68 MOSFET (ossido di metallo) TO-247-3 - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 497-STW68N65DM6 EAR99 8541.29.0095 600 CanaleN 650 V 55A (Tc) 10 V 59 mOhm a 24 A, 10 V 4,75 V a 250 µA 80 nC a 10 V ±25 V 3528 pF a 100 V - 431W(Tc)
STP9NK60ZFP STMicroelectronics STP9NK60ZFP 1.6300
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ECAD 4682 0.00000000 STMicroelettronica SuperMESH™ Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STP9NK60 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-5983-5 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 600 V 7A(Tc) 10 V 950 mOhm a 3,5 A, 10 V 4,5 V a 100 µA 53 nC a 10 V ±30 V 1110 pF a 25 V - 30 W (Tc)
STL7N6F7 STMicroelectronics STL7N6F7 0,7300
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ECAD 9097 0.00000000 STMicroelettronica STRipFET™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-PowerWDFN STL7 MOSFET (ossido di metallo) PowerFlat™ (2x2) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 60 V 7A(Tc) 10 V 25 mOhm a 3,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 8 nC a 10 V ±20 V 450 pF a 25 V - 2,4 W(Ta)
STD7NM60N STMicroelectronics STD7NM60N 2.1700
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ECAD 2 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™II Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 STD7NM60 MOSFET (ossido di metallo) DPAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 600 V 5A (Tc) 10 V 900 mOhm a 2,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 14 nC a 10 V ±25 V 363 pF a 50 V - 45 W (Tc)
STD10NM50N STMicroelectronics STD10NM50N -
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ECAD 1757 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™II Nastro e bobina (TR) Obsoleto 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 STD10 MOSFET (ossido di metallo) DPAK scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 500 V 7A(Tc) 10 V 630 mOhm a 3,5 A, 10 V 4 V a 250 µA 17 nC a 10 V ±25 V 450 pF a 50 V - 70 W (Tc)
STF12N65M2 STMicroelectronics STF12N65M2 1.9400
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ECAD 886 0.00000000 STMicroelettronica MDmesh™ M2 Tubo Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante TO-220-3 Pacchetto completo STF12 MOSFET (ossido di metallo) TO-220FP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 497-15531-5 EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 650 V 8A (Tc) 10 V 500 mOhm a 4 A, 10 V 4 V a 250 µA 16,5 nC a 10 V ±25 V 535 pF a 100 V - 25 W (Tc)
STU95N3LLH6 STMicroelectronics STU95N3LLH6 -
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ECAD 2982 0.00000000 STMicroelettronica DeepGATE™, STripFET™ VI Tubo Obsoleto 175°C (TJ) Foro passante TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA STU95 MOSFET (ossido di metallo) TO-251 (IPAK) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 75 CanaleN 30 V 80A (Tc) 4,5 V, 10 V 4,7 mOhm a 40 A, 10 V 2,5 V a 250 µA 20 nC a 4,5 V ±25 V 2200 pF a 25 V - 70 W (Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock