Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Transistor(13833)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
BC857BWE6327BTSA1	-	Richiesta di offerta	2071	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	BC857				250 mW		PG-SOT323	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																					45 V	100 mA							15nA (ICBO)			PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	220 a 2 mA, 5 V	250 MHz
BSM75GD120DLCBOSA1	334.6000	Richiesta di offerta	3760	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Design non per nuovi		-40°C ~ 125°C	Montaggio su telaio	Modulo	BSM75GD120				500 W	Standard	Modulo	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	10	Ponte completo																			-	1200 V	125A		2,6 V a 15 V, 75 A					92 µA	NO	5,1 nF a 25 V
IPD50R380CEATMA1	-	Richiesta di offerta	3896	Tecnologie Infineon	CoolMOS™ CE	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD50R			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3	scaricamento		3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						500 V	14.1A (Tc)	13V	380 mOhm a 3,2 A, 13 V	3,5 V a 260 µA	24,8 nC a 10 V	±20 V	584 pF a 100 V	-	98 W (Tc)
IRF7834PBF	-	Richiesta di offerta	3599	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Interrotto alla SIC		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)				MOSFET (ossido di metallo)			8-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001565546	EAR99	8541.29.0095	95		CanaleN						30 V	19A (Ta)	4,5 V, 10 V	4,5 mOhm a 19 A, 10 V	2,25 V a 250 µA	44 nC a 4,5 V	±20 V	3710 pF a 15 V	-	2,5 W(Ta)
IRG4BC20SD-SPBF	-	Richiesta di offerta	9229	Tecnologie Infineon	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		Standard			60 W		D2PAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50				480 V, 10 A, 50 Ohm, 15 V															37 nn	-	600 V	19A	38A	1,6 V a 15 V, 10 A	320 µJ (acceso), 2,58 mJ (spento)	27 nC	62ns/690ns
IRF7807D1TRPBF	-	Richiesta di offerta	6177	Tecnologie Infineon	FETKY™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)				MOSFET (ossido di metallo)			8-SO	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		CanaleN						30 V	8,3A(Ta)	4,5 V	25 mOhm a 7 A, 4,5 V	1 V a 250 µA	17 nC a 5 V	±12V		Diodo Schottky (isolato)	2,5 W(Ta)
IPT210N25NFDATMA1	10.1200	Richiesta di offerta	9642	Tecnologie Infineon	OptiMOS™3	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerSFN	IPT210			MOSFET (ossido di metallo)			PG-HSOF-8-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN						250 V	69A(Tc)	10 V	21 mOhm a 69 A, 10 V	4 V a 267 µA	86 nC a 10 V	±20 V	7000 pF a 125 V	-	375 W(Tc)
IRFU3911PBF	-	Richiesta di offerta	2930	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA				MOSFET (ossido di metallo)			IPAK (TO-251AA)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	*IRFU3911PBF	EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN						100 V	14A (Tc)	10 V	115 mOhm a 8,4 A, 10 V	4 V a 250 µA	32 nC a 10 V	±20 V	740 pF a 25 V	-	56 W (Tc)
IKWH30N65WR6XKSA1	3.4300	Richiesta di offerta	4	Tecnologie Infineon	Trenchstop™ 5	Tubo	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IKWH30N	Standard			136 W		PG-TO247-3-32	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30				-																Sosta sul campo di trincea	650 V	67A	90A	1,75 V a 15 V, 30 A	-	97 nC	-
BSP316PE6327T	-	Richiesta di offerta	6406	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA				MOSFET (ossido di metallo)			PG-SOT223-4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		Canale P						100 V	680mA(Ta)	4,5 V, 10 V	1,8 Ohm a 680 mA, 10 V	2 V a 170 µA	6,4 nC a 10 V	±20 V	146 pF a 25 V	-	1,8 W (Ta)
IPD50R520CPATMA1	-	Richiesta di offerta	6587	Tecnologie Infineon	CoolMOS™CP	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD50R520			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3-313	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001117706	EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						500 V	7,1A(Tc)	10 V	520 mOhm a 3,8 A, 10 V	3,5 V a 250 µA	17 nC a 10 V	±20 V	680 pF a 100 V	-	66 W (Tc)
IRFHM8326TRPBF	-	Richiesta di offerta	8800	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	IRFHM8326			MOSFET (ossido di metallo)				scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	4.000		CanaleN						30 V	19A (Ta)	4,5 V, 10 V	4,7 mOhm a 20 A, 10 V	2,2 V a 50 µA	39 nC a 10 V	±20 V	2496 pF a 10 V	-	2,8 W (Ta), 37 W (Tc)
IRG5U75HH06E	-	Richiesta di offerta	9280	Tecnologie Infineon	-	Scatola	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo POWIR ECO 2™	IRG5U75				330 W	Standard	POWIRECO2™	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	14	Invertitore a ponte intero																			-	600 V	100A		2,9 V a 15 V, 75 A					1 mA	SÌ	4,3 nF a 25 V
SPA11N60C3IN	-	Richiesta di offerta	9196	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Interrotto alla SIC		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	SPA11N			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO220-3-31	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						650 V	11A(Tc)	10 V	380 mOhm a 7 A, 10 V	3,9 V a 500 µA	60 nC a 10 V	±20 V	1200 pF a 25 V	-	33 W (Tc)
BFP540E6327BTSA1	-	Richiesta di offerta	9855	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-82A, SOT-343	BFP540				250 mW		PG-SOT343-3D	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000							21,5dB														5 V	80 mA										NPN		50 a 20 mA, 3,5 V	30GHz	0,9 dB ~ 1,4 dB a 1,8 GHz
IRFU5410PBF	1.1000	Richiesta di offerta	2	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Design non per nuovi		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	IRFU5410			MOSFET (ossido di metallo)			IPAK (TO-251AA)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		Canale P						100 V	13A (Tc)	10 V	205 mOhm a 7,8 A, 10 V	4 V a 250 µA	58 nC a 10 V	±20 V	760 pF a 25 V	-	66 W (Tc)
IRFR3706PBF	-	Richiesta di offerta	1172	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63				MOSFET (ossido di metallo)			D-Pak	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SP001555072	EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN						20 V	75A (Tc)	2,8 V, 10 V	9 mOhm a 15 A, 10 V	2 V a 250 µA	35 nC a 4,5 V	±12V	2410 pF a 10 V	-	88 W (Tc)
IPW60R160C6FKSA1	5.5200	Richiesta di offerta	1846	Tecnologie Infineon	CoolMOS™	Tubo	Design non per nuovi		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	IPW60R160			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO247-3-1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						600 V	23,8 A(Tc)	10 V	160 mOhm a 11,3 A, 10 V	3,5 V a 750 µA	75 nC a 10 V	±20 V	1660 pF a 100 V	-	176 W(Tc)
aC 817-40 E6327	-	Richiesta di offerta	4103	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	817 d.C				330 mW		PG-SOT23	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																					45 V	500 mA							100nA (ICBO)			NPN	700mV a 50mA, 500mA	250 a 100 mA, 1 V	170 MHz
SPB08P06PGATMA1	-	Richiesta di offerta	2848	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	SPB08P			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		Canale P						60 V	8,8A(Ta)	10 V	300 mOhm a 6,2 A, 10 V	4 V a 250 µA	13 nC a 10 V	±20 V	420 pF a 25 V	-	42 W (Tc)
IRF7103Q	-	Richiesta di offerta	3804	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	IRF71			MOSFET (ossido di metallo)	2,4 W		8-SO	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	95	2 canali N (doppio)							50 V	3A		130 mOhm a 3 A, 10 V	3 V a 250 µA	15nC a 10V		255 pF a 25 V	-
IPB70N10SL16ATMA1	-	Richiesta di offerta	6151	Tecnologie Infineon	SIPMOS®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	IPB70N10			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO263-3-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						100 V	70A (Tc)	4,5 V, 10 V	16 mOhm a 50 A, 10 V	2 V a 2 mA	240 nC a 10 V	±20 V	4540 pF a 25 V	-	250 W(Tc)
PTFA192401EV4R250FTMA1	-	Richiesta di offerta	6936	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	65 V		Montaggio su telaio	H-36260-2	PTFA192401		1,96GHz	LDMOS			H-36260-2	scaricamento		3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	250			10 µA		1,6 A	50 W	16dB											-										30 V
IRL3715ZSTRLPBF	-	Richiesta di offerta	5588	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB				MOSFET (ossido di metallo)			D2PAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN						20 V	50A (Tc)	4,5 V, 10 V	11 mOhm a 15 A, 10 V	2,55 V a 250 µA	11 nC a 4,5 V	±20 V	870 pF a 10 V	-	45 W (Tc)
FP25R12N2T7BPSA1	79.9593	Richiesta di offerta	8525	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo					FP25R12							-	Conformità ROHS3						15
IRFH5010TR2PBF	-	Richiesta di offerta	9162	Tecnologie Infineon	-	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto			Montaggio superficiale	8-PowerVDFN				MOSFET (ossido di metallo)			8-PQFN (5x6)	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	400		CanaleN						100 V	13A (Ta), 100A (Tc)		9 mOhm a 50 A, 10 V	4 V a 150 µA	98 nC a 10 V		4340 pF a 25 V	-
ISC015N04NM5ATMA1	1.7800	Richiesta di offerta	4272	Tecnologie Infineon	OptiMOS™-5	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	ISC015N			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TDSON-8 FL	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	5.000		CanaleN						40 V	33A (Ta), 206A (Tc)	7 V, 10 V	1,5 mOhm a 50 A, 10 V	3,4 V a 60 µA	67 nC a 10 V	±20 V	4800 pF a 20 V	-	3 W (Ta), 115 W (Tc)
IRF7754	-	Richiesta di offerta	4629	Tecnologie Infineon	HEXFET®	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm)	IRF775			MOSFET (ossido di metallo)	1 W		8-TSSOP	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	95	2 canali P (doppio)							12V	5,5 A		25 mOhm a 5,4 A, 4,5 V	900 mV a 250 µA	22nC a 4,5 V		1984pF @ 6V	Porta a livello logico
IPD35N12S3L24ATMA1	1.4800	Richiesta di offerta	9	Tecnologie Infineon	OptiMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	IPD35N12			MOSFET (ossido di metallo)			PG-TO252-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						120 V	35A (Tc)	4,5 V, 10 V	24 mOhm a 35 A, 10 V	2,4 V a 39 µA	39 nC a 10 V	±20 V	2700 pF a 25 V	-	71 W(Tc)
BCM856SH6327XTSA1	0,1516	Richiesta di offerta	4181	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	BCM856				250 mW		PG-SOT363-PO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000																					65 V	100mA							15nA (ICBO)			2 PNP (doppio)	650 mV a 5 mA, 100 mA	200 a 2 mA, 5 V	250 MHz