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Transistor(13833)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
BFR360L3E6327	-	Richiesta di offerta	2648	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-101, SOT-883	360 BFR			210 mW	PG-TSLP-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	15.000				11,5dB~16dB													9V	35mA							NPN		90 a 15 mA, 3 V	14GHz	1 dB ~ 1,3 dB a 1,8 GHz ~ 3 GHz
IRF7103PBF	-	Richiesta di offerta	9067	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	IRF71		MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	95	2 canali N (doppio)				50 V	3A		130 mOhm a 3 A, 10 V	3 V a 250 µA	30nC a 10V		290 pF a 25 V	-
IRLR8113PBF	-	Richiesta di offerta	7931	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001576962	EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN			30 V	94A(Tc)	4,5 V, 10 V	6 mOhm a 15 A, 10 V	2,25 V a 250 µA	32 nC a 4,5 V	±20 V	2920 pF a 15 V	-	89 W(Tc)
IRG4BC20K-SPBF	-	Richiesta di offerta	9492	Tecnologie Infineon	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		Standard		60 W	D2PAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001549338	EAR99	8541.29.0095	50			480 V, 9 A, 50 Ohm, 15 V													-	600 V	16A	32A	2,8 V a 15 V, 9 A	150μJ (acceso), 250μJ (spento)	34 nC	28ns/150ns
IPU09N03LBG	-	Richiesta di offerta	7354	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	IPU09N		MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO251-3-21	scaricamento		3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN			30 V	50A (Tc)	4,5 V, 10 V	9,3 mOhm a 50 A, 10 V	2 V a 20 µA	13 nC a 5 V	±20 V	1600 pF a 15 V	-	58 W (Tc)
IPP041N12N3GXKSA1	6.3900	Richiesta di offerta	16	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP041		MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			120 V	120A (Tc)	10 V	4,1 mOhm a 100 A, 10 V	4 V a 270 µA	211 nC a 10 V	±20 V	13.800 pF a 60 V	-	300 W(Tc)
AUIRFS4010-7TRL	4.4141	Richiesta di offerta	4085	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-7, D²Pak (6 derivazioni + linguetta)			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK (7 conduttori)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001518838	EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN			100 V	190A(Tc)		4 mOhm a 110 A, 10 V	4 V a 250 µA	230 nC a 10 V		9830 pF a 50 V	-	380 W(Tc)
IRF1404ZSTRR	-	Richiesta di offerta	6752	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN			40 V	180A(Tc)	10 V	3,7 mOhm a 75 A, 10 V	4 V a 250 µA	150 nC a 10 V	±20 V	4340 pF a 25 V	-	220 W (Tc)
IRFSL4510PBF	-	Richiesta di offerta	1214	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (ossido di metallo)		TO-262	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN			100 V	61A(Tc)	10 V	13,9 mOhm a 37 A, 10 V	4 V a 100 µA	87 nC a 10 V	±20 V	3180 pF a 50 V	-	140 W(Tc)
IRL2505SPBF	-	Richiesta di offerta	9249	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			55 V	104A(Tc)	4 V, 10 V	8 mOhm a 54 A, 10 V	2 V a 250 µA	130 nC a 5 V	±16V	5000 pF a 25 V	-	3,8 W (Ta), 200 W (Tc)
IRF9410	-	Richiesta di offerta	7452	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)			MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	*IRF9410	EAR99	8541.29.0095	95		CanaleN			30 V	7A (Ta)	4,5 V, 10 V	30 mOhm a 7 A, 10 V	1 V a 250 µA	27 nC a 10 V	±20 V	550 pF a 25 V	-	2,5 W(Ta)
IPP60R600CPXKSA1	-	Richiesta di offerta	3140	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP60R		MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO220-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN			600 V	6,1 A(Tc)	10 V	600 mOhm a 3,3 A, 10 V	3,5 V a 220 µA	27 nC a 10 V	±20 V	550 pF a 100 V	-	60 W (Tc)
SN7002NE6327	-	Richiesta di offerta	4665	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			MOSFET (ossido di metallo)		PG-SOT23-3-5	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN			60 V	200mA (Ta)	4,5 V, 10 V	5 Ohm a 500 mA, 10 V	1,8 V a 26 µA	1,5 nC a 10 V	±20 V	45 pF a 25 V	-	360 mW(Ta)
IKD15N60RC2ATMA1	1.6200	Richiesta di offerta	4	Tecnologie Infineon	TrenchStop™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IKD15N60	Standard		115,4 W	PG-TO252-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500			400 V, 15 A, 49 Ohm, 15 V												129 nn	Sosta sul campo di trincea	600 V	28A	45A	2,3 V a 15 V, 15 A	570μJ (acceso), 350μJ (spento)	72 nC	18ns/374ns
BSP52H6327XTSA1	0,2819	Richiesta di offerta	1667	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BSP52			1,5 W	PG-SOT223-4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000																	80 V	1A						10 µA	NPN-Darlington	1,8 V a 1 mA, 1 A	2000 a 500 mA, 10 V	200 MHz
IRLR7821CTRRPBF	-	Richiesta di offerta	2428	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN			30 V	65A (Tc)	4,5 V, 10 V	10 mOhm a 15 A, 10 V	1 V a 250 µA	14 nC a 4,5 V	±20 V	1030 pF a 15 V	-	75 W (Tc)
IPB47N10SL26ATMA1	-	Richiesta di offerta	2155	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB47N		MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO263-3-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN			100 V	47A(Tc)	4,5 V, 10 V	26 mOhm a 33 A, 10 V	2 V a 2 mA	135 nC a 10 V	±20 V	2500 pF a 25 V	-	175 W(Tc)
IPP60R210CFD7XKSA1	3.2700	Richiesta di offerta	500	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ CFD7	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP60R210		MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			600 V	12A (Tc)	10 V	210 mOhm a 4,9 A, 10 V	4,5 V a 240 µA	23 nC a 10 V	±20 V	1015 pF a 400 V	-	64 W (Tc)
IPA50R380CE	-	Richiesta di offerta	4249	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	IPA50R		MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO220-FP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN			500 V	9,9 A(Tc)	13V	380 mOhm a 3,2 A, 13 V	3,5 V a 260 µA	24,8 nC a 10 V	±20 V	584 pF a 100 V	-	29,2 W(Tc)
SPB17N80C3ATMA1	5.2000	Richiesta di offerta	9248	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	SPB17N80		MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO263-3-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN			800 V	17A(Tc)	10 V	290 mOhm a 11 A, 10 V	3,9 V a 1 mA	177 nC a 10 V	±20 V	2300 pF a 100 V	-	227 W(Tc)
IRLR7807ZTRRPBF	-	Richiesta di offerta	7573	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63			MOSFET (ossido di metallo)		D-Pak	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN			30 V	43A(Tc)	4,5 V, 10 V	13,8 mOhm a 15 A, 10 V	2,25 V a 250 µA	11 nC a 4,5 V	±20 V	780 pF a 15 V	-	40 W (Tc)
BSO612CV	-	Richiesta di offerta	9794	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	BSO612		MOSFET (ossido di metallo)	2 W	PG-DSO-8	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	Canali N e P				60 V	3A, 2A		120 mOhm a 3 A, 10 V	4 V a 20 µA	15,5 nC a 10 V		340 pF a 25 V	-
BSC005N03LS5ATMA1	2.6400	Richiesta di offerta	9	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TDSON-8 FL	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN			30 V	42A (Ta), 433A (Tc)	4,5 V, 10 V	0,55 mOhm a 50 A, 10 V	2 V a 250 µA	122 nC a 10 V	±20 V	8900 pF a 15 V	-	3 W (Ta), 188 W (Tc)
IRLHS2242TRPBF	0,5900	Richiesta di offerta	22	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-PowerVDFN	IRLHS2242		MOSFET (ossido di metallo)		6-PQFN (2x2)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		Canale P			20 V	7,2 A (Ta), 15 A (Tc)	2,5 V, 4,5 V	31 mOhm a 8,5 A, 4,5 V	1,1 V a 10 µA	12 nC a 10 V	±12V	877 pF a 10 V	-	2,1 W (Ta), 9,6 W (Tc)
IPP80N06S407AKSA1	-	Richiesta di offerta	7039	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Tubo	Interrotto alla SIC	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	IPP80N		MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO220-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN			60 V	80A (Tc)	10 V	7,4 mOhm a 80 A, 10 V	4 V a 40 µA	56 nC a 10 V	±20 V	4500 pF a 25 V	-	79 W(Tc)
IRF3708STRR	-	Richiesta di offerta	4471	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN			30 V	62A(Tc)	2,8 V, 10 V	12 mOhm a 15 A, 10 V	2 V a 250 µA	24 nC a 4,5 V	±12V	2417 pF a 15 V	-	87 W(Tc)
IRF7413ZTRPBF	0,9100	Richiesta di offerta	6	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	IRF7413		MOSFET (ossido di metallo)		8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		CanaleN			30 V	13A (Ta)	4,5 V, 10 V	10 mOhm a 13 A, 10 V	2,25 V a 25 µA	14 nC a 4,5 V	±20 V	1210 pF a 15 V	-	2,5 W(Ta)
IRFH7934TR2PBF	-	Richiesta di offerta	2412	Tecnologie Infineon	-	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto		Montaggio superficiale	8-PowerTDFN			MOSFET (ossido di metallo)		8-PQFN (5x6)	scaricamento		2 (1 anno)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	400		CanaleN			30 V	24A (Ta), 76A (Tc)		3,5 mOhm a 24 A, 10 V	2,35 V a 50 µA	30 nC a 4,5 V		3100 pF a 15 V	-
IRFS4620TRLPBF	2.4900	Richiesta di offerta	32	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IRFS4620		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN			200 V	24A (Tc)	10 V	77,5 mOhm a 15 A, 10 V	5 V a 100 µA	38 nC a 10 V	±20 V	1710 pF a 50 V	-	144 W(Tc)
IPB260N06N3G	-	Richiesta di offerta	9984	Tecnologie Infineon	OptiMOS™3	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB			MOSFET (ossido di metallo)		PG-TO263-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			60 V	27A(Tc)	10 V	25,7 mOhm a 27 A, 10 V	4 V a 11 µA	15 nC a 10 V	±20 V	1200 pF a 30 V	-	36 W (Tc)